一种基于深N阱结构的垮芯片保护环电路

    公开(公告)号:CN103887284A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201210563690.2

    申请日:2012-12-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于深N阱(Deep?Nwell)层垮芯片保护环(Sealring)的连接结构,这种连接结构在芯片垮划片槽传输信号的同时避免破坏本芯片的保护环(Sealring)。该器件包括埋于衬底中的深N阱(Deep?Nwell),作为电阻两端的N阱(Nwell)、Ndiff(N+注入)、Metal(金属)。条带状的Deep?Nwell通过与之接触的Nwell延伸至衬底表面,Nwell中的Ndi?ff与Metal形成欧姆接触,分别接外部信号线。

    一种脉冲间隔编码的解码电路

    公开(公告)号:CN103679077A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201210351412.0

    申请日:2012-09-18

    Inventor: 胡毅 沈红伟

    Abstract: 通常的编码电路使用数字电路进行解码,这就要求数字电路的时钟具有足够高的频率。在芯片电路设计中,高的时钟频率就意味着较高的电路功耗。本发明公开了一种脉冲间隔编码的解码电路,利用模拟时钟采样电路,实现了无外输时钟的脉冲间隔编码的模拟电路解码方法。

    一种用于超高频无源电子标签块写功能实现方法

    公开(公告)号:CN102110221B

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN200910243489.4

    申请日:2009-12-23

    Abstract: 本发明是一种用于实现超高频无源电子标签“块写”功能的方法。目前超高频无源电子标签18000-6C(EPC G2)协议规定了标签的“块写”命令,但没有具体的实现方法和流程,基于标准CMOS工艺的可擦写存储器也无法实现本功能。本发明在基于标准CMOS工艺的可擦写存储器性能基础上,结合18000-6C(EPC G2)协议,提出了“块写”命令的实现过程及标签和阅读器的交互过程,保证“块写”命令的可实现性,并给出相应的实现方法。

    一种完全平面抗金属RFID超高频标签天线

    公开(公告)号:CN203085759U

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201220720052.2

    申请日:2012-12-25

    Inventor: 陈会军 沈红伟

    Abstract: 本实用新型公开的一种完全平面抗金属RFID超高频标签天线。通常的抗金属天线采用双层或者多层电路板,价格较高,所以发展了完全平面抗金属标签。普通的完全平面抗金属标签不采用偶极子方式,所以对尺寸限制严格。本实用新型的特色是在普通变形偶极子天线基础上作了改进,使得变形偶极子标签天线在靠近金属的时候也能发挥不错的性能。所以,很好的继承了普通空气标签的低成本、使用灵活等特征。

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