显示装置及其制备方法
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114864647B

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202210506912.0

    申请日:2019-08-23

    Abstract: 一种显示装置及其制备方法。该显示装置包括衬底基板以及形成在衬底基板上的至少一个像素电路。像素电路包括驱动晶体管、第一晶体管以及第二晶体管;衬底基板包括可掺杂的半导体主体以及位于半导体主体之上的第一导电层以及第二导电层;第一晶体管包括与第一晶体管的第一极接触的第一掺杂区,与第一晶体管的第二极接触的第二掺杂区,第一晶体管的第一掺杂区与第一晶体管的第二掺杂区彼此间隔开、掺杂类型相同且都位于半导体主体中;第一晶体管还包括与第一掺杂区接触的漂移掺杂区,第一晶体管的漂移掺杂区与第一晶体管的第二掺杂区彼此间隔开、掺杂类型相同且都位于半导体主体中。该显示装置可以降低或避免被高电压击穿的风险。

    一种显示面板及其制作方法、显示装置

    公开(公告)号:CN112820203B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN201911116534.X

    申请日:2019-11-15

    Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置。涉及显示技术领域,为解决将指纹识别模组集成在显示面板内部时,存在的指纹识别精度低的问题。所述显示面板包括基底,设置在基底上的驱动电路层,以及设置在驱动电路层背向基底的一侧的多个像素单元;每个像素单元均包括至少两个子像素;显示面板还包括:设置在所述基底上的遮光层,遮光层上设置有多个成像小孔,成像小孔在基底上的正投影,位于目标子像素在基底上的正投影的周边预设范围内,目标子像素的发光效率小于阈值。本发明提供的显示面板用于显示。

    显示装置及其制备方法
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112740421B

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN201980001449.0

    申请日:2019-08-23

    Abstract: 一种显示装置(100)及其制备方法。该显示装置(100)包括衬底基板(600)以及形成在衬底基板(600)上的至少一个像素电路。像素电路包括驱动晶体管(140)、第一晶体管(110)以及第二晶体管(120);衬底基板(600)包括可掺杂的半导体主体(330)以及位于半导体主体(330)之上的第一导电层(310)以及第二导电层(320);第一晶体管(110)包括与第一晶体管(110)的第一极(DE1)接触的第一掺杂区(DR1),与第一晶体管(110)的第二极(SE1)接触的第二掺杂区(SR1),第一晶体管(110)的第一掺杂区(DR1)与第一晶体管(110)的第二掺杂区(SR1)彼此间隔开、掺杂类型相同且都位于半导体主体(330)中;第一晶体管(110)还包括与第一掺杂区(DR1)接触的漂移掺杂区(DF1),第一晶体管(110)的漂移掺杂区(DF1)与第一晶体管(110)的第二掺杂区(SR1)彼此间隔开、掺杂类型相同且都位于半导体主体(330)中。该显示装置(100)可以降低或避免被高电压击穿的风险。

    金属氧化物薄膜晶体管及显示面板

    公开(公告)号:CN117546302A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202280000656.6

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管,该金属氧化物薄膜晶体管包括:设置在衬底基板(101)上的金属氧化物半导体层(102)以及与所述金属氧化物半导体层(102)接触的源极(103)和漏极(104);所述金属氧化物半导体层(102)为叠层结构,叠层结构至少包含第一半导体层(1021)和第二半导体层(1022),所述第一半导体层(1021)的载流子迁移率高于所述第二半导体层(1022)的载流子迁移率;所述金属氧化物半导体层(102)包括下表面(102a)、上表面(102b)以及侧表面(102c),所述源极(103)与所述侧表面(102c)和上表面(102b)接触;至少在所述侧表面(102c)与所述源极(103)或所述漏极(104)接触的区域包括位于所述第一半导体层(1021)的第一接触区域(105)和位于所述第二半导体层(1022)的第二接触区域(106);其中,所述金属氧化物半导体层(102)中第一接触区域(105)和第二接触区域(106)具有如下形状:所述形状具有所述金属氧化物半导体层(102)的下表面(102a)与第一接触区域(105)的侧表面(102c)之间呈第一角度,以及所述金属氧化物半导体层(102)的下表面(102a)与第二接触区域(106)的侧表面(102c)之间呈第二角度;所述第一角度大于所述第二角度。第一角度大于所述第二角度,使得载流子迁移率较高的膜层的侧面面积尽可能小,侧面沟道区域缺陷尽可能小。

    显示基板及显示装置
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111653591B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202010520235.9

    申请日:2020-06-09

    Abstract: 本公开提供了一种显示基板及显示装置,属于显示技术领域。显示基板包括:衬底基板,具有多个沿第一方向间隔交替设置的透明区域和显示区域;多个像素,在衬底基板上且位于显示区域,显示区域中的像素沿第二方向排列,像素包括多个子像素,像素中的子像素分为2排子像素,每排子像素均沿着第一方向排列,第一方向和第二方向相交;多根栅线和多根数据线,位于衬底基板上,多根栅线沿第一方向延伸,多根数据线沿第二方向延伸;第一像素的多个子像素连接相同的栅线,与第一像素的多个子像素连接的栅线位于第一像素的2排子像素之间,第一像素为多个像素中的任一个。

