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公开(公告)号：CN101882575A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010207716.0
申请日：2010-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法，其包括干法刻蚀SiC基体、划定欧姆接触的区域、在上述区域淀积金属层、高温退火，形成欧姆接触，其特征在于，在淀积金属层的步骤前面，增加下述步骤：①氧化步骤：对SiC基体进行氧化，形成厚度≥的氧化层；②去除欧姆接触的区域上的氧化层。采用本发明有效防止在高温退火的过程中，熔化的金属层会发生一定的横向扩展；便于严格按照设计要求制备欧姆电极；减少了寄生参量，提高了SiC器件或电路的性能。
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公开(公告)号：CN101157569B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710139335.1
申请日：2007-09-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C04B41/53
Abstract: 本发明公开了一种无损腐蚀碳化硅的方法。它应用于碳化硅(SiC)器件工艺制作领域。这种方法与通常SiC器件制作过程中使用的干法刻蚀和湿法腐蚀都不相同，它是通过对SiC晶片的选择性氧化来形成器件需要的形貌。由于不会引入干法刻蚀方法带来的损伤层，是一种真正意义上对SiC的无损伤腐蚀方法。主要工艺步骤包括在SiC晶片上淀积耐高温掩蔽层，光刻，选择腐蚀耐高温掩蔽层，高温氧化SiC晶片，去除反应生成物等。本发明的氧化的温度800℃～1450℃。使用本发明的方法时，不会损伤材料，避免了晶格损伤，减少了表面态密度。
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公开(公告)号：CN100546007C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200810054663.6
申请日：2008-03-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺，即在碳化硅器件制备过程中减小器件表面台阶高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使侧壁钝化的工艺，该工艺通过采用在碳化硅器件表面和侧面普遍生长介质材料薄膜的方法使侧壁钝化，同时填平碳化硅器件制备过程中出现的影响器件性能的凹槽、台阶以及减小器件尖角、直角等部位尖锐程度，使碳化硅器件表面平整，实现侧壁钝化，使引线处于同一平面内，防止了金属断裂，避免了尖端放电效应，同时提高了工作电压以及功率密度，减小了漏电，增加了效率。
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公开(公告)号：CN101271844A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810054663.6
申请日：2008-03-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺，即在碳化硅器件制备过程中减小器件表面台阶高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使侧壁钝化的工艺，该工艺通过采用在碳化硅器件表面和侧面普遍生长介质材料薄膜的方法使侧壁钝化，同时填平碳化硅器件制备过程中出现的影响器件性能的凹槽、台阶以及减小器件尖角、直角等部位尖锐程度，使碳化硅器件表面平整，实现侧壁钝化，使引线处于同一平面内，防止了金属断裂，避免了尖端放电效应，同时提高了工作电压以及功率密度，减小了漏电，增加了效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205092248U
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201520879476.7
申请日：2015-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种微波内匹配功率晶体管匹配电容，涉及电容技术领域。所述电容包括完成了内匹配电容正面工艺的MIM上电容组件，MIM上电容组件包括衬底，所述衬底的上表面设有金属下电极，所述衬底上设有引出通孔，所述衬底的下表面设有金属下电极引出电极，所述金属下电极引出电极的一部分穿过所述引出通孔与所述金属下电极电连接。所述电容具有耐高温，频率性能好，体积小，制作工艺简单，成本低的特点。
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公开(公告)号：CN203288569U
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201320308476.2
申请日：2013-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/673 , H01L21/677
Abstract: 本实用新型公开了一种用于存放薄晶圆片的周转存储盒，涉及专门适用于特殊物件或物料的容器、包装元件或包装件技术领域。包括盒体和盒盖，所述盒体上设有舱室平台，舱室平台为一个平滑的圆形平台，平台的直径大于薄晶圆片的直径，沿舱室平台外周的部分弧将盒体分为高低两部分，在盒体低的部分设有取放口，取放口为一条设置在舱室平台外侧的弧形凹槽，所述凹槽紧挨着舱室平台，取放口的高度大于舱室平台的高度，所述盒盖也分为高低两部分，盒盖低的部分与盒体高的部分相适配，盒盖高的部分与盒体低的部分相适配。使用所述存储盒转运薄晶圆片，能够有效保证薄晶圆片的安全且取放薄晶圆片方便。
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公开(公告)号：CN201413206Y
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200920103089.9
申请日：2009-06-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K7/06
Abstract: 本实用新型公开了一种铂铑热电偶，应用于温度测量方向。结构中包括铂铑－铂金属丝、支撑和固定铂铑－铂金属丝的套管、套管外设置的碳化硅套筒，铂铑－铂金属丝穿套管连接在套管一端的接线端子上，铂铑－铂金属丝的交连焊点固定在套管壁上开设的孔之外，关键在于，在套管开设孔的管壁位置设置凹陷的区域。采用本实用新型避免了铂铑－铂金属丝中的Pt与碳化硅套筒中的Si发生化学反应，铂铑热电偶测量结果的稳定性、可靠性提高，且其使用寿命提高了一倍。
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公开(公告)号：CN203826396U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420245891.2
申请日：2014-05-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种双极型功率晶体管基片，涉及晶体管技术领域。所述基片包括晶圆片，所述晶圆片的下表面从上到下依次设有钛金属层、镍金属层和金金属层。所述基片提高了双极型功率晶体管的背面金属与晶圆片背面的粘附性能，又保证了管芯在与管座烧结在一起时的牢固可靠，同时又避免了烧结时容易在大功率芯片背面烧结处出现空洞造成功率晶体管热斑对晶体管可靠性形成威胁的被动局面，主要适合于金金属化系统，即管座烧结处是镀金的，芯片背面金属也是以金为主要参与烧结的金属体系。
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公开(公告)号：CN202977396U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220723044.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/687
Abstract: 本实用新型公开了一种用微波类管壳装配的晶体管的高温反偏夹具，包括垫板、基板、垫脚、接头，接头固定在垫板上，垫板固定在基板上；接头通过高温导线和设置在热源外部的辅助电路相连接，垫板上设有管壳安装孔。本实用新型将辅助电路从原来的PCB板上分离出来，并置于热源外部，不但能有效保证辅助元件正常工作，而且也便于及时检测试验状况，延长了夹具的使用寿命，提高了工作效率；采用通用型的基板和多层设计，使得只需更换垫板，便可用于多种型号的样品试验，避免了整套更换，大大降低了成本。
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