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公开(公告)号：CN119706754A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411908027.0
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C01B19/00 , H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明提供了一种p型碲化铋基材料及其制备方法和应用，属于热电能源转换材料技术领域。所述p型碲化铋基材料包括基体材料和掺杂至所述基体材料晶格中的Bi元素；所述基体材料包括BiaSb1.45Te3，其中，0.55≤a≤0.58。本发明通过引入与与Te元素(电负性2.1)电负性差异较小的Bi元素(电负性2.02)来提高材料的热电性能及机械性能，电负性差异小可以使基体中Bi元素有更大的溶解度，从而改善材料的载流子浓度(Bi元素掺杂主要优化载流子浓度)和致密度，载流子浓度的增加会提高电导率，进而提高热电性能。
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公开(公告)号：CN116119652B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202211315587.6
申请日：2022-10-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/855 , C01B32/174 , C01B32/159 , H10N10/01 , H10N10/856
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及n型掺杂单壁碳纳米管及其制备和应用、n型掺杂单壁碳纳米管热电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种n型掺杂单壁碳纳米管，包括聚乙烯吡咯烷酮共价接枝修饰的单壁碳纳米管。本发明以具有优良生理惰性和优良生物相容性的聚乙烯吡咯烷酮作为给电子还原剂，通过共价键接枝修饰单壁碳纳米管时，能够与SWCNTs游离的π电子形成C‑N共价键，为SWCNTs提供电子，从而使SWCNTs具有n型半导体特性。同时，PVP通过共价键吸附在SWCNTs表面，其作为表面活性剂，能够提高n型掺杂SWCNTs的分散性，使n型掺杂SWCNTs相互之间分散更加均匀，有利于制备形貌均匀的SWCNTs薄膜。
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公开(公告)号：CN117985661A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410063717.4
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及硒纳米线的制备技术领域，尤其涉及一种硒纳米线的制备方法。本发明提供的制备方法，包括将二氧化硒、β‑环糊精和水第一混合，得到A溶液；将抗坏血酸和水第二混合，得到B溶液；将所述A溶液和B溶液第三混合后，搅拌，得到所述硒纳米线；所述搅拌后不包括静置陈化。本发明所述制备方法以二氧化硒作为硒纳米线起始物来制备目标产物，β‑环糊精作为硒纳米线成核的催化剂和表面活性剂，抗坏血酸作为反应的还原剂使所述二氧化硒还原为硒单质。与现有的制备硒纳米线的方法相比，本发明所述制备方法简单，不使用水合肼等有毒有害实际，反应原料绿色；不需要高温高压环境，反应条件温和；不需要在乙醇中静置陈化，反应时间短、高效。
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公开(公告)号：CN114388195B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210115858.7
申请日：2022-02-07
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B12/06
Abstract: 本发明公开一种多层YBCO超导带材剥离装置及其剥离方法，涉及高载流超导带材制备领域，通过剥离装置，将采用“面对面”方式焊接在一起的超导带连续剥离，制备具有多层YBCO的超导长带材；本发明解决了人工剥离半径难以掌控；人工剥离过程中力度难以控制；人工剥离速度不稳定等不确定因素。本发明巧妙地避开了上述人工剥离多层YBCO超导层的缺点，采用创新型剥离装置，简化了操作步骤，剥离更加稳定步骤简洁，对制备多层YBCO超导长带具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN116815121A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310735718.4
申请日：2023-06-21
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C14/08 , C23C14/35 , H01L31/0216 , H01L31/0445
Abstract: 本发明属于新材料技术领域，具体涉及一种钛酸钡铁电薄膜及其制备方法和应用。本发明采用的磁控溅射与半导体微电子技术相兼容，实现了钛酸钡铁电薄膜的低温制备，制备出薄膜晶粒尺寸较大，致密，具有量子尺寸效应的钛酸钡铁电薄膜材料，使其具有显著的铁电性能，使得钛酸钡铁电薄膜的应用空间得到了更好的发展，尤其在与薄膜太阳电池与铁电材料相结合的应用上，可以引入大剩余极化强度的铁电退极化场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116716587A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310671899.9
