公开(公告)号：CN100338681C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN03104399.2

申请日：2003-02-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C29/24 ,  G11C29/804 ,  G11C29/816 ,  G11C29/848

Abstract: 相对配置成行列状的多个正规存储单元(MC)，虚拟存储单元(DMC)配置成和正规存储单元(MC)共有存储单元列且形成虚拟存储单元行。当正规存储单元(MC)和虚拟存储单元(DMC)出现不良存储单元时，使用冗余列(11C)，以存储单元列为单位进行替换修复。冗余列(11C)不仅包含修复正规存储单元(MC)的备用存储单元(SMC)，还包含修复虚拟存储单元(DMC)的备用虚拟存储单元(SDMC)。

公开(公告)号：CN1331155C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN03119971.2

申请日：2003-03-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/18

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 电阻高的源线(SL1～SLn、SLd0、SLd1)沿与基准单元(RMC)相同的方向配置。在通过选择存储单元(RMC#)与选择基准单元(RMC#)的电流路径之间，在与基准单元(RMC)交叉的方向配置的布线上的路径长度自然地达到均衡，而与地址选择结果无关。因此，这些电流路径间的电阻差反映了选择存储单元(RMC#)与选择基准单元(RMC#)的电阻差而与地址选择无关，从而提高了数据读出容限。

公开(公告)号：CN1276436C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02142748.8

申请日：2002-09-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大石司 ,  日高秀人 ,  石川正敏

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 构成MTJ存储单元的隧道磁阻元件连接在位线与条带之间。条带为同一子阵列内的在行方向上相邻的多个隧道磁阻元件所共有。存取晶体管连接在条带和接地电压之间，响应于对应的字线而导通或关断。由于无需与各隧道磁阻元件对应地设置存取晶体管就能进行数据读出，所以可以使阵列面积小型化。

公开(公告)号：CN1255816C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN02150470.9

申请日：2002-11-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C29/74

Abstract: 程序装置(PU)具有电阻随磁化方向而变化的2个程序单元(PRC1及PRC2)。各程序单元在初始状态，即在非程序状态时被磁化成同一方向。在程序状态时，根据程序数据被选择一方的程序单元的磁化方向被从初始状态改写。由根据2个程序单元的电阻生成的2个程序信号(φa及φb)，能够读出1位程序数据和该程序装置(PU)是否存储了程序数据的信息。

公开(公告)号：CN1207718C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN01122086.4

申请日：2001-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1697

Abstract: 与MTJ存储单元的各列对应地配置折叠型位线对。形成位线对的2条位线(BL，/BL)通过列选择门(CSG1～CSGm)分别与形成数据I/O线对DI/OP的2条数据线(IO，/IO)连接。在数据写入时，与各位线对对应地配置的均衡化晶体管(62)导通。数据写入电流控制电路(51)将2条数据线(IO，I/O)分别设定在高电位状态(Vcc)或低电位状态(Vss)，故可以根据写入数据的电平简单地控制作为为往复电流流过位线对的数据写入电流的方向。

公开(公告)号：CN1186780C

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN01125883.7

申请日：2001-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C8/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

Abstract: 对于MTJ存储单元，独立地设置分别在数据写入和数据读出时使用的写入字线(WWL)和读出字线(RWL)。通过在列方向上分割存储器阵列(10)而形成的每个区域(AR1、AR2)中分割配置读出字线(RWL)，可减少读出字线(RWL)中的信号传送延迟，实现数据读出工作的高速化。根据行选择结果，与写入字线(WWL)分层次地控制各读出字线(RWL)的激活。字线电流控制电路(40)与上述数据写入时和上述数据读出时的每一时候相对应，形成和隔断写入字线(WWL)中的电流路径。

公开(公告)号：CN1419241A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02142125.0

申请日：2002-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 构成MTJ存储单元的隧道磁阻件(TMR)为使磁化特性稳定，具有纵横比大于1的细长形状。数据写入电流流通的位线(BL)及写字线(WWL)被分别沿隧道磁阻件(TMR)的短边方向及长边方向配置。流过容易确保配线宽度的位线(BL)的数据写入电流被设计成为大于流过写字线(WWL)的数据写入电流。比如，使写字线(WWL)比位线(BL)更接近隧道磁阻件(TMR)配置。

公开(公告)号：CN1414560A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02147057.X

申请日：2002-10-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

Abstract: 周边电路(5)与存储阵列(2)邻接配置，对于存储阵列(2)进行数据读出以及数据写入，用于向周边电路(5)供给动作电压的电源电压布线(PL)以及接地布线(GL)分别供给电源电压(Vcc)以及接地电压(GND)，电源电压布线(PL)以及接地布线(GL)配置成使得由流过电源电压布线(PL)产生的磁场与流过接地布线(GL)的电流产生的磁场在存储阵列(2)中相互抵消。

公开(公告)号：CN100440373C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03106631.3

申请日：2003-02-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大石司 ,  日高秀人

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/06 ,  G11C11/16 ,  G11C29/02 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028

Abstract: 数据读出时，来自电流供给晶体管(105)的电流通过选择存储单元及数据线(DIO)。另外，不破坏存储数据的电平大小的偏磁场被加在选择存储单元上。通过施加偏磁场，用读出放大器(120)放大选择存储单元的电阻对应于存储数据电平的极性变化前后的数据线电压差，只对选择存储单元进行存取，进行数据读出。另外，由于在数据线(DIO)和读出放大器(120)之间用电容器(110)进行绝缘，所以能与存储单元的磁化特性隔离，使读出放大器在最佳输入电压范围内工作。

公开(公告)号：CN100354972C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN02128216.1

申请日：2002-08-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种薄膜磁存储装置，该装置具有不导致制造工序的复杂化、磁化特性简单、并且可充分确保动作裕量的MTJ存储器单元。并且提供一种具有不依赖于写入的存储数据电平的磁化特性对称的MTJ存储器单元的薄膜磁存储装置。在隧道磁电阻元件(100a)中，第一和第二自由磁化层(103)具有对应存储数据的磁化方向。第一和第二自由磁化层夹住非磁性导电体形成的中间层(107)来配置。数据写入时，中间层(107)中流过对应写入的存储数据的电平的方向的数据写入电流。通过由流过中间层的电流产生的磁场将第一和第二自由磁化层磁化为环状。