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公开(公告)号：CN108149042B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201711407530.8
申请日：2017-12-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高致密度钼材料的低温活化烧结制备方法，属于粉末冶金技术领域。按Mo‑x％Ni(x＝0.1‑1，质量分数)称取仲钼酸氨和六水硝酸镍，加入去离子水配制混合溶液作为前驱体溶液，采用喷雾干燥的方法制备前驱体粉末；将前驱体粉末在马弗炉中煅烧；通过管式炉进行两步氢还原；将还原后的粉末进行高能球磨，转速为350rpm+6rpm，球料比10:1，球磨5h，得到平均颗粒尺寸为190nm的粉末；将获得的粉末进行模压，采用高温钨网氢气炉在最高温度1400℃‑1750℃下烧结60min；本发明所提供的制备方法烧结温度低、烧结时间短、高效节能、所得产物致密度高、晶粒尺寸较细小均匀、杂质少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108878234B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201810615636.5
申请日：2018-06-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体的制备方法，属于阴极材料的制备技术领域。以制备得到的Y2O3均匀掺杂的钨粉和411铝酸盐为基础，制备出含有激活剂ZrH2添加的浸渍型稀土钨基次级阴极，并对其热发射性能和次级发射性能进行了测试。发现有激活剂ZrH2添加的稀土钨基次级阴极的热发射性能和次级发射性能最为优异，它的零场发射电流密度是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的3.1‑3.4倍，它的最大次级发射系数是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的1.2倍。采用所述方法制备激活剂ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体，具有优异的热发射性能和次级发射性能，有望应用在大功率磁控管中。
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公开(公告)号：CN108878234A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810615636.5
申请日：2018-06-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体的制备方法，属于阴极材料的制备技术领域。以制备得到的Y2O3均匀掺杂的钨粉和411铝酸盐为基础，制备出含有激活剂ZrH2添加的浸渍型稀土钨基次级阴极，并对其热发射性能和次级发射性能进行了测试。发现有激活剂ZrH2添加的稀土钨基次级阴极的热发射性能和次级发射性能最为优异，它的零场发射电流密度是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的3.1‑3.4倍，它的最大次级发射系数是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的1.2倍。采用所述方法制备激活剂ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体，具有优异的热发射性能和次级发射性能，有望应用在大功率磁控管中。
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公开(公告)号：CN108085651B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201711335941.0
申请日：2017-12-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法，属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料，一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质，以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体，在一定温度条件下，采用直流反应磁控溅射覆膜技术，通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数，制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。
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公开(公告)号：CN108149042A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711407530.8
申请日：2017-12-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高致密度钼材料的低温活化烧结制备方法，属于粉末冶金技术领域。按Mo-x％Ni(x＝0.1-1，质量分数)称取仲钼酸氨和六水硝酸镍，加入去离子水配制混合溶液作为前驱体溶液，采用喷雾干燥的方法制备前驱体粉末；将前驱体粉末在马弗炉中煅烧；通过管式炉进行两步氢还原；将还原后的粉末进行高能球磨，转速为350rpm+6rpm，球料比10:1，球磨5h，得到平均颗粒尺寸为190nm的粉末；将获得的粉末进行模压，采用高温钨网氢气炉在最高温度1400℃-1750℃下烧结60min；本发明所提供的制备方法烧结温度低、烧结时间短、高效节能、所得产物致密度高、晶粒尺寸较细小均匀、杂质少。
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公开(公告)号：CN108085651A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711335941.0
申请日：2017-12-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法，属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料，一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质，以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体，在一定温度条件下，采用直流反应磁控溅射覆膜技术，通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数，制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。
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