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公开(公告)号：CN101853922B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010158789.5
申请日：2010-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(SixOyNz)。本发明通过对标准CMOS工艺中后端的等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺进行参数调节，制备出和标准CMOS工艺完全兼容的氮氧硅单极阻变存储器，其可以在低温工艺下实现，同时达到了人为控制缺陷浓度的目的，从而得到了较低的阻变电压和阻变电流，在低压低功耗存储器方面，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN101789777B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910312616.1
申请日：2009-12-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种射频接收和发射(T/R)转换开关，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该T/R转换开关包括两个相互连接的阻变器件，这两个阻变器件在一控制电压的作用下电阻特性相反，即阻变器件R1和阻变器件R2连接同一控制电压端，阻变器件R1的电阻处于高阻态，阻变器件R2的电阻处于低阻态，或阻变器件R1的电阻处于低阻态，阻变器件R2的电阻处于高阻态。本发明利用了阻变器件的双极特性，通过电压控制端的电压极性改变，使开关中两个阻变器件的电阻状态改变，从而实现了射频接收和发射(T/R)转换。本发明T/R转换开关电路可以完全做在信号处理元器件的上方，实现了三维集成。
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公开(公告)号：CN102142455A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010103868.6
申请日：2010-01-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件，包括MOSFET结构中的衬底、栅介质层、栅极、源区和漏区，其中源区的掺杂浓度比漏区高，栅介质层是由阻变材料构成的阻变介质层，当该阻变介质层为高阻态时该器件为MOSFET，低阻态时则转变为BJT，MOSFET的栅极、源区和漏区对应地分别变为BJT的基极、发射极和集电极。该器件的制作工艺简单，和主流平面CMOS工艺兼容，生产成本低，根据需要在栅极(或基极)与衬底之间施加一定的电压就可以使阻变介质层的电阻发生转变，从而实现BJT和MOSFET的互变，在存储器电路和逻辑电路方面有着很好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN101894910A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010223393.4
申请日：2010-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiOxNy)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为硅的氮氧化物(SiOxNy)，所述SiOxNy的x、y满足条件：2x+3y＜4，x≥0，y≥0，所述底电极为Cu、W、Pt等金属或者其它导电材料，所述顶电极为Ti、TiN、Al、AlCu等与硅的氮氧化物发生化学反应的金属或导电材料。本发明通过控制硅氮氧化物的成分，使其硅含量相对较多，引入更多的缺陷，空位，比如氮空位、氧空位等，从而得到稳定的双极器件。
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公开(公告)号：CN101226881B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710000682.6
申请日：2007-01-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种凹陷源漏场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路技术(ULSI)领域。该方法引入了外延工艺和采用牺牲层的办法，在衬底中引入两个“L”型的埋氧层结构。采用这种方法，器件工艺参数和物理参数诸如逆向掺杂浓度和深度、结深、凹陷源漏的深度、埋氧层的厚度等参数都能够很好的控制。该方法的可控性非常强，且与现有的工艺兼容，有利于应用到大规模生产中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101826598A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010162689.X
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜，在钛氧酞菁膜内有金属Cu或者Ag纳米细丝。本发明引入了两种阻变机制。一是，利用顶电极加足够的正压使得金属Cu或者Ag纳米丝熔断形成关态；加负压后金属Cu或者Ag纳米细丝再次形成而转换成开态；二是，利用顶电极和有机薄膜的氧化还原反应的正向进行和逆向进行实现阻变。本发明实现了多态的阻变特性和多值存储功能，在低成本、高性能的有机存储器方面具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN101630719A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910089612.1
申请日：2009-07-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制造方法，属于集成电路技术领域。该阻变存储器，为MIM结构，该MIM结构的底层和顶层分别为金属电极，该MIM结构的中间层为，依次叠加的第一层聚对二甲苯聚合物膜、金属或金属氧化物纳米层和第二层聚对二甲苯聚合物膜。本发明利用聚对二甲苯聚合物和金属/金属氧化物的组合作为阻变材料，可制备出有较好的阻变特性和工艺兼容性的阻变存储器。聚对二甲苯聚合物的制备方法采用无副产品和无溶剂污染的室温汽相化学淀积工艺，与CMOS其他模块兼容。且聚对二甲苯耐标准光刻工艺中使用的溶液和溶剂，可以使用CMOS标准光刻技术工艺制备该阻变存储器，从而提高了存储器的存储密度。
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公开(公告)号：CN102194849B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201010124705.6
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/24
CPC classification number: G11C11/5621
Abstract: 本发明公开了一种多位快闪存储器，包括衬底、源端和漏端，以及依次层叠在沟道之上的遂穿氧化层、多晶硅浮栅(对应于浮栅型闪存)或氮化硅陷阱层(对应于分离陷阱型闪存)、阻挡氧化层、金属下电极、阻变材料层和金属上电极。其中金属下电极在读取时，通过外面串联的电阻接地，使得阻变材料层起到明显的分压效果。本发明以现有的快闪存储单元为基本架构，融入了阻变材料存储单元，与当前的主流闪存制备工艺兼相兼容，并在很大程度上提高了单位面积上的存储密度。
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公开(公告)号：CN102881822A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110195121.2
申请日：2011-07-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/149 , H01L45/1675 , H01L51/0591
Abstract: 本发明公开了一种透明柔性阻变存储器及其制备方法，包括一透明的柔性衬底和衬底上的MIM电容结构的器件单元，所述器件单元的底层和顶层为透明柔性电极，中间功能层为聚对二甲苯透明薄膜。聚对二甲苯材料具有良好的阻变特性，器件中衬底、电极和中间功能层均采用透明柔性材料制备，得到全透明的柔性阻变存储器，可应用于透明柔性电子系统中。
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