-
公开(公告)号：CN118297014A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410225907.1
申请日：2024-02-29
Applicant: 北京交通大学
IPC: G06F30/3323
Abstract: 本发明提出一种钙钛矿太阳能电池分数阶等效电路模型的建立方法，包括，基于基尔霍夫定律，构建未考虑迟滞效应的钙钛矿太阳能电池等效电路模型；利用分数阶理论，构建分数阶电容表达式，并通过实验数据拟合的方法，确定分数阶电容的阶数；将所述分数阶电容引入所述钙钛矿太阳能电池等效电路模型中，构建考虑迟滞效应的钙钛矿太阳能电池分数阶等效电路模型。通过本发明提出的方法，有效描述了钙钛矿太阳能电池在迟滞现象下的复杂电气行为。同时，分数阶理论的引入为理解和分析钙钛矿太阳能电池的电气行为提供了全新的视角。
-
公开(公告)号：CN115912894A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211215203.3
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提出一种基于电流反馈的全频带紧凑型混合EMI滤波电路设计方法，包括，搭建电磁干扰测试电路，获得PWM变换器所需衰减的共模EMI频谱，并建立PWM变换器高频等效电路；根据有源和无源EMI滤波电路高频等效模型以及混合EMI滤波器电路拓扑的噪声衰减特性，得到最优的混合EMI滤波器拓扑；根据有源EMI滤波器的噪声对消原理以及共模EMI频谱，设计有源EMI滤波器拓扑与高频等效模型；根据有源EMI滤波器的噪声对消原理以及共模EMI频谱，设计有源EMI滤波器拓扑；根据加装有源EMI滤波器后的共模EMI噪声频谱，设计无源EMI滤波器结构；根据混合EMI滤波器拓扑、有源EMI滤波器拓扑、无源EMI滤波器结构、有源和无源EMI滤波电路高频等效模型进行混合EMI滤波电路的设计。
-
公开(公告)号：CN112953174B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110184242.0
申请日：2021-02-08
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本申请提出一种基于dv/dt检测的抑制SiC MOSFET串扰的钳位有源驱动电路，涉及电力电子技术领域，钳位有源驱动电路包括：驱动推挽电路、驱动电阻Rg、dv/dt检测电路和钳位电路，可以通过检测dv/dt变化率，将其转化为电压信号并作为钳位电路的输入，通过钳位电路使得被驱动功率SiC MOSFET栅源电压在受到干扰后能快速稳定至关断偏置电压VEE，解决高频大功率变换器中SiC MOSFET应用中出现的串扰问题，可以保护被驱动SiC MOSFET在发生正向串扰时不会误导通，在发生负向串扰时不会过压击穿，有效地抑制桥臂电路中SiC MOSFET的栅源极电压产生的串扰问题。
-
公开(公告)号：CN115037181A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210513957.0
申请日：2022-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种基于非谐振软开关的两级式升压逆变器，该逆变器包括：输入电源、第一电感、第一开关管、第一电容、第一二极管、第二电感、第二电容、第二二极管、第三二极管、第三电容、第二开关管、第三开关管、第四开关管和第五开关管，其中，输入电源与第一电感、第一电容、第一开关管和第二二极管相连；第一电感与第一开关管、第一二极管和第二电容相连；第一电容与第二电感相连；第一二极管与第三二极管和第二电感相连；第三二极管与第二开关管、第三开关管和第三电容相连；第二二极管与第二电容、第四开关管和第五开关管相连；第二开关管与第四开关管相连；第三开关管与第五开关管相连。该逆变器在提高功率密度的同时保证了转换效率。
-
公开(公告)号：CN114640254A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111451875.X
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京交通大学 , 华南理工大学 , 武汉永力睿源科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于模态重构的开关变换器拓扑衍生方法和装置，其中，该方法包括：设定目标开关变换器输入、输出及无源支路的数量与类型，以及模态数量；使用设定的输入、输出及无源支路，进行结构初始化得到回路结构表；选择回路结构表中符合第一预设条件的回路，得到第一结构表；对第一结构表中结构添加器件实际方向，得到第二结构表；基于模态数量，从第二结构表中选取预设的模态数量的回路结构进行组合得到第三结构表；对第三结构表进行第二预设条件筛选得到第四结构表；对第四结构表添加开关器件还原实际开关变换器。本发明能够针对开关变换器进行拓扑的衍生，实现使用计算机程序方式实现PWM型开关变换器拓扑的衍生功能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111404411B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010119350.5
申请日：2020-02-26
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02M7/483 , H02M7/5387 , H02M7/5395 , H02M1/32 , H02M7/538
