公开(公告)号：CN102226294B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201110122078.7

申请日：2011-05-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  赵维 ,  汪浩 ,  严辉 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  张铭 ,  刘晶冰

IPC: H01J29/04 ,  C30B23/06 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法，属于场发射阴极领域。包括如下步骤：选择Si作为衬底，GaN靶作为靶材；将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统，调整靶基距为50-90mm，抽真空使背底真空为1×10-5-1×10-2Pa；通入保护气体调整工作气压为1×10-2-1×101Pa，在脉冲频率5-15Hz、脉冲能量300-500mJ/脉冲的条件下，改变衬底温度700℃-1000℃并进行沉积。本发明通过控制沉积温度从而控制GaN薄膜的晶体结构，获得了最优的场发射性能的结晶度及结晶取向，有效提高了GaN薄膜型场发射阴极的场发射性能。

公开(公告)号：CN102757220A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210243618.1

申请日：2012-07-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  段成辉 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  王如志 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种Bi0.5Na0.5TiO3基三元体系无铅压电陶瓷及制备，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域，该陶瓷的组成为x BNT-y BT-zBZT，x、y、z为被包含在用BNT、BT和BZT三元组成图的各组成点A、B、C、D连线所包围的区域内的BNT、BT和BZT的摩尔含量，A为(0.95,0,0.05)，B为(0.97,0,0.03)，C为(0.98,0.02,0)和D为(0.93,0.07,0)。制备时Bi2O3的量在其按照化学计量比所需的基础上再增加0.05%-1.00%。本发明所提供的三元无铅压电陶瓷体系具有优良的压电性能，具有实用性。

公开(公告)号：CN102321476A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110149912.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  曲铭浩 ,  严辉 ,  张铭 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C09K11/78 ,  C23C14/28

Abstract: 一种近红外量子剪裁透明薄膜及其制备方法，属于固体发光材料领域。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，烘干后在1200℃煅烧12h，采用热压法压制成陶瓷靶材；利用激光脉冲沉积方法，以硅片或石英为衬底，通入O2，衬底温度为400～800℃，靶基距为5～8cm，工作气压为0.5～10Pa，激光能量为100～400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光，有望降低硅太阳电池的热化效应，提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN102153077A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110122065.X

申请日：2011-05-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  张永政 ,  吴春卉 ,  刘晶冰 ,  朱满康 ,  严辉

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种具有高碳氧比的单层石墨烯的制备方法，属于功能材料的制备技术领域。步骤如下：以天然鳞片石墨为原料，用改良hummers法制得氧化石墨，鳞片石墨∶高锰酸钾∶浓硝酸∶浓硫酸∶双氧水＝1∶1.5∶7.0∶10.7∶1.5。用5％的稀盐酸和去离子水洗至无SO42-。取氧化石墨在马弗炉中900℃-1000℃膨胀，取膨胀石墨以酒精为分散剂，超声处理1h，然后进行水热还原，膨胀石墨∶水合肼＝1∶10，100℃下水热反应24h，产物洗净干燥。本发明可制得具有高碳氧比的单层石墨烯，产率大，可应用于大规模生产。

公开(公告)号：CN101602888B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200910088394.X

申请日：2009-06-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张文熊 ,  井琦 ,  刘晶冰

IPC: C08L77/02 ,  C08L77/06 ,  C08L77/00 ,  C08G69/40

Abstract: 本发明公开了一种制备可循环应用的高性能聚酰胺液晶与尼龙复合材料的制备方法。其复合材料的组成为：以所有组分重量份数之和为100份计，尼龙98～80份，聚酰胺液晶2～20份，制备方法为将充分干燥的尼龙、聚酰胺液晶按照比例在常温下混合均匀，经双螺杆挤出机，在220℃～250℃温度下，熔融、挤出、牵引、造粒，制得增韧尼龙共混物。本发明的尼龙与高分子液晶高性能复合材料的拉伸强度可达65.3MPa，杨氏模量可达1.65GPa，断裂伸长率可达169％。将复合材料多次粉碎，重新加工，再制备出的复合材料性能仍然优异。本发明的这种新型复合材料制备操作简便、共混物综合性能好、可以回收，循环应用。

公开(公告)号：CN100488625C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200710118065.6

申请日：2007-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘晶冰 ,  张慧明 ,  汪浩 ,  朱满康 ,  张文熊 ,  严辉

IPC: B01J23/22

Abstract: 纳米BiVO4材料可见光催化剂制备方法属于光催化材料领域。本发明特征在于：将V2O5按Na/V摩尔比1∶1溶入浓度为1-3mol·L-1的NaOH溶液中，制得NaVO3溶液，将Bi(NO3)3·5H2O溶于浓度为4-6mol·L-1的浓硝酸中。分别向上述两种溶液中，添加十六烷基三甲基溴化铵。将上述两种溶液按照V/Bi摩尔比为1∶1混合并搅拌均匀，制成BiVO4的前驱体。将前驱体放入微波炉中，微波功率为119W-280W加热10-40分钟后，冷却后，用去离子水洗涤、干燥。该方法不用较贵的原材料，生产工艺简单，降低了能耗，所得产物具有纯相的单斜相结构，尺度均一的纳米片。

