公开(公告)号：CN1215196C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN01823013.X

申请日：2001-12-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  财团法人国际超电导产业技术研究中心

Inventor： 种子田贤宏 ,  藤野刚三 ,  大松一也

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  C30B23/02

CPC classification number: C23C14/225 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  C30B29/225 ,  H01L39/2461 ,  Y10T428/12493

Abstract: 本发明制造出一种具有均匀厚度并且具有一平行于基板主表面的晶轴的薄膜。在一种淀积方法中，通过从靶(12)的表面散射出一种淀积材料并且使得散射出的这种淀积材料在一基板(100)的主表面(100a)上生长而形成一薄膜。该方法包括下述步骤：将基板(100)定位成第一状态，在该状态下，一端部(100f)与靶(12)之间的距离较小，而另一端部(100e)与靶(12)之间的距离相对较大；在第一状态下在基板(100)上成形一第一薄膜(110)；将基板(100)定位成第二状态，在该状态下，一端部(100f)与靶(12)之间的距离较大，而另一端部(100e)与靶(12)之间的距离较小；以及在第二状态下在第一薄膜(110)上成形一第二薄膜(120)。

公开(公告)号：CN1823393A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480020328.4

申请日：2004-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 母仓修司 ,  大松一也 ,  小西昌也 ,  藤野刚三

IPC: H01B13/00

CPC classification number: H01L39/2448

Abstract: 一种用于制造氧化物超导线的方法，包括在与用于氧化物制备的靶(7)最多100mm的距离(L)的位置设置金属带(6)的步骤；和采用气相淀积法在所述金属带(6)上形成氧化物超导层的步骤，同时保持所述金属带(6)与所述靶(7)之间保持最多100mm的距离(L)以5m/h或以上的速度传输所述金属带(6)。

公开(公告)号：CN100477020C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200480022579.6

申请日：2004-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤野刚三 ,  大松一也 ,  小西昌也 ,  母仓修司

IPC: H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L39/2454

Abstract: 一种超导线(10)，其中，超导层(3)形成在金属衬底上，该金属衬底为取向金属衬底(1)。在从表面延伸到300nm深度的表面层内，晶轴相对于取向轴的偏离角为25°或更小，并且表面被平坦化以具有150nm或更小的表面粗糙度RP-V。还公开了一种制造这种超导线的方法。由于取向金属衬底的平坦化同时保持了衬底表面层内的双轴取向，因此超导线具有高超导性能。

公开(公告)号：CN101180688A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680017944.3

申请日：2006-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤野刚三

IPC: H01B13/00 ,  H01B12/10

CPC classification number: H01L39/248

Abstract: 一种制造超导线的方法包括(a)通过处理用于超导的粉末材料准备超导前体粉末，(b)将超导前体粉末填入第一金属管，和(c)密封第一金属管的步骤。在此方法中，填充第一金属管的操作和密封第一金属管的操作在减小压力下的气氛中进行以可靠地实施超导粉末的脱气处理。因此，制造超导线的方法提供了优良的超导性能，尤其是临界电流。提供一种超导多芯线的制造方法，并提供了通过这些方法所制的超导设备。

公开(公告)号：CN1833295A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200480022579.6

申请日：2004-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤野刚三 ,  大松一也 ,  小西昌也 ,  母仓修司

IPC: H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L39/2454

Abstract: 一种超导线(10)，其中，超导层(3)形成在金属衬底上，该金属衬底为取向金属衬底(1)。在从表面延伸到300nm深度的表面层内，晶轴相对于取向轴的偏离角为25°或更小，并且表面被平坦化以具有150nm或更小的表面粗糙度RP－V。还公开了一种制造这种超导线的方法。由于取向金属衬底的平坦化同时保持了衬底表面层内的双轴取向，因此超导线具有高超导性能。

公开(公告)号：CN1492940A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN01823013.X

申请日：2001-12-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  财团法人国际超电导产业技术研究中心

Inventor： 种子田贤宏 ,  藤野刚三 ,  大松一也

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  C30B23/02

CPC classification number: C23C14/225 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  C30B29/225 ,  H01L39/2461 ,  Y10T428/12493

Abstract: 本发明制造出一种具有均匀厚度并且具有一平行于基板主表面的晶轴的薄膜。在一种淀积方法中，通过从靶(12)的表面散射出一种淀积材料并且使得散射出的这种淀积材料在一基板(100)的主表面(100a)上生长而形成一薄膜。该方法包括下述步骤：将基板(100)定位成第一状态，在该状态下，一端部(100f)与靶(12)之间的距离较小，而另一端部(100e)与靶(12)之间的距离相对较大；在第一状态下在基板(100)上成形一第一薄膜(110)；将基板(100)定位成第二状态，在该状态下，一端部(100f)与靶(12)之间的距离较大，而另一端部(100e)与靶(12)之间的距离较小；以及在第二状态下在第一薄膜(110)上成形一第二薄膜(120)。