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C14/35 , H10N10/01 , H10N10/853 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供了一种Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜及其制备方法，涉及热电薄膜制备技术领域。所述Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜的制备方法包括以下步骤：利用射频磁控溅射，将TexMg3Sb2(0.14≤x≤0.17)合金靶溅射到柔性聚酰亚胺衬底表面，得到Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜；所述溅射过程中衬底的温度为500～700℃，所述溅射的功率为70～90W。本发明采用射频溅射在聚酰亚胺衬底上实现了Te掺杂的Mg3Sb2热电薄膜的制备，本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制得薄膜有很高的结晶性，界面散射效应明显，电导率有大幅提高，制备出了热电性能优异的Te0.1Mg3Sb2薄膜。
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公开(公告)号：CN116706573A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310771742.3
申请日：2023-06-28
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开了一种高温超导带材的扩散连接装置，包括压力机和扩散连接工装；压力机包括支架平台、隔热板、温控器、压力控制器以及依次连接的驱动电机、减速器、传动杆、压力传感器、隔热垫圈和压头；扩散连接工装包括压块、盖板和底座；底座安装在隔热板上，底座上设有用于放置带材的凹槽，凹槽的底面两侧设有定位凸台，底座内嵌有加热棒和第一热电偶；盖板底端设置与凹槽配合的凸块，凸块下表面设有加热槽，加热槽侧壁设有进气口，加热槽两端设有出气孔，加热槽中插设有第二热电偶；盖板上设有用于压块进入加热槽的通孔，压块下端设有用于下压带材的凸条。本发明能够实现第二代高温超导带材银层的扩散连接，简便地制备低电阻率的银扩散接头。
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公开(公告)号：CN116646170A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310772657.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开了一种超导磁体的绕制方法，涉及超导磁体技术领域，包括以下步骤：(1)准备无金属保护层的REBCO带材；(2)准备一根金属管，并加热金属管；(3)使得REBCO带材的银层与金属管连接在一起；(4)夹紧REBCO带材的基带和缓冲层，转动金属管，在金属管上绕制形成第一线圈；(5)当第一线圈缠绕到设定的匝数后，停止转动金属管；并截断REBCO带材；(6)重复步骤(3)‑(5)在金属管上缠绕得到第二线圈；(7)在第一线圈和第二线圈的周向外侧面镀银；(8)对第一线圈和第二线圈进行氧化退火热处理。本发明大幅降低了超导磁体绕制形成的超导磁体的体积和外径，绕制得到的超导磁体的结构更加紧凑，且能够产生更高的磁场强度。
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公开(公告)号：CN115386835A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210959754.4
申请日：2022-08-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种柔性锑化镁薄膜及其制备方法和应用、柔性热电器件的制备方法，涉及热电功能薄膜技术领域。本发明提供的柔性锑化镁薄膜的制备方法，包括以下步骤：以Mg3Sb2合金靶作为磁控溅射靶，在柔性衬底表面进行磁控溅射，得到柔性锑化镁薄膜。本发明采用磁控溅射法在柔性衬底上实现了柔性锑化镁薄膜的制备，使得柔性锑化镁薄膜的界面散射效应和量子尺寸效应得到更好的发挥，从而获得较高的功率因子，制备的柔性锑化镁薄膜的性能大幅提高。
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公开(公告)号：CN114156014A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111629228.3
申请日：2021-12-28
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开一种多层YBCO超导带材制备装置及制备方法，涉及超导带材制备领域，本发明提供的多层YBCO超导带材制备装置及制备方法均将两个超导带材缠绕于柱体上，并通过将两个超导带材旋紧于柱体上，实现两个超导带体之间预紧力的施加。如此设置，该多层YBCO超导带材制备装置及制备方法能够制备的带材长度更长，且超导带体长度无需与装置长度一致，灵活性大大提高。
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