公开(公告)号：CN103165512A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110418797.3

申请日：2011-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 姜海涛 ,  狄增峰 ,  张苗 ,  卞剑涛 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法，通过生长Ge组分呈梯度渐变的多个Si1-xGex过渡层及Si1-zGez停止层，在Si1-zGez停止层上生长半导体层，然后使所述半导体层与一具有绝缘层的衬底键合，最后通过智能剥离技术进行剥离，经过表面处理后制备出超薄绝缘体上半导体材料。采用本方法制备的超薄绝缘体上半导体材料具有较小的厚度，适用于较小特征尺寸的集成电路，可以提高集成电路的集成度。本发明工艺操作简单，适用于一般工业的半导体工艺。

公开(公告)号：CN102290369A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110282849.9

申请日：2011-09-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  卞剑涛 ,  姜海涛 ,  薛忠营

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种薄GOI晶片及其制备方法，本发明采用高低温生长Ge薄膜的方法，使穿透位错等缺陷被限制在一个薄层内，并结合SmartCut技术，实现了一种顶层Ge薄膜厚度几十纳米至上百纳米可控的GOI衬底的制备，该GOI衬底结合了Ge材料和SOI材料的双重特点，所形成的器件具有载流子迁移率高、寄生电容低、耐辐射效应强及简化器件隔离等特点，并且通过本方法可以制备出带有应变或完全弛豫的GOI层，以满足不同器件的需要。本发明的制备方法工艺简单，可用于大规模的工业生产。