-
公开(公告)号：CN106423144B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201611023988.9
申请日：2016-11-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种碳纤维@氧化钨纳米颗粒核壳复合结构及其制备方法，属于材料制备技术领域。本发明提出的复合结构的内核是碳纤维、外壳是氧化钨纳米颗粒。本发明在真空炉中，在载气作用下，在高温下直接加热浸泡过WO3悬浊液的预氧化聚丙烯腈纤维，高产率、一步合成碳纤维@缺氧型氧化钨(WOx)纳米颗粒核壳复合结构。然后，将这种碳纤维@WOx纳米颗粒核壳复合结构在低温下、空气中退火进一步得到碳纤维@WO3纳米颗粒核壳复合结构。该方法产物密度高、组成和形貌可控，制备后可直接使用，无需后处理；且该方法具有设备和工艺简单、材料合成生长条件严格可控、产量大、成本低廉、生产过程清洁环保等优点。所获得材料是优异的可见光催化剂、电催化剂。
-
公开(公告)号：CN105858726B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610210367.5
申请日：2016-04-06
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C01G39/02
Abstract: 本发明涉及一种高产率高纯度MoO2粉体的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明在真空加热炉中，通过热蒸发气相迁移技术，以三氧化钼和硫粉为原料，在真空环境中、在载气带动下，采用非混合式的渐进反应方法，一步还原合成得到高产率、高纯度的MoO2粉末。该方法具有合成条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、成本低廉、安全、环保等优点。所获得的MoO2粉体粒度均匀、纯度高，易于存贮和再加工。这种MoO2粉体在冶金、催化剂、锂离子电池等方面具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN107293384A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710512052.0
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氧化锡基薄膜压敏电阻器的制备方法，属于电子信息材料制备及其应用技术领域。本发明技术首先在射频磁控溅射设备中，以烧结氧化锡陶瓷为基质靶材，其他金属或其氧化物为掺杂靶材，在优化的溅射工艺下，在导电衬底上沉积得到氧化锡基薄膜；然后在马弗炉中，将这种氧化锡基薄膜样品埋在压敏特性形成氧化物粉末中进行热浸；最后，在所得样品的薄膜表面和衬底上分别被电极，即获得所述氧化锡基薄膜压敏电阻器。所制备的这种氧化锡基薄膜压敏电阻非线性性能优异，压敏电压可控，在大规模或超大规模集成电路的过压保护中有广泛的应用前景。所提出器件制备方法，操作简单易行，非常适合规模化生产。
-
公开(公告)号：CN106866135A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710144733.6
申请日：2017-03-13
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C04B35/468
Abstract: 本发明涉及一种无铅高居里温度BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷及其制备方法，属于高技术功能陶瓷及其应用领域。所述陶瓷以四方钙钛矿BaTiO3相为基质，以(Bi0.5Na0.5)TiO3为提高居里温度的移峰剂，以稀土氧化物Ta2O5或Sm2O3降低室温电阻率，并且添加过渡金属氧化物MnO2来提高升阻比；所述制备方法采用一锅法制备这种无铅BaTiO3基热敏陶瓷，并采用还原‑再氧化的烧结方法来获得热敏特性优异的BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷；所述制备方法依次包括“称量→混料→球磨→烘干→煅烧→研磨过筛→造粒→压片→排胶→烧结→被电极”工艺方法和步骤。这种BaTiO3基热敏陶瓷的居里温度高、升阻比高、室温电阻率低，并且实现了无铅化，特别适合用于发热、过热与过流保护、温度监控与感应等器件。
-
公开(公告)号：CN106448975A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611030553.7
申请日：2016-11-16
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌-氧化镨薄膜压敏电阻器的制备方法，属于电子信息材料制备及其应用技术领域。本发明利用射频磁控溅射方法，以烧结氧化锌陶瓷或复合氧化锌陶瓷为基质靶材，其他金属或其氧化物为掺杂靶材，在优化的溅射工艺下，在导电基片上沉积得到低电阻率的氧化锌薄膜，然后将其埋入氧化镨粉末中进行热浸，获得氧化锌-氧化镨薄膜压敏电阻。这种薄膜压敏电阻器非线性性能优异、压敏电压可控、漏电流小、抗冲击老化和高温老化，在大规模或超大规模集成电路的过压保护中有广泛的应用前景。该方法薄膜沉积和热浸条件温和，工艺参数严格可控、可重复性好，可在大面积基片上获得组成、结构和厚度均匀的薄膜器件，适合规模化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105585044A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510685041.3
