-
公开(公告)号：CN102681261A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110366968.2
申请日：2011-11-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , G03F7/00 , G03F7/38 , G03F7/004
摘要： 本发明公开了一种隔垫物制造方法，包括：在基板上涂布一层光刻胶，放入烤箱烘烤，烤箱中设有冷却触点，冷却触点温度低于烘烤温度，冷却触点接触光刻胶，一段时间后冷却触点移走，光刻胶在与冷却触点接触的位置形成突起；将基板移出烤箱，对基板上的光刻胶进行无掩膜板的低曝光量曝光和显影，以去除突起以外的光刻胶，基板上保留的突起即为隔垫物。本发明提供一定的温度差在正性光刻胶表面，形成表面张力梯度，使光刻胶向形成隔垫物的区域流动，该区域膜厚增大，其他部位膜厚变小，再经低曝光量曝光、显影后得到隔垫物图形，无需使用掩膜板，降低成本；节省了量产中掩膜板对位时间，提高生产效率；避免了掩膜板对位不精确造成的不良，提高良品率。
-
公开(公告)号：CN102655095A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110147134.2
申请日：2011-06-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/77 , G03F1/00 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/66765 , G03F7/70425 , H01L21/0274 , H01L21/32139 , H01L29/41733 , H01L29/7869 , H01L51/0018 , H01L51/0545 , H01L51/102
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及阵列基板的制造方法，涉及薄膜晶体管液晶显示技术领域，解决了现有底栅顶接触结构薄膜晶体管制造工艺中所使用的掩膜版套数较多，导致该薄膜晶体管制造成本较高的问题。本发明实施例在制造薄膜晶体管时，由于用于制备源/漏电极和图案化有源层的掩膜版上具有对应沟道区域的宽度小于曝光机分辨率的缝隙，通过增大曝光量，可正常形成源/漏电极；再使用该掩膜版，通过减小曝光量，可形成所需形状的有源层。由于形成源/漏电极及图案化有源层时共用一套掩膜版，因此，降低了薄膜晶体管及阵列基板的制造成本。本发明实施例主要用于制备液晶显示器或电子纸显示器。
-
公开(公告)号：CN102649037A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110113974.7
申请日：2011-05-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： B01J13/10 , B01J13/206 , C09D11/10
摘要： 本发明提供一种电子墨水微胶囊及其制作方法，所述电子墨水微胶囊包括明胶、聚阴离子以及电泳悬浮液，所述聚阴离子为苯乙烯-马来酸酐-甲基丙烯酸六氟丁酯-乙烯基三乙氧基硅烷四元共聚物的水解物。该电子墨水微胶囊可以避免涂布在背板表面的粘合剂产生缩孔以及不能润湿背板的缺陷，进而提高产品的良率；同时可以提高微胶囊囊壁的热稳定性和化学稳定性，进而提高微胶囊对电泳悬浮液的阻隔性，而且可以避免电泳粒子和染料的变质。
-
公开(公告)号：CN102629051A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201110231235.8
申请日：2011-08-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1335 , G02F1/1333 , H01L21/77
摘要： 本发明涉及液晶显示器领域，提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。本发明的阵列基板包括：形成在钝化层表面上的至少一个反射区；其中，反射区包括形成在钝化层表面上的反射层以及形成在反射层表面上的反射面。与现有技术相比，本发明最大的特点是在不增加构图工艺的条件下，在显示区域表面形成了可漫反射外界光线的反射区，使得显示器件在工作时可以充分利用外界的光线，为显示区域增加了额外的光照，从而提升了显示器件在阳光下的显示效果。
-
公开(公告)号：CN102627409A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201110418609.7
申请日：2011-12-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： C03C17/22
