公开(公告)号：CN101490626A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026940.6

申请日：2007-08-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 村上豊 ,  石川典夫

IPC: G03F7/38 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/322

Abstract: 本发明是有关于一种正型抗蚀剂处理液组合物，其是由含有用通式(I)表示的氢氧化季铵的水溶液组成的，式中，R1及R3分别表示甲基、R2表示碳数12～18的烷基。

公开(公告)号：CN100491594C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN01104252.4

申请日：2001-02-23

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供一种去除剂，该去除剂包括(a)硝酸铈(IV)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN1297642C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN03103788.7

申请日：2003-02-19

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 阿部优美子 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  富盛浩昭 ,  笠间佳子

IPC: C11D1/83 ,  H05K3/26

Abstract: 本发明该洗净液组合物提供一种可以有效地除去疏水性基板表面的粒子和金属而不腐蚀该疏水性基板。该洗净液组合物用于在其上滴下水时的表面接触角是70度以上的半导体基板，并含有脂肪族多元羧酸类和表面活性剂，其中当该组合物滴下在前述半导体基板上时的接触角变成50度以下。

公开(公告)号：CN1423172A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02155744.6

申请日：2002-12-04

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  大和田拓央

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213

CPC classification number: G03F7/422

Abstract: 一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物,其特征在于,该组合物含有从脂肪族多元羧酸及其盐组成的组中选择的一种或两种以上,和从还原性化合物及其盐组成的组中选择的一种或两种以上。该组合物在半导体电路元件的制造步骤中,对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良,且可以不腐蚀配线材料和不对配线材料和层间绝缘膜材料产生化学浸蚀。

公开(公告)号：CN101876076B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201010165519.7

申请日：2010-04-27

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 山口隆雄 ,  石川典夫

IPC: C23F1/32 ,  C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了一种草酸铟溶解剂，解决了现有问题，该草酸铟溶解剂化学性地溶解去除沉积在由氧化铟锡(ITO)膜或氧化铟锌(IZO)膜形成的透明导电膜的湿蚀刻装置内的草酸铟。本发明涉及一种用于溶解去除在蚀刻装置体系内沉积的草酸铟的溶解剂组合物，其特征在于，所述溶解剂组合物为含有碱性成分以及从氨基多羧酸及其盐中选择的1种或2种以上的水溶液，本发明还涉及使用该溶解剂组合物的蚀刻装置体系内的清洗方法。

公开(公告)号：CN101580774B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200910136547.3

申请日：2009-05-06

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 村上丰 ,  石川典夫

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/33 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体基板洗涤液组合物，其在半导体电路元件的制备工序中，可以去除基板表面的金属杂质而不腐蚀铜布线。本发明的清洗半导体基板的洗涤液，为含有一种或两种以上的脂肪族多元羧酸类和一种或两种以上的碱性氨基酸类的洗涤液组合物，由此，在具有铜布线的半导体基板的清洗工序中，特别是在化学机械抛光(CMP)后的铜布线裸露的半导体基板的清洗工序中，可以去除金属杂质而不腐蚀铜布线。

公开(公告)号：CN102732254A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210102517.2

申请日：2012-04-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 山口隆雄 ,  石川典夫

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/04 ,  H01B13/00

CPC classification number: C09K13/08

Abstract: 本发明提供对电极材料等中使用的铜和/或铜合金无损伤、能够蚀刻结晶质ITO膜的透明导电膜用蚀刻液组合物。包含含有1～10重量％的氟化合物的水溶液的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物。

公开(公告)号：CN1846173B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200480024889.1

申请日：2004-08-27

Applicant: 索尼株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  石川典夫 ,  横山诚一

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/30 ,  H05B33/26 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 本发明提供一种可以适用于含有银和/或银合金的基板的光致抗蚀剂剥离液组合物，其中含有从下述的式(I)所表示的化合物、下述的式(II)所表示的化合物、下述的式(III)所表示的化合物、邻苯二酚、对苯二酚、连苯三酚、没食子酸、没食子酸酯之中选择的一种、两种或更多种、以及一种、两种或更多种极性有机溶剂，式(I)NH2-A-Y-B-Z(上式中，A、B分别相互独立地为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基，Y为NH或O的任一个，Z为NH2、OH、NH-D-NH2，其中，D为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基)；式(II)NH2-A-N(-B-OH)2(上式中，A、B与式(I)的相同)；式(III)(上式中，R为H、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的羟基烷基或碳原子数为1～5的氨基烷基)。

公开(公告)号：CN100529039C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510075587.3

申请日：2005-06-06

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 村松真文 ,  浅田和己 ,  萩野友纪乃 ,  奥山敦 ,  中岛崇人 ,  高濑和彦 ,  鱼住宜弘 ,  松村刚 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: C11D3/24 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C23G1/24 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。

公开(公告)号：CN101319172A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810108312.9

申请日：2008-06-06

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫

IPC: C11D7/32 ,  C09K13/06 ,  H01L21/302

CPC classification number: C11D3/26 ,  C03C15/00 ,  C03C23/0075 ,  C09K13/06 ,  C11D3/044 ,  C11D3/30 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明提供一种为碱水溶液、没有金属杂质的附着、进而具有洗涤能力的水溶液组合物。其是一种用于基板的洗涤或蚀刻的水溶液组合物，其含有由通式(1)所示的螯合剂及碱成分，通式(1)中，R是任意的1个或2个以上的氢可以被相同或不同的取代基取代的碳原子数为2～6的亚烷基、1，2－亚环己基或1，2－亚苯基；环A及B是任意的1个或2个以上的氢可以被相同或不同的取代基取代的苯环；其中，取代基选自由碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的链烯基、碳原子数为1～10的炔基、碳原子数为1～10的酰基、碳原子数为1～10的烷氧基、苯基、苄基、萘基、羧基、磺酸基、氰基、羟基、巯基、氨基、卤素及硝基组成的组。