公开(公告)号：CN102751044A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210229192.4

申请日：2012-07-03

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 丁发柱 ,  古宏伟 ,  张腾 ,  王洪艳 ,  屈飞 ,  戴少涛 ,  邱清泉

IPC: H01B13/00

Abstract: 一种YBa2Cu3O7-x（YBCO）涂层导体的制备方法。首先把乙酸钇Y(CH3COO)3、乙酸钡Ba(CH3COO)2和乙酸铜Cu(CH3COO)2按照Y：Ba：Cu=1.2-1.5：2：3的摩尔比混合溶于10-30mol℅三氟乙酸的水溶液中；搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶；再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶；随后加入适量甲醇和松油醇，制成Y、Ba和Cu三种金属离子总浓度为1.5-3.0mol/L的溶液，搅拌均匀后再加入三种金属总离子摩尔浓度的5%－10%的乙酰丙酮铈，制备成前驱液；然后将前驱液涂覆在基片上；涂覆好的薄膜先经历300°C-500°C的低温热处理过程，分解三氟乙酸盐；最后经历750°C-850°C高温热处理和450°C-550°C的退火过程形成含有纳米氧化钇和纳米铈酸钡的YBCO超导复合膜。本发明制备的YBCO薄膜的临界电流密度到达5MA/cm2（77K,0T）。

公开(公告)号：CN102584204A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210030615.X

申请日：2012-02-12

Applicant: 中国科学院电工研究所 ,  苏州新材料研究所有限公司

Inventor： 丁发柱 ,  古宏伟 ,  张腾 ,  屈飞 ,  戴少涛 ,  邱清泉 ,  蔡渊 ,  贺昱旻

IPC: C04B35/45 ,  C04B35/622

Abstract: 一种YBCO超导复合薄膜的制备方法。首先配制前驱液，把乙酸钇Y(CH3COO)3、乙酸钡Ba(CH3COO)2和乙酸铜Cu(CH3COO)2按照Y∶Ba∶Cu＝1∶2∶3的摩尔比混合溶于10-30mol％三氟乙酸的水溶液中；搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶；再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶；随后加入适量甲醇和松油醇，制成Y、Ba和Cu三种金属离子总浓度为1.5-3.0mol/L的溶液，搅拌均匀后再加入三种金属总离子摩尔浓度的10％-15％的乙酰丙酮锆和乙酰丙酮钛，制备成前驱液；然后将前驱液涂覆在基片上；涂覆好的薄膜先经历300℃-500℃的低温热分解过程，分解三氟乙酸盐；最后经历800℃-880℃高温热处理和450℃-550℃的退火过程形成含有纳米钛酸钡和纳米锆酸钡的YBCO超导复合膜。本发明制备的YBCO薄膜的临界电流密度到达7MA/cm2(77K，0T)。

公开(公告)号：CN119881757A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510084939.9

申请日：2025-01-20

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 董浩 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  黄大兴 ,  高婧涵 ,  于昊

IPC: G01R33/12

Abstract: 本发明公开了一种超导磁体励磁及背场测试装置和方法，涉及超导磁体励磁及测试技术领域，超导磁体励磁及背场测试装置包括：支撑结构和线圈，支撑结构内具有一个励磁腔和一个检测腔，励磁腔内用于设置超导磁体，检测腔内能够设置检测装置，线圈缠绕在支撑结构外并环绕励磁腔，线圈上能够通电，检测装置能够检测励磁后的超导磁体产生的磁场的强度，该超导磁体励磁及背场测试装置和方法，使超导磁体的励磁更加简便，并能够在背景磁场下对超导磁体的磁场进行检测。

公开(公告)号：CN119706754A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411908027.0

申请日：2024-12-24

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 王晓雷 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  商红静 ,  黄大兴 ,  高婧涵 ,  张琳 ,  邹琪 ,  强宇

IPC: C01B19/00 ,  H10N10/01 ,  H10N10/852

Abstract: 本发明提供了一种p型碲化铋基材料及其制备方法和应用，属于热电能源转换材料技术领域。所述p型碲化铋基材料包括基体材料和掺杂至所述基体材料晶格中的Bi元素；所述基体材料包括BiaSb1.45Te3，其中，0.55≤a≤0.58。本发明通过引入与与Te元素(电负性2.1)电负性差异较小的Bi元素(电负性2.02)来提高材料的热电性能及机械性能，电负性差异小可以使基体中Bi元素有更大的溶解度，从而改善材料的载流子浓度(Bi元素掺杂主要优化载流子浓度)和致密度，载流子浓度的增加会提高电导率，进而提高热电性能。

公开(公告)号：CN116119652B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202211315587.6

申请日：2022-10-26

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 张琳 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  商红静 ,  邹琪