Abstract: 本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的三电平有源驱动电路，其中，该三电平有源驱动电路与SiC MOSFET的栅源极连接，可以用于SiC等宽禁带半导体器件在上下桥臂电路中的高速驱动，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、脉冲产生电路和零压钳位电路。其中，推挽电路用于产生控制SiC MOSFET的栅源极电压，脉冲产生电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容和第一电压比较器，零压钳位电路包括第一P沟道MOSFET，第一二极管。该三电平有源驱动电路能够通过优化驱动电压有效地抑制桥臂电路中SiCMOSFET的栅源极电压产生的串扰问题，使得正负向栅源电压尖峰均保持在安全阈值之内。
-
公开(公告)号：CN112946447A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110043527.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 北京交通大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提出一种基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路，涉及电力电子技术领域，包括：电压互感器(PT)一次侧并联在电力电子电路中的SiC MOSFET的漏极和源极；积分电阻(R)一端与电压互感器(PT)二次侧一端连接，积分电阻(R)另一端、积分电容(C)一端、开关管(S1)一端与运算放大器的反相输入端连接；电压互感器(PT)的二次侧的另一端和运算放大器同相输入端接地，积分电容(C)另一端、开关管(S1)另一端与运算放大器的输出端连接，运算放大器的输出端与比较器的反相输入端连接，比较器的同相输入端与参考电压连接。由此，可以快速检测SiC MOSFET短路情况并输出短路信号，且母线电压越大时短路保护动作越迅速，能够提高电力电子系统的可靠性。
-
公开(公告)号：CN110719021B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911054800.0
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02M1/44 , H02M1/12 , H02M7/5395 , H02J3/38
Abstract: 本发明公开了一种并网三相逆变器共模EMI滤波器优化设计方法，包括：在并网三相逆变器中使用混沌SPWM调制，并且通过线性稳定阻抗网络得到变换器所需衰减的共模EMI频谱；分析并网三相逆变器的共模EMI通路以得到戴维南或者诺顿等效电路，根据等效电路求得共模EMI滤波器的插入损耗曲线；根据插入损耗曲线与共模EMI频谱的切点的参数及共模EMI滤波器转折频率表达式得到所需电感值和所需电容值。该方法相较于使用定频SPWM调制的并网三相逆变器，可以提高所需共模EMI滤波器的转折频率，从而降低所需电感和电容值，降低共模EMI滤波器的体积、重量和成本，提高并网三相逆变器的功率密度。
-
公开(公告)号：CN107103122B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201710216087.X
申请日：2017-04-01
Applicant: 北京交通大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明提出一种非分段GaN HEMT模型的建立方法，包括：获取电压控制电流源IDS、栅漏电容CGD、栅源电容CGS和漏源电容CDS；根据IDS得到非分段GaN HEMT模型的静态特性，并根据静态特性建立非分段静态特性模型；根据CGD、CGS和CDS得到非分段GaN HEMT模型的动态特性，并根据动态特性建立非分段动态特性模型；根据非分段静态特性模型和非分段动态特性模型得到非分段GaN HEMT模型。本发明能够得到收敛性好和准确性高的非分段GaN HEMT模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，同时使得后续功率变换器的设计和分析更加便利和高效。
-
公开(公告)号：CN109787475B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910105254.2
申请日：2019-02-01
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了一种基于耦合电感的两相交错电容箝位型超高增益直流变换器，包括：两相交错Boost结构、第一电容箝位电路和第二电容箝位电路；其中，两相交错Boost结构包括输入源、第一耦合电感原边绕组、第二耦合电感原边绕组、第一开关管和第二开关管；第一电容箝位电路包括第一电容、第三电容、第一二极管、第二二极管和第二耦合电感副边绕组；其中第二电容箝位电路包括第二电容、第四电容、第三二极管、第四二极管和第一耦合电感副边绕组。本发明实施例的超高增益直流变换器具有拓扑结构对称，开关控制简单，电压增益超高、开关管电压应力超低的优点，非常适合应用于使用低压大电流氮化镓器件的低压输入、高压输出应用场合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.072 seconds)
