-
公开(公告)号：CN101799381A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010116252.2
申请日：2010-03-02
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: G01N1/28
Abstract: 一种处理硅片表面的方法，包括如下步骤：(a)采用质量浓度为15％至17％的氢氟酸溶液清洗待测硅片，清洗时间为20至40秒；(b)采用去离子水冲洗待测硅片；(c)采用质量浓度为8％至12％，温度为70℃至90℃的双氧水溶液清洗待测硅片，清洗时间为60至100秒；(d)采用去离子水冲洗待测硅片；(e)采用氮气吹干待测硅片。本发明的优点在于，通过优化氢氟酸和双氧水的浓度以及清洗时间，达到了节约时间和工艺成本的目的。
-
公开(公告)号：CN106876257B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710122925.7
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种提高氮化镓基功率器件击穿电压的外延方法，所述外延方法包括：提供衬底；采用原子层沉积工艺，在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成氮化镓层。上述方法可以提高形成的氮化镓的质量。
-
公开(公告)号：CN105047692B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510315434.5
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/02
Abstract: 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的衬底，包括支撑衬底、支撑衬底表面的高阻层、高阻层表面的沟道层、以及沟道层表面的势垒层，所述高阻层、沟道层以及势垒层的材料均为氮化物，所述沟道层的材料为掺杂元素浓度为1×1015cm‑3～9×1019cm‑3的GaN材料，所述掺杂元素选自于As和P中的一种，以及两者的混合物。本发明的优点在于，外延生长氮化物沟道层过程中掺入等电子元素砷或磷，以改善材料的微观电子结构，降低缺陷密度，改善晶格完整性，提高晶体质量，从而提高材料的电子特性如电子迁移率、降低方块面电阻等。
-
公开(公告)号：CN106876443A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710122935.0
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0611 , H01L29/66431
Abstract: 一种具有高击穿电压的氮化镓高电子迁移率晶体管及其形成方法，所述高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的第一势垒层；位于所述第一势垒层上的栅极、源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述栅极的两侧；位于所述栅极与漏极之间的第一势垒层表面的第二势垒层，所述第二势垒层侧壁与所述栅极一侧侧壁连接，用于产生二维空穴气。上述高电子迁移率晶体管具有更高的击穿电压。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105762063A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610084231.4
申请日：2016-02-06
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种硅基氮化物外延生长的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)在氢气气氛及第一温度下，在衬底一表面外延生长第一氮化物层；(c)在氮气气氛及第二温度下，在第一氮化物层表面外延生长第二氮化物层，其中，第一温度大于第二温度；(d)循环进行步骤(b)～(c)，形成周期性的氮化物层。本发明的优点在于，采取高温氢气和低温氮气下循环生长，二维/三维生长模式循环转换来生长氮化物，可以缓解氮化物与衬底间存在的晶格不匹配及热失配问题，有效释放应力，避免外延层裂纹的产生，同时还可以过滤位错，从而获得低位错密度、高晶体质量的氮化物薄膜，从而应用于氮化镓基光电或电子器件制备。
-
公开(公告)号：CN103077885B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310036848.5
申请日：2013-01-31
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种受控减薄方法以及半导体衬底，所述受控减薄方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底中的一预定深度处形成一特征图形层，所述特征图形层用于标定减薄的停止位置；减薄半导体衬底，并同时观察减薄表面是否出现特征图形，一旦出现特征图形，立即停止减薄。本发明的优点在于，采用在预定深度的位置制备识别图形来控制减薄的停止时机，可以精确控制减薄厚度，且具有较高的均匀性。
-
公开(公告)号：CN105140107A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510526087.0
申请日：2015-08-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02595 , H01L21/02123 , H01L21/02592
Abstract: 本发明提供了一种带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在所述支撑衬底表面形成多晶层作为电荷陷阱；在所述多晶层表面形成覆盖层，所述覆盖层为非晶绝缘材料；抛光所述覆盖层的表面；以被抛光的表面作为键合面，与一器件衬底键合。本发明的优点在于，采用了非晶绝缘的覆盖层作为键合表面，避免了直接对多晶层实施抛光和键合，降低了抛光和键合的难度。
-
公开(公告)号：CN105047752A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510315465.0
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/186
Abstract: 本发明提供了一种硅衬底的表面改性方法，用于在MOCVD工艺生长GaN衬底前的预处理，包括如下步骤：采用改性离子注入至生长表面，所述改性离子中包括Al元素，还包括氮元素和氧元素中的至少一种。采用上述方法表面改性后的硅衬底可以用于高质量的氮化物的外延生长，其能避免氮化镓生长时镓液滴回融腐蚀现象，缓解应力，无裂纹产生，使晶体质量提高。本发明的优点在于，经过离子注入退火工艺后，硅衬底与氮化镓材料之间的晶格常数和热涨系数失配及应力问题得到很好的改善。本发明具有易操作、可控性好等优点，使外延生长条件窗口更宽。
-
公开(公告)号：CN105047699A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510315524.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/45 , H01L21/28 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/452 , H01L29/401 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种用于同氮化物形成欧姆接触的金属叠层及其制作方法。所述金属叠层包括直接同氮化物接触的Ti金属层，贴合Ti金属层的Hf金属层，以及贴合Hf金属层的Cu金属层。本发明的优点在于，Ti和Hf是热稳定性良好的难熔金属。其在高温时与包括AlGaN和GaN在内的氮化物发生固相反应，从而萃取氮化物中的氮元素，在氮化物10表面形成了氮的空位，相当于为氮化物引入了重掺杂。而且TiN和HfN是导体，且能起阻挡层的作用。铜可获得理想的金属表面接触，且散热及导电特性、成本等方面具备较强的优势。因此上述金属叠层在欧姆接触特性和合金表面形貌特征有明显的改善，可显著降低器件制造成本，提高器件的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
82
records
(took 0.091 seconds)