IPC: H10N10/855 ,  C01B32/174 ,  C01B32/159 ,  H10N10/01 ,  H10N10/856

Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及n型掺杂单壁碳纳米管及其制备和应用、n型掺杂单壁碳纳米管热电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种n型掺杂单壁碳纳米管，包括聚乙烯吡咯烷酮共价接枝修饰的单壁碳纳米管。本发明以具有优良生理惰性和优良生物相容性的聚乙烯吡咯烷酮作为给电子还原剂，通过共价键接枝修饰单壁碳纳米管时，能够与SWCNTs游离的π电子形成C‑N共价键，为SWCNTs提供电子，从而使SWCNTs具有n型半导体特性。同时，PVP通过共价键吸附在SWCNTs表面，其作为表面活性剂，能够提高n型掺杂SWCNTs的分散性，使n型掺杂SWCNTs相互之间分散更加均匀，有利于制备形貌均匀的SWCNTs薄膜。

公开(公告)号：CN117985661A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410063717.4

申请日：2024-01-17

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 张琳 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  商红静 ,  邹琪

IPC: C01B19/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及硒纳米线的制备技术领域，尤其涉及一种硒纳米线的制备方法。本发明提供的制备方法，包括将二氧化硒、β‑环糊精和水第一混合，得到A溶液；将抗坏血酸和水第二混合，得到B溶液；将所述A溶液和B溶液第三混合后，搅拌，得到所述硒纳米线；所述搅拌后不包括静置陈化。本发明所述制备方法以二氧化硒作为硒纳米线起始物来制备目标产物，β‑环糊精作为硒纳米线成核的催化剂和表面活性剂，抗坏血酸作为反应的还原剂使所述二氧化硒还原为硒单质。与现有的制备硒纳米线的方法相比，本发明所述制备方法简单，不使用水合肼等有毒有害实际，反应原料绿色；不需要高温高压环境，反应条件温和；不需要在乙醇中静置陈化，反应时间短、高效。

公开(公告)号：CN114388195B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202210115858.7

申请日：2022-02-07

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 董浩 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  黄大兴 ,  王锴

IPC: H01B12/06

Abstract: 本发明公开一种多层YBCO超导带材剥离装置及其剥离方法，涉及高载流超导带材制备领域，通过剥离装置，将采用“面对面”方式焊接在一起的超导带连续剥离，制备具有多层YBCO的超导长带材；本发明解决了人工剥离半径难以掌控；人工剥离过程中力度难以控制；人工剥离速度不稳定等不确定因素。本发明巧妙地避开了上述人工剥离多层YBCO超导层的缺点，采用创新型剥离装置，简化了操作步骤，剥离更加稳定步骤简洁，对制备多层YBCO超导长带具有重要的意义。

公开(公告)号：CN116815121A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310735718.4

申请日：2023-06-21

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 李辉 ,  李丛梦 ,  古宏伟

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0445

Abstract: 本发明属于新材料技术领域，具体涉及一种钛酸钡铁电薄膜及其制备方法和应用。本发明采用的磁控溅射与半导体微电子技术相兼容，实现了钛酸钡铁电薄膜的低温制备，制备出薄膜晶粒尺寸较大，致密，具有量子尺寸效应的钛酸钡铁电薄膜材料，使其具有显著的铁电性能，使得钛酸钡铁电薄膜的应用空间得到了更好的发展，尤其在与薄膜太阳电池与铁电材料相结合的应用上，可以引入大剩余极化强度的铁电退极化场。

公开(公告)号：CN116716587A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310671899.9

申请日：2023-06-08

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 邹琪 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  商红静 ,  黄大兴 ,  谢波玮 ,  张琳 ,  董浩 ,  王锴

IPC: C23C14/35 ,  H10N10/01 ,  H10N10/853 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供了一种Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜及其制备方法，涉及热电薄膜制备技术领域。所述Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜的制备方法包括以下步骤：利用射频磁控溅射，将TexMg3Sb2(0.14≤x≤0.17)合金靶溅射到柔性聚酰亚胺衬底表面，得到Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜；所述溅射过程中衬底的温度为500～700℃，所述溅射的功率为70～90W。本发明采用射频溅射在聚酰亚胺衬底上实现了Te掺杂的Mg3Sb2热电薄膜的制备，本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制得薄膜有很高的结晶性，界面散射效应明显，电导率有大幅提高，制备出了热电性能优异的Te0.1Mg3Sb2薄膜。

公开(公告)号：CN116706573A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310771742.3

申请日：2023-06-28

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 黄大兴 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  董浩 ,  王锴 ,  王同鑫

IPC: H01R4/68 ,  H01R43/00

Abstract: 本发明公开了一种高温超导带材的扩散连接装置，包括压力机和扩散连接工装；压力机包括支架平台、隔热板、温控器、压力控制器以及依次连接的驱动电机、减速器、传动杆、压力传感器、隔热垫圈和压头；扩散连接工装包括压块、盖板和底座；底座安装在隔热板上，底座上设有用于放置带材的凹槽，凹槽的底面两侧设有定位凸台，底座内嵌有加热棒和第一热电偶；盖板底端设置与凹槽配合的凸块，凸块下表面设有加热槽，加热槽侧壁设有进气口，加热槽两端设有出气孔，加热槽中插设有第二热电偶；盖板上设有用于压块进入加热槽的通孔，压块下端设有用于下压带材的凸条。本发明能够实现第二代高温超导带材银层的扩散连接，简便地制备低电阻率的银扩散接头。