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公开(公告)号：CN103201847A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180053691.6
申请日：2011-09-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种在单晶硅基板表面具有纹理构造的太阳能电池，涉及以在该基板的表面近旁具有基于单晶硅基板制作时的切割加工历史的破损层的太阳能电池，根据本发明，基于单晶硅基板表面近旁存在的基板制作时的切割加工历史的破损层作为吸附站实现功能，对基板的少数载流子的寿命提高有贡献。根据该效果，太阳能电池特性飞跃性地提高。此外，不是重新附加破损，而是利用切割所带来的破损，所以不增加工时。
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公开(公告)号：CN101167191B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680013998.2
申请日：2006-04-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 直江津电子工业株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101506992A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780028838.X
申请日：2007-07-12
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L31/022425 , C03C8/14 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L31/05 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法，该半导体基板是至少形成有电极的半导体基板，上述电极是具有二层以上的多层构造，上述多层构造之中，至少与上述半导体基板直接接合的第一电极层是至少含有银与玻璃料，以及含有钛、铋、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、硅、铝、锗、锡、铅、锌的氧化物中的至少一种来作为添加物；形成于上述第一电极层上的电极层之中，至少与配线接合的最表层的电极层是至少含有银和玻璃料，而未含有上述添加物。借此，于半导体基板上形成一种电极，可减少接触电阻与配线电阻，且具有充分的与半导体基板接着的强度以及通过焊锡而与配线接着的强度。
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公开(公告)号：CN100444414C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510116112.4
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/304
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。本发明还描述了根据该制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101167191A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680013998.2
申请日：2006-04-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 直江津电子工业株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101164173A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013914.5
申请日：2006-04-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/223 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池，该制造方法是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在第一导电型半导体基板上，涂布含有掺杂剂的第一涂布剂，然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层；该第一扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域；该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成，其导电率低于该第一扩散层。由此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，而能够提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池，可以简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1291502C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN02806810.6
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。
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公开(公告)号：CN1779995A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510116112.4
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/304
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。
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公开(公告)号：CN110073499B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201680090769.4
申请日：2016-11-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , C08G73/10
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其特征在于具备：备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域，接在前述发射领域的射极电极，具有前述第1导电型的基极领域，接在前述基极领域的基极电极，与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池，前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成；前述绝缘膜在TOF‑SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此，可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN117613134A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311207172.1
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块和发电系统。该太阳能电池的制造方法具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成基底层的步骤，在基底层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去第一主表面的扩散屏蔽的处所，形成射极层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。
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