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公开(公告)号：CN104954008A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510379768.9
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/20 , H03K19/094
Abstract: 本发明的硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门由一个双悬臂梁可动栅NMOS管和一个电阻构成，该NMOS管的源极接地，两个悬臂梁栅极作为信号的输入端，漏极都与电阻相接，电阻与电源电压相接；该或非门制作在P型硅衬底上，下拉电极在悬臂梁栅下的部分被在二氧化硅层覆盖，下拉电极接地；该或非门所用的悬臂梁栅MOSFET的栅极并不是直接紧贴在二氧化硅层上方，而是依靠锚区的支撑悬浮在二氧化硅层上方；悬臂梁栅的下拉电压设计的与NMOS管的阈值电压相等，当该或非门工作时，当NMOS管处于关断时其悬臂梁栅就处于悬浮态，降低了栅极漏电流，从而降低了电路的功耗。
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公开(公告)号：CN114605653B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210411061.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 东南大学 , 江苏创为交通科技发展有限公司
Abstract: 本申请公开了一种代替SBS的生物热塑性弹性体的制备方法及其应用，向环氧植物油中加入含有活泼碳碳双键的酸（酸酐）或酰胺，恒温反应得到改性环氧植物油单体；将改性环氧植物油单体通过聚合苯乙烯或其衍生物得到的聚苯乙烯型衍生物大单体，混溶于四氢呋喃，恒温聚合得到PS‑PA型热塑性弹性体；将制得的二嵌段聚合物，聚苯乙烯型衍生物大单体，混溶于四氢呋喃，恒温聚合得到PS‑PA‑PS型热塑性弹性体。本申请的一种代替SBS的生物热塑性弹性体的性能与传统热塑性弹性体接近，有效减少了丁二烯的使用，保护环境；作为改性剂可以有效改善沥青的高温性能，低温性能和抗疲劳性能；可以广泛运用于高速公路的沥青路面的铺装中。
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公开(公告)号：CN109472802B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201811415362.1
申请日：2018-11-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于边缘特征自约束的表面网格模型构建方法，可以更精确的得到地形地貌的三维信息，其思路是将二维边缘拓扑信息作为三维表面模型构建的约束条件，进行基于局部降维的带约束网格模型构建。该算法首先以目标区域的边缘特征作为拓扑约束条件，获取带约束的三维点云；然后采用基于局部降维的带约束三角剖分算法，构建基于边缘特征自约束的表面网格模型。本发明利用摄影测量技术进行土地调查，可以大大的减少外业测量的工作，为土地调查提供一条新的快捷的途径，能够广泛应用于三维山体测量、滑坡监测、沙坑容积测量等多种场合。
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公开(公告)号：CN109472802A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811415362.1
申请日：2018-11-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于边缘特征自约束的表面网格模型构建方法，可以更精确的得到地形地貌的三维信息，其思路是将二维边缘拓扑信息作为三维表面模型构建的约束条件，进行基于局部降维的带约束网格模型构建。该算法首先以目标区域的边缘特征作为拓扑约束条件，获取带约束的三维点云；然后采用基于局部降维的带约束三角剖分算法，构建基于边缘特征自约束的表面网格模型。本发明利用摄影测量技术进行土地调查，可以大大的减少外业测量的工作，为土地调查提供一条新的快捷的途径，能够广泛应用于三维山体测量、滑坡监测、沙坑容积测量等多种场合。
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公开(公告)号：CN105162419B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510379030.2
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H03B5/12
Abstract: 本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器及制备方法，用具有固支梁栅的MOS管代替传统的MOS管。固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器由交叉耦合的固支梁栅NMOS管，谐振LC回路和恒流源构成。该交叉耦合振荡器中的固支梁栅NMOS管是制作在P型Si衬底上，该固支梁栅MOS管的栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁栅，固支梁栅下方设计有下拉电极板，下拉电极板接地，固支梁栅的锚区用多晶硅制作在栅氧化层上，该交叉耦合振荡器中的固支梁栅MOS管关断时，固支梁栅是悬浮的，栅极氧化层中的场强比较小，因此该振荡器在工作时的栅极漏电流大大减小,从而使得该硅基固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器的功耗得到有效的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104935263B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510379774.4