申请日：2015-10-20
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C01G3/12
CPC classification number: C01G3/12 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/64
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度CuS网络状纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用双温区真空管式炉，以硫粉为蒸发源，在真空环境中、在载气保护下，通过低温热蒸发的方法，在Cu箔上合成和生长CuS网络状纳米结构，包括CuS针状晶、墙状晶和薄片状晶等的网络状纳米结构。该方法具有制备严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、产量大、密度高、纯度高、成本低廉等优点，且无需使用任何催化剂。这类纳米结构材料可望在光催化剂、太阳能电池、锂离子电池等方面获得广泛应用。
-
公开(公告)号：CN105543972A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610102048.2
申请日：2016-02-24
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度MoO2层片状纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明在真空加热炉中，采用三氧化钼（MoO3）和硫（S）粉作为蒸发源，在真空环境中通过热蒸发的方法，在载气作用下，在基片上可控合成和生长MoO2层片状纳米结构。该方法具有反应平和、纳米材料的合成与生长条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率和纯度高、成本低廉、环保等优点。所获得的纳米结构产物密度高，纳米结构的厚度分布均匀，可望在电子器件、锂离子电池等方面获得广泛应用。
-
公开(公告)号：CN103469155B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310422712.8
申请日：2013-09-16
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度高密度WO3/S核壳结构纳米颗粒的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空管式炉，以氧化钨和硫粉为蒸发源，通过热蒸发的方法，在载气保护下，在表面平整、光洁的硅片、砷化镓片、蓝宝石片或碳化硅单晶片上，一步合成沉积得到高密度的WO3/S核壳结构纳米颗粒，其内核为单晶WO3，外壳为非晶单质S。该方法具有沉积条件严格可控、设备和工艺简单、产量大、成本低等优点。所获得的纳米结构产物纯度高，其内核和外壳的直径分布均匀，颗粒大小可控；这种纳米颗粒在压敏电阻，气体传感器和催化剂等方面有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103498191B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310422694.3
申请日：2013-09-16
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、短棒状结晶FeWO4／FeS核壳纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空管式炉，以氧化钨和硫粉为蒸发源，通过热蒸发的方法，在载气保护下，在镀有铁膜的基片上，制备得到短棒状的FeWO4／FeS核壳纳米结构，其内核为单晶FeWO4，外壳为单晶FeS。该方法具有合成生长条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、成本低廉等优点。所获得纳米结构产物纯度高，其内核和外壳的直径分布都非常均匀，直径和长度可控。所合成的纳米结构在光导纤维，传感器和催化剂等方面有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN105019029A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510376782.3
申请日：2015-06-30
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高产率制备WS2层片状纳米结构的方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空加热炉，以三氧化钨粉和硫粉作为蒸发源，在真空环境中通过分离式加热蒸发的方法，在载气带动下，高产率一步合成得到高纯度、高密度的WS2层片状纳米结构。该方法具有设备和工艺简单、材料合成与生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉等优点。所获得的WS2层片状纳米结构，厚度在50-250nm之间，直径在20-40μm之间，产物纯度高，纳米结构直径和厚度均匀，形貌可控，可望在固体润滑剂、润滑油添加剂、半导体器件以及新能源材料领域获得广泛应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
74
records
(took 0.03 seconds)
