一种次级电子发射薄膜材料的高效简易制备方法

    公开(公告)号:CN110923667A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911306771.2

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 一种次级电子发射薄膜材料的高效简易制备方法,属于薄膜材料的制备技术领域。以表面光滑平整的硅片、银片、FTO玻璃为基底材料,以乙酸镁和乙酸锌作为主要前驱体物,氮气作为载气,在对基底加热的条件下,通过气凝胶化学气相沉积结合高温退火,制备获得MgO/MgO-ZnO薄膜。采用本发明方法制备次级发射薄膜材料具有制备工艺简单、成本低、掺杂元素和膜厚可控、成分均匀、次级发射系数高、耐电子轰击且发射性能稳定等优点。有望应用于多种光电倍增管、图像增加器、等离子显示器等器件中。

    一种热阴极用铝酸盐电子发射物质的简易制备方法

    公开(公告)号:CN108394922B

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201810307397.7

    申请日:2018-04-08

    Abstract: 一种热阴极用铝酸盐电子发射物质的简易制备方法,属于热阴极电子发射材料的制备技术领域,以Ba(NO3)2、Ca(NO3)2·4H20和Al(NO3)3·9H2O为原料,以EDTA为络合剂,通过溶胶‑凝胶法制得盐的前驱粉末,将前驱粉末焙烧得到最终的铝酸盐,阴极经充分激活后在950℃b下,脉冲发射电流密度可以达到100A/cm2以上,发射斜率1.4以上。采用所述方法制备得到的铝酸盐具有制备工艺简单、成分均匀、物相单一、熔点低、发射性能好等优点。有望应用于微波真空电子器件等领域。

    一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108085651A

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201711335941.0

    申请日:2017-12-14

    Abstract: 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法,属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料,一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质,以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体,在一定温度条件下,采用直流反应磁控溅射覆膜技术,通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数,制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。

    一种基于高机械化合成含稀土光电功能铝酸盐的新途径

    公开(公告)号:CN113603129B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202111000389.6

    申请日:2021-08-27

    Abstract: 一种基于高机械化合成含稀土光电功能铝酸盐的新途径,属于无机光电功能材料的制备领域。本发明基于高压消解‑冷冻干燥‑高温煅烧三步骤,将原料铝源、稀土氧化物和其他原料按比例称量,并混合适量去离子水加入到高压消解罐的聚四氟乙烯内衬中。经过高压消解和冷冻干燥过程,无需后处理直接得到均匀性良好的超细含稀土铝酸盐前驱体。随后,通过管式炉高温煅烧过程,可获得用于电子发射领域和光功能材料领域的含稀土光电功能铝酸盐。该工艺机械化程度高,所有工程量均由设备完成,最大程度的强化了产品的质量控制。同时高压消解过程使高密度差的原料充分混合均匀,消除了传统水洗微溶物流失和热干燥前驱体分布不均匀的现象。

    一种钡钨阴极的简易制备方法

    公开(公告)号:CN109926591B

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201910218886.X

    申请日:2019-03-21

    Abstract: 一种钡钨阴极的简易制备方法,属于难熔金属阴极材料技术领域。钨粉装入模具中,进行钢模双向压制,得到钨的阴极生胚;将盛有阴极生坯的氧化铝坩埚放入辅助保温加热的装置中,然后一起放入微波谐振腔内;以30℃/min的速率升温至1000℃,保温10min,进行预烧;再以40℃/min的速率升温至1400℃‑1500℃,保温10min,自然冷却至室温,取出;将制备得到的阴极表面均匀涂敷一层411活性盐,经过1650℃高温进行浸渍;然后水冷降温至室温,取出;水洗、干燥、退火得到钡钨阴极。得到孔度结构良好的亚微米级钡钨阴极,阴极表面出现纳米级活性物质,发射性能得到提高。

    一种微波烧结制备浸渍型含钪扩散阴极的方法

    公开(公告)号:CN109834266A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201910069974.8

    申请日:2019-01-24

    Abstract: 一种微波烧结制备浸渍型含钪扩散阴极的方法,属于稀土难熔金属阴极材料领域。本发明采用溶胶凝胶法结合二段氢气还原法制备了亚微米级氧化钪掺杂钨粉末。然后利用微波烧结新工艺制备出了均匀细晶并且孔道结构良好的基体。此基体浸渍后,浸渍量大,重复性好。在平板二极管中测试该阴极脉冲电流发射密度,经过充分激活后的该阴极试样,在950℃b工作温度下,脉冲发射电流密度达到140A/cm2以上,发射斜率达到1.45以上。浸渍型含钪扩散阴极制备工艺需要经过两次高温过程,而常规烧结方式由于升温速率较慢,导致晶粒容易异常长大,使浸渍过程十分困难,严重制约了工艺的重复性。

    一种腔体储备式阴极
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108615664A

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201810376989.4

    申请日:2018-04-25

    Abstract: 一种腔体储备式阴极,属于储备式难熔金属阴极材料领域,主要包括圆柱形空腔筒,筒上方为阴极发射主体机构,下部为加热灯丝。发射主体部分表层为由难熔金属网制备的表层发射基底,金属丝网为单层或者多层,下部为含有钡、锶元素的具有发射活性的铝酸盐、钪酸盐、钨酸盐等发射活性物质(活性盐)。活性物质与表层发射基底之间为多孔钨海绵体,用于固定活性盐。经过充分激活后的该储备式阴极试样,在900℃工作温度下,平均脉冲发射电流密度达到7A/cm2以上,平均发射斜率达到1.4以上。

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