一种UO2-ZrO2陶瓷燃料显微组织分析用样品的制备方法

    公开(公告)号:CN110085337B

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201910418649.8

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 本发明公开了一种UO2‑ZrO2陶瓷燃料显微组织分析用样品的制备方法,所述显微组织分析用样品采用氟化氢铵和高纯去离子水的混合溶液作为蚀刻剂,所述氟化氢铵和高纯去离子水的配比为1g:1ml;将所述混合溶液用于蚀刻UO2‑ZrO2陶瓷燃料,蚀刻后UO2‑ZrO2陶瓷燃料用于显微组织分析。本发明可以很好地显示出新型、高性能UO2‑ZrO2陶瓷燃料芯块清晰的显微组织,特别是晶粒形貌和晶界轮廓,为优化UO2‑ZrO2陶瓷燃料的制备工艺和性能改进奠定了基础;且工艺技术路线简单,工艺参数易于控制,对工艺设备和相关实验器皿无苛刻要求,易于实现。

    一种核反应堆用锆包壳表面金属涂层PVD制备工艺

    公开(公告)号:CN108796454B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201810736912.3

    申请日:2018-07-06

    Abstract: 本发明公开了一种核反应堆用锆包壳表面金属涂层PVD制备工艺,解决了现有技术制备出的涂层在涂层厚度、结合力、孔隙率上均达不到核反应堆包壳涂层材料的要求,无法应用到核反应堆包壳涂层材料的制备上的问题。本发明包括(1)对锆包壳基体进行表面前处理;(2)对锆包壳基体表面进行离子清洗;(3)在Ar气氛下,开启Cr弧靶,在锆包壳基体上形成Cr基础层;(4)调整弧电流、偏压、占空比,沉积120S~180S后形成Cr过渡层;(5)调整弧电流、偏压、占空比,沉积2h以上形成Cr超厚涂层;(6)关闭弧源,降温至80℃以下即可。本发明膜基结合力≥80N,涂层结晶度大于95%,锆基体晶粒度﹥9级,涂层锆包壳的耐腐蚀和抗高温氧化能力得到明显提高。

    一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法及其装置

    公开(公告)号:CN110428918A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201910727873.5

    申请日:2019-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法,依次包括以下工序:工序A,沉积温度为1000~1050℃,沉积压力为200~1000Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在6.5~10范围;工序B,沉积温度为1050~1100℃,沉积压力为200~1000Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在6.5~10范围;工序C,沉积温度为1050~1100℃,沉积压力为400~1500Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在6.5~10范围;工序D,沉积温度为1050~1200℃,沉积压力为400~1500Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在4~10范围。实施上述快速致密化方法的装置,包括依次连接的导气管、气体混合滞留罐、基座、限域反应器和盖板。采用本发明提供的工艺及装置获得的SiCf/SiC复合材料包壳管制备周期大幅缩短,且其具有致密度高、基体分布均匀的有益效果。

    一种在核用锆合金基底表面制备Cr涂层的制备工艺

    公开(公告)号:CN110055496A

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201910517214.9

    申请日:2019-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种在核用锆合金基底表面制备Cr涂层的制备工艺,对锆合金基底进行研磨,最后使用抛光膏在金相抛光机上进行抛光处理,打磨光滑后,对锆合金片表面油污进行清洗;置于超高真空磁控溅射设备的真空炉腔内,待真空度达到本底真空2×10-4Pa后,通入气体用偏压反溅清洗10分钟;待基片表面反溅清洗完成后,采用射频电源将Cr靶迅速起辉后,关闭挡板,对靶材表面进行预溅射10分钟,去除表面氧化物或吸附杂质;打开Cr靶挡板进行沉积Cr涂层;在不关闭真空系统条件下,锆合金随炉冷却至100℃以下,进行去应力和矫正变形处理。本发明采用的磁控溅射技术在核用锆合金基底上沉积强结合力、高厚度Cr涂层。

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