公开(公告)号：CN1251990C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200410033901.7

申请日：2004-04-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  刘晶冰 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  严辉

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 无铅压电陶瓷Na0.5Bi0.5TiO3纳米线的制备方法属于压电陶瓷材料领域。传统制备NBT粉体的方法是固相烧结法，得到的粉体由于高温处理很容易团聚并且尺寸分布不均匀。该方法特征在于包括以下步骤：按摩尔比1∶1∶2称量的硝酸铋、硝酸钠和钛酸四丁酯，分别依次溶解于醋酸、去离子水及乙醇中，然后将三种溶液混合并搅拌均匀，制成溶胶；烘干，获得凝胶粉；凝胶粉加入到8～10M氢氧化钠的水溶液中，搅拌均匀后，装入密闭的反应釜中140～180℃下晶化12～24h；晶化后抽滤，用去离子水洗涤，干燥，即得所需产物。目的是提供一种原材料便宜及生产工艺简单、能耗小、具有纯相的钙钛矿结构、均一粒径的无铅压电陶瓷Na0.5Bi0.5TiO3纳米线的制备方法。

公开(公告)号：CN1412151A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02153499.3

申请日：2002-12-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  刘晶冰 ,  朱满康 ,  王波 ,  严辉

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/453 ,  G11C11/22

Abstract: 一种铁电存储器材料钙钛矿型SrBi2Ta2O9陶瓷粉末的制备方法属于铁电存储器材料领域。本发明所采用的方法，其特征在于，它包括以下步骤：按摩尔比(0.95～1)∶(1～1.05)∶1称量醋酸锶、氧化铋和氧化钽固体，加入到5～10M氢氧化钾的水溶液中，搅拌均匀后，装入密闭的反应釜中；在200～240℃及自生压力下晶化12～48h；晶化产物经抽滤后，用去离子水洗涤，干燥，即得所需产物。该方法不使用较贵的原材料，生产工艺简单，由于反应在液相中进行并且不需要高温处理，不但降低了能耗，而且所得产物具有纯相的钙钛矿结构、均一的粒径。由该方法制备出的铁电存储器材料广泛应用于SBT靶材的制备及高温、高频场合使用的压电材料。

公开(公告)号：CN117679972A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202410107637.4

申请日：2024-01-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘晶冰 ,  张彦 ,  张倩倩 ,  唐家东 ,  李楠 ,  金玉红 ,  汪浩

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/12 ,  B01D69/10 ,  B01D69/02 ,  C02F1/44 ,  B01D67/00 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明涉及蒙脱土‑Fe(OH)3纳米颗粒复合膜的制备方法、复合膜及用途。所述蒙脱土‑Fe(OH)3纳米颗粒复合膜包括作为支撑膜的多孔膜以及蒙脱土‑Fe(OH)3纳米颗粒层，所述蒙脱土‑Fe(OH)3纳米颗粒层包括蒙脱土纳米片和带正电的Fe(OH)3纳米颗粒，所述蒙脱土纳米片之间形成的纳米通道尺寸为1～5nm。所述蒙脱土‑Fe(OH)3纳米颗粒复合膜的制备方法包括：蒙脱土纳米片悬浮液的制备工序、Fe(OH)3纳米颗粒悬浮液的制备工序、混合工序、以及抽滤工序。通过采用本发明的蒙脱土‑Fe(OH)3纳米颗粒复合膜的制备方法，形成尺寸稳定的纳米传输通道，从而得到的具有超高分离性能的蒙脱土‑Fe(OH)3纳米颗粒复合膜，稳定性好，具有较强的抗压性能，较长使用时间。

公开(公告)号：CN114976476B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202210532819.7

申请日：2022-05-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张倩倩 ,  王策 ,  马语晨 ,  唐家东 ,  金玉红 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: H01M50/403 ,  H01M50/431 ,  H01M50/491

Abstract: 一种无枝晶锂金属电池用COFs基隔膜及其制备方法，属于锂金属电池技术领域。包括以下步骤：首先通过界面聚合法合成含COFs纳米片的分散液，利用超声振动法将其分散为均匀的纳米片，COFs纳米片厚度约为5nm,COFs纳米片横向尺寸在微米级，且表面平整无裂纹缺陷。利用真空自组装法，将一定量的COFs纳米片分散液与交叉连结材料混合抽滤在商业化隔膜。制备出性能优异的COFs基复合隔膜。本发明的COFs基复合隔膜不仅具有优异润湿性，而且具有很高的电导率和锂离子迁移数，可用于无枝晶锂金属电池。该复合膜制备工艺简单，成本低廉，适于大规模生产。