-
公开(公告)号：CN109935546B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201910316243.9
申请日：2019-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开一种SOI衬底的结构包括：第一Si片和第二Si片，采用热氧化的方法对第一Si片进行氧化，得到一层氧化层，对第一Si片的氧化层进行刻蚀，形成带有沟道的氧化层；然后对第二Si片片注入氢，将第一Si片a和第二Si片b进行键合，并减薄顶层第二Si片的厚度，形成SOI衬底。本发明还提供一种SOI衬底结构的制备方法。可以有效减小传统SOI衬底中固定正电荷产生的电场对外延生长的影响，并提高BOX埋层的热导率。
-
公开(公告)号：CN113937180A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111211738.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Si基双面电池隧道结的结构及其制备方法，包括：N型Si衬底和N型AlxGa1‑xAs层；N型Si衬底的上下表面分别掺杂形成P+型Si层和N+型Si层，P+型Si层上依次形成有N+型Si隧道结层和N型Si层；N型AlxGa1‑xAs层的上下表面分别掺杂形成P+型AlxGa1‑xAs层和N+型AlxGa1‑xAs层，N+型AlxGa1‑xAs层上形成有N型Si层；N型Si衬底的N型Si层与N型AlxGa1‑xAs层的N型Si层键合连接，形成N型Si键合层；P+型AlxGa1‑xAs层和N+型Si层上分别形成减反射膜和透明导电薄膜，上下的透明导电薄膜上分别形成正面电极和背面电极。本发明通过沉积隧道结来实现AlGaAs电池与Si电池的集成，其提高了吸收系数且降低了Si片的厚度，从而降低了成本，有利于柔性太阳能电池的制备。
-
公开(公告)号：CN113937179A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111211724.7
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种双面双结Si基GaAs太阳能电池及其制备方法，包括：n‑Si层和n‑GaAs层；n‑Si层的上下表面分别掺杂形成p+‑Si层和n+‑Si层，p+‑Si层上依次形成有Si氧化物层和第一隧道结；n‑GaAs层的上下表面分别掺杂形成p+‑GaAs层和n+‑GaAs层，n+‑GaAs层上形成有GaAs氧化物层，GaAs氧化物层键合在第一隧道结上；在p+‑GaAs层、n‑GaAs层、n+‑GaAs层、GaAs氧化物层、第一隧道结和Si氧化物层刻蚀形成有导电沟槽，导电沟槽内填充有导电材料填充物；p+‑GaAs层和n+‑Si层上分别制备减反射层、欧姆接触层和金属电极。本发明通过刻蚀出导电沟道实现电池内部电子的有效输运，提高电池内部的电学特性，进而能够提高太阳能电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN113921641A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111228281.2
申请日：2021-10-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Si基双面双结AlGaAs太阳能电池及制备方法，包括：N型Si衬底和N型AlGaAs功能层；N型Si衬底的上下表面分别掺杂形成P+‑Si层和N+‑Si层；N型AlGaAs功能层的上下表面分别掺杂形成N+‑AlGaAs层和P+‑AlGaAs层，N+‑AlGaAs层上形成AlGaAs隧道结，AlGaAs隧道结键合在P+‑Si层上；P+‑AlGaAs层上形成有减反射膜、欧姆接触层和正面电极，N+‑Si层上形成有减反射膜、欧姆接触层和背面电极。本发明通过采用晶圆键合和杂质扩散的方式来制备双面Si基太阳能电池，有利于降低太阳能电池的制备成本；此外，采用晶圆键合的方式可以有效地解决AlGaAs与Si之间存在的较大晶格失配的问题，提高器件层的材料性能。
-
公开(公告)号：CN113534351A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202111089965.9
申请日：2021-09-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B6/27
Abstract: 本发明提供一种柱矢量光纤隔离器及光学设备，涉及光学设备领域，柱矢量光纤隔离器包括第一偏振分束器、第二偏振分束器、第一光学部件和第二光学部件，第二偏振分束器与第一偏振分束器间隔设置，第二偏振分束器与所述第一偏振分束器关于设定轴对称。第一光学部件设置于第一偏振分束器与第二偏振分束器之间，第一光学部件适于使穿过第一光学部件的入射光的偏振方向顺时针旋转第一角度。第二光学部件适于使沿正向穿过第二光学部件的入射光的偏振方向逆时针旋转第二角度，并使沿反向穿过第二光学部件的入射光的偏振方向顺时针旋转第三角度。柱矢量光纤隔离器对空间均匀偏振光束与空间非均匀偏振光束均适用，具有结构简单和可靠性高的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110429031B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910776538.4
