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公开(公告)号：CN103806092B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410031343.4
申请日：2014-01-23
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于立式氢化物气相外延（HVPE）的反应器，包括轴对称圆柱型腔体、前驱物通道、衬底、石墨圆盘及支撑杆；其中前驱物通道从上至下依次由第一圆筒、过渡段、第二圆筒、裙体扩展段、第三圆筒组成；该反应器还包括设置在第二圆筒中间位置的第二整流板，设置在第三圆筒内部具有周向阵列折流板的第一折流装置；包括设置在通道第一、第二、第三圆筒内部的第一、第二、第三整流板，以及设置在石墨盘径向外围的第二折流装置；包括对反应式腔体外壁进行径向扩充；包括设置在通道第一、第二圆筒内部的第一、第二整流板，设置在第三圆筒内部与石墨盘径向外围的第一、第二折流装置，以及反应气体的径向出口。
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公开(公告)号：CN103614704B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310542018.X
申请日：2013-11-06
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种氢化物气相外延（HVPE）喷头设计，更具体地是提供了一种用于控制前驱物流场的控制棒。在一立式HVPE生长系统的前驱物通道中，所述控制棒包括始段圆环结构，中段实心圆柱体，末段控制端，所述三段同轴。所述圆环结构分为内外两侧，并包含复数个圆形通孔，所述复数个圆形通孔至少一个穿过圆环结构的内外两侧。该圆环结构外径与中段圆柱体直径相等；与中段圆柱体毗邻的末段控制端为圆锥、圆台、倒圆台或圆柱体结构中的一种，所述控制端与中段圆柱体相连处其直径相同。本发明提供的前驱物控制棒能使前驱物径向流场分布的均匀性最佳化，并扩展前驱物流场调控手段。
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公开(公告)号：CN103603049B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310649657.6
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明公开一种能批量生产氮化物单晶体材料的液相外延的多片式氮化物单晶体材料生长装置及方法，其通过设计包括一种搅拌装置的反应釜，该搅拌装置以一定速度旋转而不断吸取溶液，然后在惯性力作用下，溶液加速到一定程度之后水平远离它的旋转中心，形成流动循环，提高溶液的N溶解速度与溶解均匀性，有利于多片晶体生长的一致性及生长速度的提高。同时，通过设计一个用于调节N溶解浓度的预生长室，调控晶体生长的N浓度条件，然后，通过生长室溶液与预生长溶液的循环，使生长室内溶液的N浓度保持一致，从而为高质量多片式氮化物晶体生长提供源源不断的过饱和溶液，充分利用了原材料，提高晶体质量又降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103578935B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310586058.4
申请日：2013-11-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法。本发明的生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法根据三元半导体合金的各原子的组分确定最佳生长温度以及各原子的原子束流，从而控制三元半导体合金的生长，得到了晶体质量良好、表面平整的全组分三元半导体合金，具有低的背景电子浓度和高的电子迁移率，室温下具有强烈的带边发光。本发明快速确定任意组分三元半导体合金的最佳生长条件，从而实现全组分生长；确保采用最高的生长温度生长，并且富金属生长条件形成表面活性剂，增强原子迁移能力；生长温度和相应的原子束流条件准确控制三元半导体合金的组分。
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公开(公告)号：CN105449052A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410421706.5
申请日：2014-08-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提供一种采用MOCVD技术制备具有非对称电流扩展层的高效率近紫外LED方法。通过设计新型的LED结构，改善水平方向电流扩展，以提高近紫外LED发光效率的方法。具体方案如下:在n-GaN和InGaN/AlGaN多量子阱有源区之间生长非对称的n型电流扩展层。优化电流扩展层结构如下：(1)非对称Al组分和In组分以及n掺杂渐变的n型AlInGaN电流扩展层；(2)非对称Al组分和In组分以及n掺杂渐变的多周期n型AlInGaN/AlGaN超晶格或量子阱结构电流扩展层；(3)非对称Al组分和In组分以及n掺杂渐变的多周期n型InGaN/AlGaN超晶格或量子阱结构电流扩展层；(4)非对称Al组分In组分以及n掺杂渐变的多周期n型AlInGaN/GaN/AlGaN超晶格或量子阱结构；通过设计新型电流扩展层结构，有效提高近紫外LED发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103311395B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310165612.1
申请日：2013-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种激光剥离薄膜LED及其制备方法。本发明的激光剥离薄膜型LED的芯片单元包括：n型层、量子阱、在量子阱上的p型层、在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构、p电极、绝缘层及n电极，上述结构倒扣在衬底上；以及在芯片一角的p焊盘。本发明使用了表面等离激元与量子阱结构的共振耦合作用，大大增加了大注入下LED的辐射复合和效率和出光效率，同时对发光效率低的黄绿光、紫外光LED也有一定的效果；采用激光划片和腐蚀的方法，分割芯片单元，减少外延片的翘曲，降低工艺难度和成本；p焊盘采用保护层和银层蒸镀工艺，简化了p焊盘的制作工艺，降低工艺成本；采用热磷酸粗化的方法，降低工艺成本，提高LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN101257080B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200810101681.5
申请日：2008-03-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状，可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。同时，这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题，结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。此外，这一方法也给优化波导限制、电流注入限制提供了灵活的方案。
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公开(公告)号：CN103668446A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310601124.0
申请日：2013-11-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氢化物气相外延（HVPE）喷头设计，更具体地是提供了一种可控前驱物通道。所述通道位于悬挂立式或倒置支撑HVPE系统中，该通道包括前驱物进气口、通道顶部固定端、中心控制棒及通道外壁。所述进气口位于通道顶部与通道外壁顶端之间；所示通道顶部内嵌有一竖直螺柱；所述通道中心位置为控制棒，该控制棒分为上、下两段，上段为顶端带内螺纹套孔的圆柱体，下段为圆锥、圆台、倒圆台或圆柱控制端中的一种；所述通道外壁至少包括直径不相同的两个及以上圆筒，其中第一圆筒直径小于第二圆筒直径，两圆筒之间为过渡段，第二圆筒与裙体扩展段的一端相连。本发明提供的可控前驱物通道能使前驱物在衬底表面的径向分布最佳化，同时扩展前驱物流场调控手段。
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公开(公告)号：CN102005370B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201010504222.9
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种新的制备同质外延衬底的方法，属于制备高效、大功率氮化镓基发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）等光电子学器件技术领域。本发明首先将氮化镓同质自支撑衬底刻蚀分割为若干个独立的部分；在上述分割后的同质自支撑衬底上，用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法进行再次外延，将分立化的衬底横向连接，再次形成完整氮化镓同质自支撑衬底。采用本发明制备出的同质外延衬底可有效的防止形变对光电子学和电子学器件的性能影响，提高同质外延生成LED、LD和高电子迁移率器件（HEMT）等产品的质量和成品率。
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