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公开(公告)号：CN106252463B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201610801789.X
申请日：2016-09-05
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0304
CPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种采用数字‑指数混合方式掺杂功能区的太阳电池及其制备方法，该制备方法采用数字掺杂配合指数掺杂的方式制备该太阳电池的功能区；其中，数字掺杂配合指数掺杂的方式是指：掺杂区分段进行数字式掺杂，掺杂剂的流量以数字式跃变掺入到反应室中；而在相邻的两个掺杂浓度之间采用指数式变化。本发明提供的采用数字‑指数混合掺杂方式的太阳电池，在太阳电池的主要功能层中采用该数字‑指数混合掺杂方式，以形成增强的内建电场，促进光生载流子更有效地分离。采用该结构能显著增强光生载流子的寿命，从而提高载流子的迁移率，对电池的开路电压提升尤为显著，为下一代超高效太阳电池的研制奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN106503374A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610966723.6
申请日：2016-10-28
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5009
摘要： 本发明公开复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法，包含：分析器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型；确定典型数据类型对应的成员赋值语法规则；化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写成结构描述文件；生成面向器件结构描述文件的动态指针，依据描述语法规则读取结构描述文件；确定数值计算专属文件的储存排列及数据格式；以实验数据和动态指针储存的器件结构转换成模型参数、位置和维数固定数组表达得数值计算专属文件。本发明使得输入含有多个内部异质结界面、多个内部面掺杂、多个量子限制区域、多个非局域量子隧穿区域的复杂结构化合物半导体器件的结构变得可能与方便。
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公开(公告)号：CN106252450A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610801796.X
申请日：2016-09-05
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/544 , H01L31/06875 , H01L31/0693 , H01L31/184
摘要： 本发明提供了一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法，该多结电池包含设置在多结电池末端的底电池，该底电池与衬底存在晶格失配。本发明通过在电池结构末端引入小失配底电池，降低了底电池材料的禁带宽度，提高了底电池光生电流，弥补了因底电池电流不足导致的多结电池电流失配。与此同时，小失配生长的底电池由于处于外延生长的末期，因晶格失配产生的晶格质量变差并不会对其它子电池产生影响。
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公开(公告)号：CN110048605B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910269365.7
申请日：2019-04-04
申请人： 上海空间电源研究所
摘要： 一种大功率激光恒流源驱动电路，包含多个驱动模块，每个驱动模块包含两路并联的BUCK功率电路，每一路BUCK功率电路的输入端并联在输入电压两端，每一路BUCK功率电路的输出端并联在激光载荷模块两端，为激光载荷模块供电。本发明可实现功率扩展，通过单周期内开关管在电感电流峰值与过零点时分别关断和开通实现软开关技术，并通过同步整流技术减小损耗，极大提高了此类激光驱动源的效率，解决了空间半导体激光器高品质供电问题。
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公开(公告)号：CN110048605A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910269365.7
申请日：2019-04-04
申请人： 上海空间电源研究所
摘要： 一种大功率激光恒流源驱动电路，包含多个驱动模块，每个驱动模块包含两路并联的BUCK功率电路，每一路BUCK功率电路的输入端并联在输入电压两端，每一路BUCK功率电路的输出端并联在激光载荷模块两端，为激光载荷模块供电。本发明可实现功率扩展，通过单周期内开关管在电感电流峰值与过零点时分别关断和开通实现软开关技术，并通过同步整流技术减小损耗，极大提高了此类激光驱动源的效率，解决了空间半导体激光器高品质供电问题。
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公开(公告)号：CN106248645B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610802581.X
申请日：2016-09-05
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： G01N21/64
摘要： 本发明公开了一种多结太阳电池中各吸收层材料荧光寿命无损测量方法，具体包含：步骤1：单色光源近边激发，获得发射光子数与计数时间关系数据；步骤2：将所得关系数据结合检测系统自身响应特性数据，进行数据单指数或多指数拟合，提取发射光子寿命数据；步骤3：调整单色光源功率密度，提取发射光子寿命数据；步骤4：获得最大发射光子寿命对应的光源功率密度；步骤5：减小照射光斑面积，提取发射光子寿命数据；步骤6：获得该吸收层材料荧光寿命；步骤7：重复上述步骤，获得多结太阳电池各吸收层材料荧光寿命。本发明的方法实现了无损地对太阳电池各吸收层材料质量衡量，对太阳电池吸收层材料质量优化与改进工作具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN106370630B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610802839.6
申请日：2016-09-05
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： G01N21/63
摘要： 本发明涉及一种化合物半导体双异质结结构的时间分辨光致发光谱模拟法，包含以下步骤：S1、将主导化合物半导体结构中载流子输运特性的含时半导体基本微分方程组进行含时数值离散；S2、在化合物半导体双异质结结构有/无光照情况下，建立载流子准费米势分布随时演化的数值模拟方法，并进行优化迭代；S3、建立能够模拟化合物半导体双异质结结构中不同缺陷参数、界面非局域量子隧穿光致发光谱随时演化的方法。本发明能综合考虑异质结面缺陷、跨越异质结面的非局域量子隧穿、不同材料层中不同材料内部缺陷与界面缺陷以及测试仪器自身特性对最终数值计算结果的影响。
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公开(公告)号：CN106129165B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201610801790.2
申请日：2016-09-05
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/078
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种含有双边场助效应的异质结太阳电池，该电池依次设置的宽带隙材料区、窄带隙材料区和窗口层区域。宽带隙材料区包含依次设置的宽带隙基区和未掺杂区。宽带隙基区采用AlyGa1‑yAs，0.24≤y≤0.3，厚度为10~3000nm。窄带隙材料区采用AlxGa1‑xAs，x≤0.2，厚度为10~40nm。窗口层区域采用Al(Ga)InP或AlzGa1‑zAs，z≥0.4，厚度为10~50nm。宽带隙材料区和窄带隙材料区形成了第二异质结，在该异质结两侧存在i/p‑型场助和n+/n‑型场助结构。因此，该太阳电池第二异质结的载流子输运和跨越异质结势垒的能力均得到提高，从而提高了太阳电池的利用率。
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公开(公告)号：CN103872749B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210526424.2
申请日：2012-12-10
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H02J7/35
CPC分类号： Y02E10/566
摘要： 本发明的用于卫星电源系统功率调节的拓扑电路，包括“T”型一体化主电路拓扑和逻辑控制电路拓扑；主电路拓扑包括三个功率MOS管、三个各自体二极管、一个功率二极管和一个储能电感；太阳电池阵输出通过功率二极管与负载相连进行供电；三个功率MOS管以及三个各自体二极管按照“T”型拓扑结构布局，分别与太阳阵、蓄电池和地线相连，根据逻辑控制完成太阳阵分流、蓄电池充电和放电三种功能；储能电感直接与蓄电池相连。本发明可以有效解决卫星电源系统质量功率比无法满足载荷能力的问题，同时为实现卫星电源系统的轻量化、集成化和一体化设计提供了技术基础，在卫星电源系统领域有着广泛的应用前景。
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