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公开(公告)号：CN103506619B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210215958.3
申请日：2012-06-26
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明属于纳米复合材料及制备和应用技术领域，特别涉及一种Fe3O4纳米磁性粒子包覆的银线及制备和应用，其为在大气环境下制备的Fe3O4纳米磁性粒子包覆的银线，银与Fe3O4质量比为1：0.5~0.01，其制备步骤：先制备出银线溶液，用双氧水进行表面处理，再将处理后的银线溶液加入三价铁与二价铁摩尔比为2：1的混合液中，共沉淀法得到Fe3O4纳米磁性粒子包覆银线的溶液，最后向其中加去离子水反复洗涤；其工艺简单，成本低廉，利于实现工业化生产；制备的复合材料，经磁铁作用，可以控制银线的取向和分布，实现各向异性导电；或形成与成排磁铁同样的条状平行排列的电路，用于电子产品领域等。
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公开(公告)号：CN101962535B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010273101.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C07D213/26 , C07D213/85 , C07D213/80 , C07D213/84 , C07D405/14 , C07D213/30 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L51/56
Abstract: 本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域，特别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性，提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如下结构。
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公开(公告)号：CN101735800B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN200910223362.6
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C07D401/10 , C09K11/06 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/00
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域，特别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性，提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如下结构。
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公开(公告)号：CN101935299B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010273094.1
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C07D213/30 , C07D213/26 , C07D213/85 , C07D213/80 , C07D213/803 , C07D405/14 , C09K11/06 , H01L51/00 , H01L51/54 , H01L51/50 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域，特别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性，提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如下结构。
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公开(公告)号：CN101935299A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010273094.1
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C07D213/30 , C07D213/26 , C07D213/85 , C07D213/80 , C07D213/803 , C07D405/14 , C09K11/06 , H01L51/00 , H01L51/54 , H01L51/50 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域，特别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性，提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如下结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101414662A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710176009.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: H01L51/00 , H01L51/54 , H01L51/50 , H01L51/30 , H01L51/46 , C07D213/53 , C07D213/78 , C07D405/14 , C09K11/06
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域，特别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性，提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如上结构。
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公开(公告)号：CN118376723A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410805158.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本申请实施例公开一种正仲氢转化催化剂催化性能的测试系统及测试方法，测试系统包括氢气源，用于输出氢气；第一正仲氢转化反应器，包含有参考催化剂；多个第二正仲氢转化反应器，第二正仲氢转化反应器包含有待测催化剂；气相色谱仪，用于检测氢气源输出的氢气经第一正仲氢转化反应器得到的第一反应气中的仲氢的峰值面积，并检测氢气源输出的氢气分别经各个第二正仲氢转化反应器得到的各第二反应气中的仲氢的峰值面积；数据处理器，用于根据所述第一反应气中的仲氢的峰值面积计算得到第一反应气的单位面积下的仲氢含量，并根据第二反应气中的仲氢的峰值面积和所述第一反应气的单位面积下的仲氢含量计算得到所述第二反应气的仲氢含量。
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公开(公告)号：CN118032561A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410241459.4
申请日：2024-03-04
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可视化低温催化剂磨损评价装置，包括用以提供载气的供气组件；与供气组件连通的用以容纳待测样品的磨损测试组件，所述磨损测试组件内的待测样品可在自身重力作用和载气带动下相互碰撞进行磨损测试；用以为磨损测试提供低温环境的冷源；与磨损测试组件连通的用以收集磨损测试时产生的细粉的细粉收集器；以及用以观察磨损测试组件内待测样品运动状态的可视化组件。该可视化低温催化剂磨损评价装置解决了现有的催化剂强度评价方式与实际工况不符，所得的评价结果无法与催化剂寿命相关联的问题。
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公开(公告)号：CN114716871B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210413630.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种改性颜料、其制备方法及应用。所述改性颜料的组成中包含水性聚氨酯改性的超支化聚酯，和颜料；其中，所述颜料被所述水性聚氨酯改性的超支化聚酯包封。通过使用该改性颜料改善了现有技术中颜料经包封后存在的色强度变差、降低印刷制品的色度等问题。此外，本发明提供的改性颜料平均粒径小(＜100nm)，分散稳定性好且颜色艳丽，耐水与耐溶剂性能好，能够满足喷墨工艺的要求。
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公开(公告)号：CN116678306A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310518039.1
申请日：2023-05-09
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: G01B7/16 , G01N23/2251
Abstract: 本发明提供一种基于取向结构的柔性应变传感器及其取向度表征方法与应用。所述柔性应变传感器包括柔性基底和嵌在基底表面的取向化结构电路；其中，所述取向化结构电路是由磁性颗粒包覆的银纳米线形成的，具有取向规律的银纳米线导电网络。通过调控不同的取向度，可以制备得到具有相应优化的灵敏度和测量范围的传感器，从而实现对传感器性能的可设计性。此外，该柔性应变传感器的制备方法简单、设备简单、耗时短、无化学污染，且可以根据需求灵活调整磁铁间距即磁场大小，获得不同程序的取向结构。本发明还提供一种有序微结构取向度的定量表征方法，实现了取向度的定量计算。本发明中柔性应变传感器在制作柔性可穿戴设备方面具有良好的应用前景。
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