公开(公告)号：CN102153077A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110122065.X

申请日：2011-05-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  张永政 ,  吴春卉 ,  刘晶冰 ,  朱满康 ,  严辉

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种具有高碳氧比的单层石墨烯的制备方法，属于功能材料的制备技术领域。步骤如下：以天然鳞片石墨为原料，用改良hummers法制得氧化石墨，鳞片石墨∶高锰酸钾∶浓硝酸∶浓硫酸∶双氧水＝1∶1.5∶7.0∶10.7∶1.5。用5％的稀盐酸和去离子水洗至无SO42-。取氧化石墨在马弗炉中900℃-1000℃膨胀，取膨胀石墨以酒精为分散剂，超声处理1h，然后进行水热还原，膨胀石墨∶水合肼＝1∶10，100℃下水热反应24h，产物洗净干燥。本发明可制得具有高碳氧比的单层石墨烯，产率大，可应用于大规模生产。

公开(公告)号：CN103204540A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310057563.X

申请日：2013-02-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 孙玉绣 ,  张永政 ,  汪浩 ,  谢明 ,  宗恺 ,  郑慧娟 ,  舒颖琦 ,  刘晶冰 ,  严辉 ,  朱满康

IPC: C01G19/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种Cu2ZnSnS4太阳能电池吸收层薄膜的非肼基溶液制备方法，包括如下步骤：（a）环境友好且稳定的前躯体溶液制备（b）浸渍提拉前躯体薄膜制备（c）干燥（d）反复浸渍提拉、干燥 （e）最后退火处理。本发明所提供的Cu2ZnSnS4薄膜制备方法，不需要使用昂贵的原材料和设备，各工艺步骤的控制性好，有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的吸收层薄膜，其工艺简单，可重复性强，易实现大规模生产。本发明中配制稳定的前躯体溶液所采用的试剂均无毒且物化性质稳定，为发展绿色环保、低成本、高转换效率的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池技术提供新思路，可促进Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池产业化快速发展。

公开(公告)号：CN104701138A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510101550.7

申请日：2015-03-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  张永政 ,  严辉 ,  刘晶冰 ,  朱满康

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0321 ,  H01L21/02104 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种CZTS(Se)纳米晶薄膜的制备方法。该方法先分别制备出金属锡、锌、铜的二元纳米晶颗粒，然后将二元纳米晶颗粒混合分散到溶剂中制成反应前驱液，最后将反应前驱液转移到基底表面进行热处理得到CZTS(Se)纳米晶薄膜。本发明方法制备的CZTS(Se)纳米晶薄膜杂质、缺陷少，用做太阳能电池的吸收层可以显著提高太阳能电池的转化效率；同时本发明方法不采用有毒物质肼和油胺做溶剂，对环境无污染。