摘要： 本发明实施例提供一种制备碳纳米管薄膜的方法。涉及液晶面板制造领域，无需与ITO进行复合就可达到透过率和电导率要求，且工艺简便。制备碳纳米管薄膜的方法，包括：清洗基板；将清洗后的所述基板浸入硅烷偶联剂中进行表面硅烷化处理；将表面硅烷化处理后的所述基板置于碳纳米管分散液中，以便在所述基板上仿生合成碳纳米管薄膜；其中，所述碳纳米管分散液由碳纳米管、含有磺酸盐的聚合物和含有羧基的纤维素类聚合物溶液、全氟阳离子型表面活性剂混合所得；对所述基板进行脱除有机物处理。本发明实施例用于制备碳纳米管薄膜。
-
公开(公告)号：CN102944908B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210385059.8
申请日：2012-10-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02B5/20 , G02F1/1335 , G02F1/1339 , G02F1/1333
摘要： 本发明涉及显示技术领域，提供了一种彩色滤光片、其制备方法及液晶显示装置。本发明的彩色滤光片，包括基板、黑色矩阵层、彩色滤光层、平坦化导电层和隔垫物，所述平坦化导电层由层状双羟基氢氧化物剥离液形成。本发明所述彩色滤光片采用平坦化导电层来替代传统彩色滤光层上的平坦保护层和导电层。本发明在制备彩色滤光片的方法中，将形成导电层工艺和形成平坦保护层的工艺合并为一步工艺，这样不仅减少了溅射导电层的工艺成本，而且使用层状双羟基氢氧化物剥离液作为平坦化导电层降低了材料用费，极大的节约了成本。
-
公开(公告)号：CN103000245B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210510021.9
申请日：2012-12-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01B1/04 , H01B13/00 , G02F1/1343
摘要： 本发明提供了一种石墨烯金属混合电极材料，其为石墨烯单层纳米片与金属或金属氧化物的复合物。本发明石墨烯单层纳米片通过石墨剥离而成，同时采用超声和机械搅拌法与金属材料良好结合，石墨烯的分布均匀且形成导电网络，可以有效提高电极的电化学活性，有效降低电荷转移电阻。本发明石墨烯金属混合电极在具备性能优良的前提下，降低了工艺和设备成本，可以用来代替液晶显示器的ITO导电层。
-
公开(公告)号：CN102983103B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210530381.5
申请日：2012-12-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置，方法包括：在玻璃基板上，形成一层透明导电薄膜，形成一层栅金属薄膜，通过一次构图工艺形成包括栅电极、栅线和第一透明电极的图形；形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和钝化层薄膜，通过一次构图工艺形成包括半导体层和钝化层的图形；形成第二透明导电薄膜，之后形成源漏电极金属薄膜，通过一次构图形成包括源电极、漏电极、TFT沟道、数据线以及第二透明电极的图形。利用灰色调或者半灰调掩模板技术，在薄膜晶体管阵列基板的制作过程中，通过三次构图工艺制作完成有机薄膜晶体管阵列基板，用到的掩模板数量少，生产效率高且生产成本低。
-
公开(公告)号：CN102627409B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110418609.7
申请日：2011-12-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： C03C17/22
摘要： 本发明实施例提供一种制备碳纳米管薄膜的方法。涉及液晶面板制造领域，无需与ITO进行复合就可达到透过率和电导率要求，且工艺简便。制备碳纳米管薄膜的方法，包括：清洗基板；将清洗后的所述基板浸入硅烷偶联剂中进行表面硅烷化处理；将表面硅烷化处理后的所述基板置于碳纳米管分散液中，以便在所述基板上仿生合成碳纳米管薄膜；其中，所述碳纳米管分散液由碳纳米管、含有磺酸盐的聚合物和含有羧基的纤维素类聚合物溶液、全氟阳离子型表面活性剂混合所得；对所述基板进行脱除有机物处理。本发明实施例用于制备碳纳米管薄膜。
-
公开(公告)号：CN102637577B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110084084.8
申请日：2011-04-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种显示器件的制备方法，所述方法包括下述步骤：将超薄玻璃基板贴附于玻璃基板上；在所述超薄玻璃基板上进行显示器件的制备；制备完成后，取下所述超薄玻璃基板进行封装。本发明通过将超薄玻璃基板贴附于玻璃基板上，直接制备以超薄玻璃基板为载体的显示器件，避免了对现有生产设备的技术改造，大大提高了显示器件制备的成品率，且较易实现，节约了显示器件的制备成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
219 条记录 (耗时 0.043 秒)
