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公开(公告)号:CN111893561A
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN202010621637.8
申请日:2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构,包括支撑层以及制备在所述支撑层上的层叠结构,所述层叠结构包括第一折射层和第二折射层,所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同,所述第一折射层和所述第二折射层相互交替设置;在此基础上,本发明还提供一种单晶硅生长炉,所述复合隔热结构设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上;本发明提供的复合隔热结构在热辐射波长范围表现出具有良好的热反射性能,当其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时,能够提高热屏对热量的反射能力,减少硅熔体热量的耗散,起到对热场的保温作用,从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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公开(公告)号:CN111893557A
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN202010621665.X
申请日:2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种晶圆涂胶系统,包括晶圆涂胶装置、加热装置和控制装置;晶圆涂胶装置用于对晶圆进行涂胶;加热装置包括加热板,加热板表面承载涂胶后晶圆,加热板划分成若干个加热区域,每个加热区域对应设有一个监测组件,监测组件包括温度监测件和警报器;控制装置包括温度监测模块、温度判断模块和警报控制模块;温度获取模块用于获取温度监测件监测的实时温度;温度判断模块用于判断温度监测件的温度比是否大于预设温度比;警报控制模块用于当判断温度监测件的温度比大于预设温度比时,控制警报器启动;本发明能够保证加热板中各个区域的温度均匀性,避免温度不均匀影响到晶圆的烘烤质量。
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