公开(公告)号：CN1666325A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815406.4

申请日：2003-07-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 星野孝志 ,  原田真 ,  藤川一洋 ,  初川聪 ,  弘津研一

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明的纵向JFET1a配备n+型漏极半导体部(2)、n型漂移半导体部(3)、p+型栅极半导体部(4)、n型沟道半导体部(5)、n+型源极半导体部(7)、和p+型栅极半导体部(8)。n型漂移半导体部(3)设置在n+型漏极半导体部(2)的主面上，具有沿与该主面交叉的方向延伸的第1～第4区域(3a－3d)。p+型栅极半导体部(4)设置在n型漂移半导体部(3)的第1～第3区域(3a－3c)上。n型沟道半导体部(5)沿p+型栅极半导体部(4)设置，电连接于n型漂移半导体部(3)的第4区域(3d)上。

公开(公告)号：CN1194416C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN00817600.0

申请日：2000-12-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7722 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种SiC制的横向JFET，它使用n型SiC衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向JFET包括：n型SiC衬底(1n)；p型SiC膜(2)，被形成在n型SiC衬底的正面上；n型SiC膜(3)，被形成在p型SiC膜上，包含沟道区(11)；源区、漏区(22，23)，被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧；以及栅极(14)，与n型SiC衬底相接来设置。

公开(公告)号：CN111684713A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201980012307.4

申请日：2019-01-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山本诚司 ,  三上垒 ,  初川聪 ,  弘津研一

IPC: H02S50/00 ,  G05D3/00 ,  H01L31/054 ,  H02S20/10 ,  H02S20/32

Abstract: 一种光伏设备，包括：聚光器光伏面板；驱动装置，其被配置为改变光伏面板的姿势；电流检测单元，其被配置为检测光伏面板的输出电流；以及控制单元，其被配置为当基于电流检测单元的检测结果判定在太阳的跟踪期间光伏面板没有正在发电时，使驱动装置执行太阳跟踪移位操作。

公开(公告)号：CN102648587A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201080034453.6

申请日：2010-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 引原隆士 ,  宅野嗣大 ,  弘津研一 ,  下口刚史 ,  柴田俊和 ,  筑野孝 ,  初川聪

IPC: H04B3/54 ,  H04Q9/00

CPC classification number: H04B3/56 ,  H04B3/54 ,  H04B2203/5416 ,  H04B2203/5458 ,  H04B2203/547

Abstract: 在要安装在诸如家用电器的电气设备中，以更简化且更便宜的电路配置实现电力线通信的传输功能。电力线通信装置被配置成使得存在于与电力线连接的电路上的半导体开关元件(Sx)由调制单元(12)驱动。该调制单元(12)通过控制半导体开关元件(Sx)的ON/OFF状态来在规定的时期将调制后的矩形波通信信号输出至电力线。

公开(公告)号：CN1243373C

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN00818361.9

申请日：2000-09-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0843 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种面结型场效应晶体管及其制造方法，可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管(JFET)。该JFET包括：第二导电型的栅极区域(2)，其设在半导体基片的表面；第一导电型的源极区域(1)；第一导电型的通道区域(10)，其与源极区域连接；第二导电型的限定区域(5)，其与栅极区域连接，限定通道区域；第一导电型的漏极区域(3)，其设在背面；第一导电型的漂移区域(4)，其从通道向漏极在基片的厚度方向上连续。漂移区域和通道区域的第一导电型杂质的浓度低于源极区域、漏极区域的第一导电型杂质浓度及限定区域的第二导电型杂质的浓度。

公开(公告)号：CN1238904C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN02802129.0

申请日：2002-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种横向结型场效应晶体管，包括由n-型掺杂区形成的n-型半导体层(3)和在n-型半导体层(3)上由p-型掺杂区形成的p-型半导体层。另外，在p-型半导体层中设置延伸到n-型半导体层(3)中的p+-型栅区层(7)，它含有p-型杂质，杂质浓度高于n-型半导体层(3)的杂质浓度，还设置n+-型漏区层(9)，与p+-型栅区层(7)隔开预定的距离，它们含有n-型杂质，杂质浓度高于n-型半导体层(3)的杂质浓度。采用这种结构，可以提供横向结型场效应晶体管在保持较高击穿电压特性的同时，使导通电阻被进一步减小。

公开(公告)号：CN1496587A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN02802129.0

申请日：2002-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种横向结型场效应晶体管，包括由n－型掺杂区形成的n－型半导体层(3)和在n－型半导体层(3)上由p－型掺杂区形成的p－型半导体层。另外，在p－型半导体层中设置延伸到n－型半导体层(3)中的p+－型栅区层(7)，它含有p－型杂质，杂质浓度高于n－型半导体层(3)的杂质浓度，还设置n+－型漏区层(9)，与p+－型栅区层(7)隔开预定的距离，它们含有n－型杂质，杂质浓度高于n－型半导体层(3)的杂质浓度。采用这种结构，可以提供横向结型场效应晶体管在保持较高击穿电压特性的同时，使导通电阻被进一步减小。