公开(公告)号：CN1997779B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200580023975.5

申请日：2005-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  财团法人国际超电导产业技术研究中心

Inventor： 母仓修司 ,  大松一也

IPC: C30B29/22 ,  C23C14/08 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L39/2461 ,  C23C14/024 ,  C23C14/028 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明披露了薄膜材料和制造该薄膜材料的方法，用该方法能够提高形成于基板上的膜的性质。超导线材1包括基板2、形成于基板上并包括一层或至少两层的中间薄膜层(中间层3)、和形成于中间薄膜层(中间层3)上的单晶薄膜层(超导层4)。在中间薄膜层(中间层3)的至少一层中与单晶薄膜层(超导层4)相对的上表面(被研磨面10)是研磨过的。

公开(公告)号：CN100379684C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN03809275.1

申请日：2003-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 母仓修司 ,  大松一也

IPC: C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L39/24 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/225 ,  C23C14/087 ,  C23C14/28 ,  H01L39/2448

Abstract: 本发明提供了一种制造氧化物超导膜的方法，通过使用激光沉积法而在基质上形成，该方法包括用激光束辐照把，并因而使从靶中散发的物质沉积在包括单晶基质的基质上，其中将用于靶辐照的激光束的频率分成至少二步。以致可制造出具有高临界电流密度的氧化物超导膜。

公开(公告)号：CN1833295A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200480022579.6

申请日：2004-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤野刚三 ,  大松一也 ,  小西昌也 ,  母仓修司

IPC: H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L39/2454

Abstract: 一种超导线(10)，其中，超导层(3)形成在金属衬底上，该金属衬底为取向金属衬底(1)。在从表面延伸到300nm深度的表面层内，晶轴相对于取向轴的偏离角为25°或更小，并且表面被平坦化以具有150nm或更小的表面粗糙度RP－V。还公开了一种制造这种超导线的方法。由于取向金属衬底的平坦化同时保持了衬底表面层内的双轴取向，因此超导线具有高超导性能。

公开(公告)号：CN1649794A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809275.1

申请日：2003-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 母仓修司 ,  大松一也

IPC: C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L39/24 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/225 ,  C23C14/087 ,  C23C14/28 ,  H01L39/2448

Abstract: 本发明提供了一种制造氧化物超导膜的方法，通过使用激光沉积法而在基质上形成，该方法包括用激光束辐照靶，并因而使从靶中散发的物质沉积在包括单晶基质的基质上，其中将用于靶辐照的激光束的频率分成至少二步。以致可制造出具有高临界电流密度的氧化物超导膜。

公开(公告)号：CN1492940A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN01823013.X

申请日：2001-12-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  财团法人国际超电导产业技术研究中心

Inventor： 种子田贤宏 ,  藤野刚三 ,  大松一也

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  C30B23/02

CPC classification number: C23C14/225 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  C30B29/225 ,  H01L39/2461 ,  Y10T428/12493

Abstract: 本发明制造出一种具有均匀厚度并且具有一平行于基板主表面的晶轴的薄膜。在一种淀积方法中，通过从靶(12)的表面散射出一种淀积材料并且使得散射出的这种淀积材料在一基板(100)的主表面(100a)上生长而形成一薄膜。该方法包括下述步骤：将基板(100)定位成第一状态，在该状态下，一端部(100f)与靶(12)之间的距离较小，而另一端部(100e)与靶(12)之间的距离相对较大；在第一状态下在基板(100)上成形一第一薄膜(110)；将基板(100)定位成第二状态，在该状态下，一端部(100f)与靶(12)之间的距离较大，而另一端部(100e)与靶(12)之间的距离较小；以及在第二状态下在第一薄膜(110)上成形一第二薄膜(120)。

公开(公告)号：CN1030159A

公开(公告)日：1989-01-04

申请号：CN88102850

申请日：1988-04-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 浦野章 ,  高桥谦一 ,  大松一也 ,  大西正志

IPC: H01B12/04 ,  H01B13/00 ,  C04B35/00

CPC classification number: C03B37/026 ,  C03B37/027 ,  C03B37/028 ,  H01L39/248 ,  Y10S505/74 ,  Y10T29/49014

Abstract: 超导陶瓷线状体的制法包括：将超导陶瓷原料混合，然后进行成型、预烧结、粉碎工序至少一次，得到陶瓷粉。将陶瓷粉充填于玻璃管内，加热使陶瓷粉熔融，纺丝，得到线状体。然后将线状体捆束，再加热，纺丝。或者将多股超导陶瓷线状体和玻璃管包覆的多股金属丝混在一起，捆束，加热，纺丝成线状体。用化学药品除去玻璃层，进行热处理，从而形成金属基体中存在超导陶瓷的结构。上述超导陶瓷线状体具有优异的机械强度和弯曲性。