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公开(公告)号：CN108649932A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810487016.8
申请日：2018-05-21
Applicant: 上海空间电源研究所
Abstract: 本发明涉及一种空间宽范围占空比可调的变压器隔离驱动方法，通过采用相连的第一路变压器隔离电路和第二路变压器隔离电路，输出0%～100%占空比的驱动信号；其中，每路变压器隔离电路包含：图腾柱电路，对输入的驱动信号增强其驱动能力；脉冲变压器，与图腾柱电路的输出端通过电路连接，对增强驱动能力的驱动信号进行信号隔离；两路变压器隔离电路的脉冲变压器的输出端通过第一三极管和第一电阻串联连接，并且该两路变压器隔离电路的脉冲变压器的输出端还分别连接至开关管MOSFET的栅极和源极。本发明通过采用两路变压器隔离电路，实现输出0%～100%占空比的驱动信号；具有高集成度，且满足空间探测领域的要求。
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公开(公告)号：CN108539811A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810319309.5
申请日：2018-04-11
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明提供一种蓄电池组故障容错系统，其特征在于，包括蓄电池组和By-pass旁路；所述蓄电池组根据需要分为n组，每组蓄电池配置一个By-pass旁路；当任一蓄电池出现故障时，启动该蓄电池所在组对应的By-pass旁路，将该组蓄电池组剔除。本发明提供的蓄电池组故障容错系统根据电源系统原理和特殊架构，对系统关键单机和关键电路以及外部关键接口特点进行梳理分析，针对薄弱环节制定相应的冗余和重构方案，对充放电单元备份设计、均衡分流单元防短路设计、长串蓄电池组By-pass旁路设计进行了考虑，极大的确保了空间领域中电源系统的整体可靠性，满足了应用要求。
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公开(公告)号：CN106503374B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610966723.6
申请日：2016-10-28
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法，包含：分析器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型；确定典型数据类型对应的成员赋值语法规则；化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写成结构描述文件；生成面向器件结构描述文件的动态指针，依据描述语法规则读取结构描述文件；确定数值计算专属文件的储存排列及数据格式；以实验数据和动态指针储存的器件结构转换成模型参数、位置和维数固定数组表达得数值计算专属文件。本发明使得输入含有多个内部异质结界面、多个内部面掺杂、多个量子限制区域、多个非局域量子隧穿区域的复杂结构化合物半导体器件的结构变得可能与方便。
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公开(公告)号：CN106206825B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610802693.5
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/0687
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本发明公开了一种含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，该多结太阳电池由若干个宽禁带、中禁带、窄禁带子电池级联组成，每个子电池都具有窗口层、发射区、基区和背场层，所述的发射区采用n型子电池主体材料，窗口层采用n型材料，该窗口层材料禁带宽度大于发射区电池主体材料，该窗口层材料与发射区电池主体材料禁带宽度差不小于0.50eV，500‑900nm波长范围内光学折射率差不高于0.25。本发明提供的多结太阳电池，通过使用低光学折射率差窗口层与发射区组合，降低入射太阳光在各子电池窗口层的反射，提升各子电池的电流密度，从而显著改善多结太阳电池的性能。
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公开(公告)号：CN106248645A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610802581.X
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6428
Abstract: 本发明公开了一种多结太阳电池中各吸收层材料荧光寿命无损测量方法，具体包含：步骤1：单色光源近边激发，获得发射光子数与计数时间关系数据；步骤2：将所得关系数据结合检测系统自身响应特性数据，进行数据单指数或多指数拟合，提取发射光子寿命数据；步骤3：调整单色光源功率密度，提取发射光子寿命数据；步骤4：获得最大发射光子寿命对应的光源功率密度；步骤5：减小照射光斑面积，提取发射光子寿命数据；步骤6：获得该吸收层材料荧光寿命；步骤7：重复上述步骤，获得多结太阳电池各吸收层材料荧光寿命。本发明的方法实现了无损地对太阳电池各吸收层材料质量衡量，对太阳电池吸收层材料质量优化与改进工作具有重要的指导意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206825A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610802693.5
