- 专利标题: 化合物半导体双异质结结构的时间分辨光致发光谱模拟法
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申请号: CN201610802839.6申请日: 2016-09-05
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公开(公告)号: CN106370630B公开(公告)日: 2018-11-09
- 发明人: 张玮 , 李欣益 , 陆宏波 , 张华辉 , 杨丞 , 陈杰 , 张梦炎 , 张建琴 , 郑奕
- 申请人: 上海空间电源研究所
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路2965号
- 专利权人: 上海空间电源研究所
- 当前专利权人: 上海空间电源研究所
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路2965号
- 代理机构: 上海信好专利代理事务所
- 代理商 周乃鑫; 朱成之
- 主分类号: G01N21/63
- IPC分类号: G01N21/63
摘要:
本发明涉及一种化合物半导体双异质结结构的时间分辨光致发光谱模拟法,包含以下步骤:S1、将主导化合物半导体结构中载流子输运特性的含时半导体基本微分方程组进行含时数值离散;S2、在化合物半导体双异质结结构有/无光照情况下,建立载流子准费米势分布随时演化的数值模拟方法,并进行优化迭代;S3、建立能够模拟化合物半导体双异质结结构中不同缺陷参数、界面非局域量子隧穿光致发光谱随时演化的方法。本发明能综合考虑异质结面缺陷、跨越异质结面的非局域量子隧穿、不同材料层中不同材料内部缺陷与界面缺陷以及测试仪器自身特性对最终数值计算结果的影响。
公开/授权文献
- CN106370630A 化合物半导体双异质结结构的时间分辨光致发光谱模拟法 公开/授权日:2017-02-01