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公开(公告)号：CN110140196A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780078862.8
申请日：2017-12-26
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/36 , C11D17/08 , C23G1/20
Abstract: 本发明提供在半导体元件等电子器件的制造工序中的实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗中有用的清洗液组合物。本发明的清洗液组合物是一种用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮杂环式单环芳香族化合物，所述含氮杂环式单环芳香族化合物具有1个以上的羧基或酯基，而具有1个以上的氨基的情况下仅具有与含氮杂环直接结合的氨基。所述清洗液组合物中氢离子浓度(pH)为8～12。
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公开(公告)号：CN105122429A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480021935.6
申请日：2014-04-07
Applicant: 关东化学株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供半导体元件等电子器件的制造工序中，对实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗有用的清洗液组合物。本发明涉及用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮原子的杂环式单环芳香族化合物，氢离子浓度(pH)为8～11。
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公开(公告)号：CN1846173B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200480024889.1
申请日：2004-08-27
IPC: G03F7/42 , H01L21/30 , H05B33/26 , G02F1/1343
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明提供一种可以适用于含有银和/或银合金的基板的光致抗蚀剂剥离液组合物，其中含有从下述的式(I)所表示的化合物、下述的式(II)所表示的化合物、下述的式(III)所表示的化合物、邻苯二酚、对苯二酚、连苯三酚、没食子酸、没食子酸酯之中选择的一种、两种或更多种、以及一种、两种或更多种极性有机溶剂，式(I)NH2-A-Y-B-Z(上式中，A、B分别相互独立地为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基，Y为NH或O的任一个，Z为NH2、OH、NH-D-NH2，其中，D为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基)；式(II)NH2-A-N(-B-OH)2(上式中，A、B与式(I)的相同)；式(III)(上式中，R为H、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的羟基烷基或碳原子数为1～5的氨基烷基)。
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公开(公告)号：CN100529039C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510075587.3
申请日：2005-06-06
IPC: C11D3/24 , H01L21/302 , G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/245 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/32 , C23G1/24 , H01L21/02063 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1920671A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510092787.X
申请日：2005-08-25
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/02071 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供一种除去具有由铝或铝合金形成的金属布线的半导体基板在干蚀刻后和灰化后残留的光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣的组合物，以及使用该组合物的残渣除去方法。所述光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣除去组合物含有至少1种除氢氟酸以外的氟化合物、至少1种磺酸类和水，所述光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣的除去方法包括，其使用含有至少1种除氢氟酸以外的氟化合物、至少1种磺酸类和水的组合物。
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公开(公告)号：CN1300641C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN03108247.5
申请日：2003-03-21
Applicant: 关东化学株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H05K3/06
CPC classification number: H01L21/02063 , G03F7/423
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其在半导体电路元件的制造过程中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对阻挡层金属、层间绝缘膜材料产生损伤地进行光致抗蚀剂残渣的除去。该光致抗蚀剂残渣除去液组合物含有：一种或两种以上氟化合物、和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，但是该组合物不包括氟化铵、极性有机溶剂、水和抗坏血酸所组成的组合物。
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公开(公告)号：CN1846173A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480024889.1
申请日：2004-08-27
IPC: G03F7/42 , H01L21/30 , H05B33/26 , G02F1/1343
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明提供一种可以适用于含有银和/或银合金的基板的光致抗蚀剂剥离液组合物，其中含有从下述的式(I)所表示的化合物、下述的式(II)所表示的化合物、下述的式(III)所表示的化合物、邻苯二酚、对苯二酚、连苯三酚、没食子酸、没食子酸酯之中选择的一种、两种或更多种、以及一种、两种或更多种极性有机溶剂，式(I)中，A、B分别相互独立地为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基，Y为NH或O的任一个，Z为NH2、OH、NH－D－NH2，其中，D为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基；式(II)中，A、B与式(I)的相同；式(III)中，R为H、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的羟基烷基或碳原子数为1～5的氨基烷基。
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公开(公告)号：CN1246739C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN02155744.6
申请日：2002-12-04
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/306 , H01L21/3213
CPC classification number: G03F7/422
Abstract: 一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其特征在于，该组合物含有从脂肪族多元羧酸及其盐组成的组中选择的一种或两种以上，和从还原性化合物及其盐组成的组中选择的一种或两种以上。该组合物在半导体电路元件的制造步骤中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对配线材料和层间绝缘膜材料产生化学浸蚀。
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公开(公告)号：CN1458256A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN03131434.1
申请日：2003-05-16
Applicant: 关东化学株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: C11D3/20
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D3/2075 , C11D7/26 , C11D11/0047
Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。
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