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/0687
CPC classification number: Y02E10/544 , H01L31/0687
Abstract: 本发明公开了一种含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，该多结太阳电池由若干个宽禁带、中禁带、窄禁带子电池级联组成，每个子电池都具有窗口层、发射区、基区和背场层，所述的发射区采用n型子电池主体材料，窗口层采用n型材料，该窗口层材料禁带宽度大于发射区电池主体材料，该窗口层材料与发射区电池主体材料禁带宽度差不小于0.50eV，500-900nm波长范围内光学折射率差不高于0.25。本发明提供的多结太阳电池，通过使用低光学折射率差窗口层与发射区组合，降低入射太阳光在各子电池窗口层的反射，提升各子电池的电流密度，从而显著改善多结太阳电池的性能。
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公开(公告)号：CN103594540B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310614565.4
申请日：2013-11-28
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/0735 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本发明公开了一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，该太阳电池发射区采用n型GaInP，其厚度为40~100nm；窗口层采用n型的AlInP或AlGaInP，其厚度为10~50nm；并采用δ掺杂，掺杂面密度为1011~1013cm-2。δ掺杂是在太阳电池的AlInP或AlGaInP窗口层和GaInP发射区的界面附近对窗口层进行δ掺杂。本发明提供的含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，在窗口层与发射区界面处对窗口层进行δ掺杂来增强载流子在太阳电池中的输运。
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公开(公告)号：CN103956512A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410210695.6
申请日：2014-05-19
Applicant: 上海空间电源研究所
CPC classification number: H01M8/2405 , H01M8/04074
Abstract: 本发明公开了一种被动排热燃料电池堆，该电池堆包含依次紧贴并列设置的第一端板、第一集流板、单极板组件、膜电极组件、若干重复单元、氢气流场板、第二集流板以及第二端板；单极板组件包含紧贴并列设置的排热板和氧气流场板；重复单元包含紧贴并列设置的双极板组件和膜电极组件；双极板组件包含紧贴并列设置的氢气流场板、排热板和氧气流场板，或包含紧贴并列设置的氢气流场板、和氧气流场板。本发明提供的被动排热燃料电池堆，实现了被动排热功能，无液体冷却剂循环回路，可省去常规电池堆结构所需的冷却剂循环泵，从而使系统部件数量减少，无运动部件，可显著提高系统的可靠性和降低能耗。
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公开(公告)号：CN114937981A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210555178.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 上海空间电源研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有时序控制功能的宇航用预充电电路，包括：主功率电路、预充电电路、预充电完成指示电路；其中，所述主功率电路与所述预充电电路并联，所述预充电电路为所述主功率电路中的P‑MOS管Q2的通断提供开关信号；所述预充电完成指示电路与所述预充电电路相连接，所述预充电完成指示电路起到充电完成指示的作用，并控制所述预充电电路的使能，避免所述预充电电路在预充电过程中工作导致的持续性震荡现象。本发明能够达到安全、可靠地抑制母线加电瞬间造成的较大浪涌电流的目的。
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公开(公告)号：CN106206824B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610802857.4
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/0687
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本发明公开了一种含有双谱段布拉格反射器的窄禁带多结太阳电池，其为基于InP衬底生长的晶格匹配窄禁带多结太阳电池，在该太阳电池结构的双谱段分别设置有布拉格反射器，该布拉格反射器由与InP衬底晶格匹配的窄禁带材料组成。本发明提供的太阳电池，通过在电池结构中引入双谱段布拉格反射器来增加窄禁带电池对未被吸收的光子的反射，实现光子再利用，增加电池光生电流，而且，布拉格反射器位于电池底部，处于外延生长的初始阶段，有效地抑制了来自衬底的缺陷，提高外延层晶格质量；从而提升太阳电池的整体性能，克服了窄禁带材料吸收系数小的缺点，显著提高了窄禁带子电池的晶格质量和光生电流，为下一代多结高效太阳电池的研制奠定了坚实的基础。
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