申请日：2019-08-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法，包括：提供表面为GaAs薄膜材料的基片；将基片置于真空退火炉内，在600℃‑1250℃进行退火处理；随后在GaAs薄膜材料的表面制备一层保护层；将带有保护层的基片放置于离子注入机内进行Ga离子注入；再把该保护层腐蚀去除后，将基片放置于真空退火炉中，装入在热处理温度下产生特定砷蒸汽压时所需保护砷；抽真空，调节压力和温度，进行退火处理，退火温度为600℃‑1250℃；将炉内温度降至室温，取出基片，最终获得有低缺陷甚至无缺陷的GaAs薄膜材料的基片。本发明的方法简单快捷，可用于改善砷化镓薄膜的质量，从而用于制备高质量的砷化镓基光电器件以及电力电子器件。
-
公开(公告)号：CN111682402B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010566217.4
申请日：2020-06-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种对称DBR结构的面发射半导体激光芯片及其制备方法，芯片是从衬底层底发射激光的面发射两维阵列光源芯片，其由下往上依次包括衬底层、分布式布拉格部分反射镜、有源层、氧化光学限制层、分布式布拉格全反射镜和欧姆接触层；有源层、氧化光学限制层、分布式布拉格全反射镜和欧姆接触层在水平面上间隔布设，有源层、氧化光学限制层、分布式布拉格全反射镜和欧姆接触层的侧面以及外露的分布式布拉格部分反射镜的顶部设有钝化层，欧姆接触层的顶部以及钝化层的顶部和外侧设有连续的第一电极；衬底层的出光侧相对应氧化光学限制层的氧化孔位置设有凹槽结构，衬底层除凹槽结构的其他位置设有第二电极，第二电极与第一电极的极性相反。
-
公开(公告)号：CN108878457B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810730800.7
申请日：2018-07-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了SOI基复合集成PHEMT和MOSFET的外延结构及制备方法，该外延结构由复合集成在同一SOI衬底上的GaAs基PHEMT和MOSFET构成；SOI基PHEMT和MOSFET结构区被InGaP腐蚀隔离层隔开；制备方法为：在SOI衬底基础上生长GaAs层，再在GaAs层上依次生长各层得到PHEMT，InGaP腐蚀隔离层在GaAs N型高掺杂盖帽层上外延生长而成；MOSFET由在InGaP腐蚀隔离层上依次外延生长而成；经过相应的外延和材料沉积工艺，可以达到单片复合集成SOI基PHEMT和MOSFET器件的目的。本发明可用于5G通讯中将功放器件和模拟器件实现单芯片集成。
-
公开(公告)号：CN112816187A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110014668.1
申请日：2021-01-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明提供一种激光光斑的质量判定方法，涉及激光质量测量评价技术领域，包括：获取待测光斑的图片，提取图片的灰度信息；根据灰度信息在待测光斑的图片中标记光斑中心和光斑边界；计算光斑中心与光斑边界的最远像素距离，记为光斑半径；以待测光斑的光斑中心为中心、光斑半径为半径生成基模高斯光斑作为参考光斑；将待测光斑与参考光斑对比，计算待测光斑的光斑质量。本发明规避了光斑图片的像素数、尺寸、亮度、形状等因素的干扰，能够直接反应待测光斑的能量分布均匀度；为光斑质量评估建立了一种标准，使得不同待测光斑在光斑质量角度上具有了可比性，同时，得到的待测光斑质量结果对于注重光斑效果的领域具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN112670829A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011565705.X
申请日：2020-12-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了晶圆级VCSEL激光阵列结构及制备方法，属于激光器技术领域，包括晶圆级VCSEL激光芯片，晶圆级VCSEL激光芯片从下至上依次包括衬底层、缓冲层、第一反射镜、氧化层、有源层、第二反射镜以及盖层；在缓冲层上刻蚀形成发光单元阵列，且发光单元电连接；位于衬底层上的第三反射镜；位于第三反射镜上的多个相位差补偿膜；每个相位差补偿膜与发光单元阵列中相邻两个发光单元之间中心处位于同一条直线上。本发明采用一体化集成，直接将整片晶圆级VCSEL激光芯片制备成发光单元阵列，实现晶圆级VCSEL激光芯片的最大利用化，同时使得发光单元阵列满足实现Talbot效应，最终在衬底层获得同相位相干输出的VCSEL激光。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
554
records
(took 0.033 seconds)
