仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法

    公开(公告)号:CN108846171B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201810523411.7

    申请日:2018-05-28

    Abstract: 本发明公开了一种仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法,包括以下步骤:分别在常温、第一温度、第二温度下对MOSFET进行电学特性测试并记录实际的电学特性曲线,其中第一温度是‑40度以下,第二温度是125度以上;根据常温下的电学特性测试结果提取BSIM模型;在所述BSIM模型基础上定义等效温变电阻以及温度补偿因子得到一个初步的子电路模型;根据在常温、所述第一温度、所述第二温度下的电学特性测试结果,调整等效温变电阻以及温度补偿因子的值使得最终的子电路模型仿真的电学特性曲线能够精确地拟合所述实际的电学特性曲线。所述仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法可以实现在更宽的温度区间子电路模型仿真的电学特性曲线更加拟合实际情况。

    一种数据导出方法、系统、装置以及电子设备

    公开(公告)号:CN113761041A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110837676.6

    申请日:2021-07-23

    Abstract: 本公开提供一种数据导出方法、系统、装置以及电子设备,所述数据导出方法包括:接收数据导出请求;其中,所述数据导出请求包括标准结构化数据库语句;将所述数据导出请求封装为声明对象;将所述声明对象发送到服务端;接收服务端发送的数据结果集,将所述数据结果集存储至缓冲区并进行处理;其中,所述数据结果集是由服务端根据接收到所述声明对象后从存储引擎中获取后通过stream模式发送的;将所述数据结果集写入临时文件中;将临时文件转换格式,得到数据导出结果。该数据导出方法可以解决导出大批量数据时对系统造成的性能下降,甚至宕机的问题。

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