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁开关乙类推挽功率放大器，该乙类推挽功率放大器是由三个具有悬臂梁开关N型MESFET，一个具有悬臂梁开关P型MESFET，LC回路组成。三个悬臂梁开关N型MESFET区别仅在于它们的悬臂梁开关的形状不同，第一悬臂梁开关N型MESFET(1)的悬臂梁开关为宽梁，到第二悬臂梁开关N型MESFET(19)和第三悬臂梁开关N型MESFET(20)的悬臂梁开关为窄梁。该功率放大器使用的悬臂梁开关MESFET基于GaN衬底，源极和漏极由金属和重掺杂N区形成欧姆接触构成，栅极由金属和沟道区形成肖特基接触构成，在MESFET的栅极上方悬浮着悬臂梁开关，交流信号加载在悬臂梁开关上，从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。
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公开(公告)号：CN104935300B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510380043.1
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的硅基低漏电流四悬臂梁可动栅MOS管的RS触发器由一个四悬臂梁可动栅NMOS管和两个电阻构成，该四悬臂梁可动栅NMOS管由源极，漏极，栅极组成，形成漏极‑源极‑漏极的结构，在源极和两个漏极之间分别有两个悬臂梁栅，源极左侧的两个悬臂梁栅的悬浮端之间留有一缝隙，两个悬浮端紧密相连的悬臂梁栅的位置关于该MOS管漏‑源‑漏方向对称，同样地，源极右侧的两个悬臂梁栅也是如此。在该触发器的源极左侧和右侧各有一个悬臂梁栅作为该RS触发器的输入端R和S，输出端在源极右侧的漏极和电阻之间输出，当该RS触发器工作时，当NMOS管处于关断时其悬臂梁栅就处于悬浮态，降低了栅极漏电流，从而降低了电路的功耗。
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公开(公告)号：CN106482700A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610891478.7
申请日：2016-10-12
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G01B21/28 , G06T11/206
Abstract: 本发明公开了一种草图直接成图的数字化房产面积测量方法，与目前使用的房产面积测算方法相比，具有直观、高效、灵活、便捷等优势。该方法的主要流程包括：在触控设备上手工绘制草图，草图精简自动成图，自动生成尺寸链，自动计算面积。首先，操作人员根据实际被测房产的几何形状，在智能终端上手工绘制房产的草图。然后，软件通过自动精简生成规则的且符合实际情况的房产图形，该精简过程主要有：去毛刺、DP精简、小范围自动闭合、寻找主方向，拉平到主方向，图形旋转等。最后，自动生成尺寸链，输入现场实测尺寸数据自动计算房产面积。本发明可有效提高房产面积测量的效率。
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公开(公告)号：CN105141289A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510379286.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的氮化镓基低漏电流四悬臂梁开关的RS触发器的四悬臂梁开关N型MESFET由栅极、源极和漏极组成，形成漏极-源极-漏极的结构，在源极和两个漏极之间分别有栅极存在，在每个栅极的上方有两个用钛/金/钛制作而成的对称设计的悬臂梁开关,两个悬臂梁开关的位置关于该MESFET漏极-源极-漏极方向对称，同样地，源极右侧的两个悬臂梁开关也是如此；MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触，在栅极下方的衬底中形成耗尽层，把悬臂梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等，在该RS触发器工作时，当NMESFET处于关断时其悬臂梁开关就处于悬浮态，降低了栅极漏电流，从而降低了该RS触发器的功耗。
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公开(公告)号：CN105024661A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510379387.0
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H03F3/213 , H03F3/265 , H03F2203/21139
Abstract: 本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管乙类推挽功率放大器包括三个悬臂梁栅NMOS管，一个悬臂梁栅PMOS管，恒流源和LC回路构成。三个悬臂梁栅NMOS区别仅在于它们的悬臂梁栅的形状不同，第一悬臂梁栅NMOS管(1)的悬臂梁栅为宽梁，第二悬臂梁栅NMOS管(15)，第三悬臂梁栅NMOS管(16)的悬臂梁栅为窄梁。该功率放大器的悬臂梁栅MOS管是制作在Si衬底上，其栅极是依靠锚区的支撑悬浮在栅氧化层上方的，形成悬臂梁结构。该交叉耦合的悬臂梁栅MOS管能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。
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