公开(公告)号：CN104347381A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410360240.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 蔀拓一郎 ,  川濑祐介 ,  山下润一 ,  吉野学

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/02238

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制衬底翘曲的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有：在衬底(15)的正面形成正面氮化膜(16A)，在该衬底的背面形成背面氮化膜(16B)的工序；在该正面氮化膜上形成保护膜(18)的工序；利用该保护膜保护该正面氮化膜，与此同时，利用湿蚀刻去除该背面氮化膜的工序；在去除该背面氮化膜之后，去除该保护膜的工序；对该正面氮化膜进行图案化而在该正面氮化膜上形成开口(20)的工序；以及在从该开口露出的该衬底的正面形成第1氧化膜(22)，与此同时，在该衬底的背面形成第2氧化膜(24)的工序。