公开(公告)号：CN113227281A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085619.8

申请日：2019-10-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  后藤裕一 ,  窪寺俊 ,  武田谕 ,  石桥谦 ,  中岛诚

IPC: C09D183/08 ,  C07F7/18 ,  C08G77/26 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。

公开(公告)号：CN113227214A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980086354.3

申请日：2019-12-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  仓本悠太郎 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  中岛诚

IPC: C08G77/22 ,  C09D183/06 ,  C09D183/08 ,  C07F7/08 ,  C07F7/10 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成兼具良好的EUV抗蚀剂密合性、和由于氟系蚀刻速率也高因此具有的良好的蚀刻加工性的含有Si的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。

公开(公告)号：CN111902774A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980020366.6

申请日：2019-03-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  石桥谦 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明的课题是提供可以用于制造半导体装置的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其是用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷(a)的水解缩合物(c)、硝酸根离子和〔溶在剂式，该(1)水中解，R性1硅为烷式((a2))的包有含机式基(1并)：且R1通aR过2bSSii‑(CR键3)4与‑(a硅+b原)式子(1结)合。〕所示的水解性硅烷。还包含水解性硅烷(a)和/或其水解物(b)。在抗蚀剂下层膜形成用组合物中以1ppm～1000ppm的范围含有硝酸根离子。关于水解缩合物(c)，式(1)所示的水解性硅烷中的式(2)的官能团以(氢原子)/(氢原子+R5基)的摩尔比计为1％～100％。

公开(公告)号：CN109791376A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780060916.8

申请日：2017-10-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 志垣修平 ,  武田谕 ,  柴山亘 ,  中岛诚 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供在溶剂显影光刻工艺中用于涂布在经图案化的抗蚀剂膜上而使图案反转的涂布用组合物的制造方法。解决手段是一种涂布于经图案化的抗蚀剂膜的组合物的制造方法，其包含下述工序：将水解性硅烷在非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而获得水解缩合物的工序(A)；对该水解缩合物进行溶剂置换，而将该非醇系亲水性溶剂置换成疏水性溶剂的工序(B)。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序(1)；将该抗蚀剂膜曝光和显影的工序(2)；对工序(2)的显影中或显影后获得的经图案化的抗蚀剂膜涂布通过上述制造方法获得的组合物，而在图案间形成涂膜的工序(3)；将经图案化的抗蚀剂膜蚀刻除去而使图案反转的工序(4)。一种制造方法，曝光使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)进行。一种制造方法，显影为采用有机溶剂的负型显影。