    显示装置及其制备方法
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116994527A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310984279.0

    申请日:2019-08-23

    Abstract: 一种显示装置(100)及其制备方法。显示装置(100),包括衬底基板(600)以及形成在衬底基板(600)上的至少一个像素电路;像素电路包括驱动晶体管(140)、第一晶体管(110)以及第二晶体管(120);驱动晶体管(140)包括控制极(143)、第一极(141)和第二极(142),且被配置为,根据驱动晶体管(140)的控制极(143)的电压,控制流经驱动晶体管(140)的第一极(141)和驱动晶体管(140)的第二极(142)的用于驱动发光元件(LE)发光的驱动电流;第一晶体管(110)包括第一有源区(114),第二晶体管(120)包括第二有源区(124),驱动晶体管(140)包括第四有源区(144),第一有源区(114)以及第二有源区(124)中的至少一个的掺杂浓度大于第四有源区(144)的掺杂浓度。显示装置可以提高驱动发光元件进行发光的均匀性。

    图像数据处理装置、方法及显示面板

    公开(公告)号:CN116913211A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310945045.5

    申请日:2023-07-28

    Abstract: 本公开提供一种图像处理装置、方法及显示面板。本公开的图像处理装置包括计算单元被配置为基于所接收到的第n帧图像数据计算所述第n帧图像的平均显示亮度;获取单元被配置为响应于第n帧图像的平均显示亮度与第n‑1帧图像的平均显示亮度的差值小于或者等于第一阈值的情况,获取第n‑1帧图像分别在多个预设移动方向移动后得到的每帧移动图像的平均显示亮度;调整单元被配置为响应于第n帧图像的平均显示亮度与其中任一帧所述移动图像的平均显示亮度相等的情况,获取第n帧图像所显示的图像内容的累计显示时长,并根据累计显示时长对所述第n帧图像的亮度进行调整。本发明可有效进行静态图像的降低亮度,同时保留图像移动带来的好处。

    显示装置及其制备方法
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112740317B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201980001452.2

    申请日:2019-08-23

    Abstract: 一种显示装置(100)及其制备方法。显示装置(100),包括衬底基板(600)以及形成在衬底基板(600)上的至少一个像素电路;像素电路包括驱动晶体管(140)、第一晶体管(110)以及第二晶体管(120);驱动晶体管(140)包括控制极(143)、第一极(141)和第二极(142),且被配置为,根据驱动晶体管(140)的控制极(143)的电压,控制流经驱动晶体管(140)的第一极(141)和驱动晶体管(140)的第二极(142)的用于驱动发光元件(LE)发光的驱动电流;第一晶体管(110)包括第一有源区(114),第二晶体管(120)包括第二有源区(124),驱动晶体管(140)包括第四有源区(144),第一有源区(114)以及第二有源区(124)中的至少一个的掺杂浓度大于第四有源区(144)的掺杂浓度。显示装置可以提高驱动发光元件进行发光的均匀性。

    显示基板和显示装置
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116635816A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202280002567.5

    申请日:2022-07-19

    Abstract: 一种显示基板和显示装置。该显示基板包括衬底基板、遮光层、栅极层和源漏金属层;衬底基板包括显示区和周边区;遮光层位于衬底基板上;栅极层位于遮光层远离衬底基板的一侧;源漏金属层位于栅极层远离遮光层的一侧;显示区包括多条信号线,周边区包括引线区和绑定区;引线区包括多条引线,多条引线与多条信号线相连,并在引线区沿第一方向延伸至绑定区;多条引线分布在遮光层、栅极层和源漏金属层之中。由此,该显示基板可利用遮光层、栅极层和源漏金属层这三个导电层来形成和设置上述的多条引线,以降低引线区在竖直方向上的尺寸,进而可实现窄边框设计和全面屏设计。

    显示基板和显示面板
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116097421A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202180002384.9

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 一种显示基板和显示面板,该显示基板包括分别设置在显示区域(AA)的彼此相对的第一侧和第二侧的第一栅驱动电路(G1)和第二栅驱动电路(G2);第一栅扫描驱动电路(G1)包括沿第一方向排布的多个第一移位寄存器单元(G11),每个第一移位寄存器单元(G11)包括第一薄膜晶体管(T1),第一薄膜晶体管(T1)包括第一有源层(T11),第一有源层(T11)包括金属氧化物半导体材料;第二栅扫描驱动电路(G2)包括沿第一方向排布的多个第二移位寄存器单元(G21),每个第二移位寄存器单元(G21)包括与第一薄膜晶体管(T1)具有相同功能的第二薄膜晶体管(T2),第二薄膜晶体管(T2)包括第二有源层(T21),第二有源层(T21)包括金属氧化物半导体材料;至少一个第一薄膜晶体管(T1)的平均开启电流为Ion1,至少一个第二薄膜晶体管(T2)的平均开启电流为Ion2,Ion1>Ion2。该显示基板的制备过程更简单,同时具有较好的显示效果。

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