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公开(公告)号：CN101349671B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810042477.0
申请日：2008-09-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/414 , G01N1/28 , G01N27/406
Abstract: 本发明公开一种微电子器件技术领域的场效应管与分子电离融合的气体传感器，包括极化电极、栅格电极和场效应管气敏单元，栅格电极位于极化电极和场效应管气敏单元之间，栅格电极与极化电极之间的气体间隙构成放电区域，栅格电极与场效应管气敏单元之间的气体间隙构成离子漂移区域；栅格电极具有镂空的几何特征，场效应管气敏单元面向栅格电极一侧表面可以设置半导体气敏材料，场效应管气敏单元是单栅结构或双栅结构，极化电极面向栅格电极一侧表面布置有导体性或者半导体性的管状、线状、柱状、条带状或者针状的极化电极电极材料。本发明大大提高标定和识别气体成分的精度，进而大幅提高选择性，扩大敏感范围，解决中毒问题。
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公开(公告)号：CN100593848C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810201600.9
申请日：2008-10-23
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种航空航天技术领域和微电子技术领域的片上离子射流装置，包括单级加速电极，所述加速电极由镂空电极、极化电极阵列、流道侧壁、极化电极阵列连线、镂空电极连线五个部分组成，五个部分全部设置于基片表面之上，该结构由片上大长径比电极阵列作为气体分子电离装置，由片上薄壁结构作为流压控制装置并构建流道，由镂空电极作为离子射流方向和加速幅度的控制装置并可组成多级累积加速的连续式多级镂空电极。整个结构可完全由微电子加工技术所具有的片上化制造技术加工实现，因此非常利于阵列化、集成化、微型化，可大幅度提高电离效率、稳定性、工作寿命等核心性能指标，并非常适用于在微型飞行器、芯片冷却装置中使用。
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公开(公告)号：CN101413918A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810201598.5
申请日：2008-10-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种电子器件技术领域的大长径比电极阵列及其制造方法，所述阵列由多层大长径比电极按层堆叠，每层大长径比电极的长度方向均平行于基片，每两层大长径比电极之间填充有固态绝缘材料，每一层中的每两个大长径比电极之间填充有固态绝缘材料。所述方法为：在基片表面沉积电极材料薄膜，使用图形转移方法形成大长径比电极阵列；在电极材料表面沉积固态绝缘材料，将电极材料完全覆盖；依次重复，制造多层大长径比电极的堆叠结构，形成大长径比电极阵列；在沿着垂直于大长径比电极长度的方向上使电极阵列断开，电场增强效应最强的区域平行于断开后形成的截面。本发明电场增强系数更高，且其他电场极化特征能更加可控地加以优化。
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公开(公告)号：CN100477318C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710109363.9
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101349671A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810042477.0
申请日：2008-09-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/414 , G01N1/28 , G01N27/406
Abstract: 本发明公开一种微电子器件技术领域的场效应管与分子电离融合的气体传感器，包括极化电极、栅格电极和场效应管气敏单元，栅格电极位于极化电极和场效应管气敏单元之间，栅格电极与极化电极之间的气体间隙构成放电区域，栅格电极与场效应管气敏单元之间的气体间隙构成离子漂移区域；栅格电极具有镂空的几何特征，场效应管气敏单元面向栅格电极一侧表面可以设置半导体气敏材料，场效应管气敏单元是单栅结构或双栅结构，极化电极面向栅格电极一侧表面布置有导体性或者半导体性的管状、线状、柱状、条带状或者针状的极化电极电极材料。本发明大大提高标定和识别气体成分的精度，进而大幅提高选择性，扩大敏感范围，解决中毒问题。
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公开(公告)号：CN101236871A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810033994.1
申请日：2008-02-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基介质阻挡型一维纳米电极结构，属于微型电子器件领域。本发明由上部和下部两个硅基片键合而成，下部硅基片局部有凹坑结构，凹坑中布置有图形化的一维纳米材料膜，一维纳米材料膜的下部布置有图形化的金属导电层。本发明应用于基于气体放电的电子器件，有利于器件的微型化，有利于器件的集成化、批量制造。由于可以避免热平衡等离子体对电极的热损伤，有利于器件稳定性和寿命的提高。由于介质阻挡层可以大大降低局部发生短路的几率，因此利于电极间隙的减小，使器件可以在更低的操作电压下工作。
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公开(公告)号：CN101236177A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810033995.6
申请日：2008-02-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/68
Abstract: 一种集成三类放电气敏电学量检测的气体传感器电极结构，属于微型电子器件领域。本发明包括下电极、镂空电极和离子检测电极，下电极与镂空电极之间构成气体放电区域，镂空电极与离子检测电极之间构成离子漂移区域；下电极面向镂空电极一侧的表面覆盖有一维纳米材料膜，镂空电极可以使气体放电区域中气体电离过程所产生的正离子能够部分地运动到气体放电区域之外，镂空电极面向下电极一侧表面覆盖有介质阻挡层。相对于局部放电电流幅值检测，本发明应用于离化气体传感器，能够显著提高其选择性、稳定性、寿命和可靠性，提高识别气体的精度和准确度。
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公开(公告)号：CN100403021C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510112218.7
申请日：2005-12-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 一种微电子技术领域的电离气体传感器微阵列结构。本发明包括：衬底、微电极阵列、微电极条单元、传感器单元，所述的微电极阵列设置在衬底上，包括多个微电极条单元，每对相邻阴阳电极条构成侧壁电极对，可产生可控电场，从而构成一个传感器单元，多个传感器单元组成微电极阵列，依据各个传感器单元内的相邻阴阳电极条的平面几何形状与间距是否相同，传感器单元分为等同单元和相异单元。本发明适于微电子加工技术加工，可将电极形状、间距的多种组合集成在一个微阵列中，因此能对目标气体放电现象的不同电学特征进行系统检测，可以增加检测精度和准确度，易于形成高敏感性、选择性、稳定性、工作安全性和低能耗的微型传感器阵列系统。
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公开(公告)号：CN100395171C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510027570.0
申请日：2005-07-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种碳纳米管微结构的制备方法，步骤包括：基片准备；碳纳米管浆料制备；微结构成模：在经过处理的基片上表面，制成光刻胶层，并经曝光、显影和坚膜工艺以后形成具有所需图形和高度的微图形结构；碳纳米管压铸：采用压铸方法将碳纳米管浆料压入微结构模型中；固化成型：通过加热和保温处理，稳定固化碳纳米管微结构；脱模：通过将经过上述步骤的基片充分浸没在适用于溶解微结构模型的溶液中，在基片表面上形成碳纳米管微结构。本发明集合了常规图形化—光刻技术以及三维微结构—微压铸制造技术的特征，具有制备过程简单，结构图形边界清晰，图形深宽比大，图形化精度高，工艺适用性强等特点，尤其适用于大面积碳纳米管图形化结构的制备。
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