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公开(公告)号：CN1920671A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510092787.X
申请日：2005-08-25
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/02071 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供一种除去具有由铝或铝合金形成的金属布线的半导体基板在干蚀刻后和灰化后残留的光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣的组合物，以及使用该组合物的残渣除去方法。所述光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣除去组合物含有至少1种除氢氟酸以外的氟化合物、至少1种磺酸类和水，所述光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣的除去方法包括，其使用含有至少1种除氢氟酸以外的氟化合物、至少1种磺酸类和水的组合物。
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