公开(公告)号：CN111751926A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201910243172.4

申请日：2019-03-28

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 王庆 ,  汪巍 ,  方青 ,  涂芝娟 ,  曾友宏 ,  蔡艳 ,  王书晓 ,  余明斌

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明涉及集成光子器件领域，尤其涉及一种用于相控阵发射阵列的波导光栅天线及其形成方法。所述用于相控阵发射阵列的波导光栅天线，包括：衬底；第一波导层，位于所述衬底表面；第二波导层，沿垂直于所述衬底的方向设置于所述第一波导层上方，且所述第二波导层中具有光栅结构；所述第一波导层与所述第二波导层之间能够进行倏逝波耦合，有利于控制光栅的长度以增大相控阵列的分辨率，提高了垂直方向的非对称性，从而提高波导光栅天线的方向性。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光的发射效率以及相控阵列的探测距离，有助于需要高功率输出器件的实现。

公开(公告)号：CN110828603A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810924656.0

申请日：2018-08-14

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 汪巍 ,  方青 ,  涂芝娟 ,  曾友宏 ,  蔡艳 ,  王庆 ,  王书晓 ,  余明斌

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法。所述基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底表面的集电极区、吸收层、基极区和发射极区；所述吸收层与所述基极区采用Ge1-xSnx材料构成，其中，0