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公开(公告)号：CN118075635A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311568149.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：单位像素，每个单位像素包括第一子像素和在图像传感器的俯视图中与第一子像素相邻的第二子像素；以及透镜阵列，包括在每个单位像素的第一子像素上的第一子透镜区域和在每个单位像素的第二子像素上的第二子透镜区域。第一子透镜区域可以包括第一微透镜，第二子透镜区域包括第二微透镜。此外，第一微透镜可以包括限定在其中心区域中的凹陷。
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公开(公告)号：CN117913109A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311244067.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , G01S7/4865 , G01S7/4915 , G01S17/08 , G01S7/4863 , G01S7/4914 , H04N25/705 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78
Abstract: 一种深度传感器包括：衬底，包括在第一方向上彼此相对的第一面和第二面；光电转换元件，设置在衬底中；以及第一抽头和第二抽头，连接到光电转换元件。第一抽头和第二抽头中的每一个包括：浮动扩散区，设置在衬底中；传输晶体管，连接到浮动扩散区；光电晶体管，连接到光电转换元件；抽头传输晶体管，连接到光电晶体管；以及存储晶体管，连接到抽头传输晶体管和传输晶体管。存储晶体管包括存储栅电极。存储栅电极包括从衬底的第一面朝向第二面延伸的第一延伸部和第二延伸部，并且第一延伸部和第二延伸部在第二方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN111293129B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201911232659.9
申请日：2019-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括第一表面和第二表面并且还包括阱区和第一浮置扩散区，阱区和第一浮置扩散区中的每个与第一表面相邻。图像传感器包括第一垂直传输栅极和第二垂直传输栅极，第一垂直传输栅极和第二垂直传输栅极被隔离而不彼此直接接触并且每个从半导体基板的第一表面且在半导体基板的厚度方向上延伸穿过阱区的至少一部分。图像传感器包括在第一垂直传输栅极和第一浮置扩散区之间并在半导体基板的第一表面上的第一存储栅极。图像传感器包括在第一存储栅极和第一浮置扩散区之间并在半导体基板的第一表面上的第一分接头传输栅极。
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公开(公告)号：CN109148493B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201810337227.3
申请日：2018-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 陈暎究
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一导电类型并包括第一表面、与第一表面相反的第二表面以及邻近第一表面的阱区。第一竖直传输栅极和第二竖直传输栅极彼此间隔开并在半导体衬底的厚度方向上从第一表面延伸以穿过阱区的至少一部分。光电转换区具有不同于第一导电类型的第二导电类型，位于阱区和第二表面之间的半导体衬底中，并在半导体衬底的厚度方向上交叠第一竖直传输栅极和第二竖直传输栅极。布线结构位于半导体衬底的第一表面上。
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公开(公告)号：CN111010516B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201910664816.7
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器，包括：光源，被配置为向目标对象发射光信号；和像素阵列，包括第一像素，第一像素被配置为基于从目标对象反射的光信号产生像素信号，其中，第一像素包括第一光栅极组和第二光栅极组，第一光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第一相位差的第一栅极信号的至少两个光栅极，第二光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第二相位差的第二栅极信号的至少两个光栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112786628A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010824114.3
申请日：2020-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区域，其设置在衬底中；以及偏振器，其设置在衬底的第一表面。偏振器包括：下结构，其包括至少一个沟槽，所述至少一个沟槽从衬底的第一表面朝向光电转换区域凹陷；以及多个上图案，其设置在下结构上，并且在与第一表面平行的第一方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN110970452A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910710726.7
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 一种3D图像传感器包括深度像素和与深度像素相邻的至少两个偏振像素。深度像素包括在基板中的电荷产生区域。深度像素配置为基于检测从物体反射的光来生成与3D场景中的从3D图像传感器起的物体的深度相关联的深度信息。每个偏振像素包括在基板中的光电二极管和在基板上在光入射方向上的偏振器。偏振像素配置为基于检测从物体反射的光而生成与3D场景中的物体的表面形状相关联的形状信息。偏振像素和深度像素共同地限定单位像素。各偏振器与不同的偏振方向相关联。
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公开(公告)号：CN109994496A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910171116.4
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/33
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件可以包括：第一传感器，配置为从入射光感测具有在第一波长范围内的波长的光并基于所感测的光产生第一电信号；和第二传感器，配置为从入射光感测具有在不同的第二波长范围内的波长的光并基于所感测的光产生第二电信号。第一传感器和第二传感器可以经由中间连接器彼此电连接，并且第一传感器和第二传感器可以共用经由中间连接器电连接到其的像素电路。第一波长范围和第二波长范围可以分别包括红外波长范围和可见波长范围。第一波长范围和第二波长范围可以包括不同的可见波长范围。
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公开(公告)号：CN109994494A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811561448.5
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种包括在三维图像传感器中的像素阵列。所述像素阵列包括深度像素和环境光消除(ALC)电路。深度像素响应于具有不同相位的多个光控制信号来进行操作，并且基于被物体反射的光产生物体的距离信息。ALC电路从被反射的光去除环境光分量并且被深度像素共享。每个深度像素包括光电转换区域、浮置扩散区域、光栅极和排放栅极。光电转换区域基于被反射的光收集光电荷。浮置扩散区域积累光电荷。光栅极响应于所述多个光控制信号中的一个光控制信号被激活。光电转换区域在光栅极被激活时积累光电荷，而光电转换区域中的光电荷在排放栅极被激活时被释放。
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公开(公告)号：CN109148493A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810337227.3
申请日：2018-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 陈暎究
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一导电类型并包括第一表面、与第一表面相反的第二表面以及邻近第一表面的阱区。第一竖直传输栅极和第二竖直传输栅极彼此间隔开并在半导体衬底的厚度方向上从第一表面延伸以穿过阱区的至少一部分。光电转换区具有不同于第一导电类型的第二导电类型，位于阱区和第二表面之间的半导体衬底中，并在半导体衬底的厚度方向上交叠第一竖直传输栅极和第二竖直传输栅极。布线结构位于半导体衬底的第一表面上。
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