公开(公告)号：CN112735504A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202010946856.3

申请日：2020-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳睿信 ,  吴伦娜 ,  金玄基

IPC: G11C29/00 ,  G06F12/0802

Abstract: 提供了存储器装置及其修复方法。存储器装置包括行解码器、列解码器和修复控制电路，修复控制电路被配置为：(i)将行地址与存储的故障行地址进行比较，(ii)将列地址与存储的故障列地址进行比较，(iii)当行地址对应于故障行地址时控制行解码器激活多条冗余字线中的至少一条，以及(iv)当列地址对应于故障列地址时控制列解码器激活多条冗余位线中的至少一条。修复控制电路在修复操作期间根据输入的地址来改变修复单元。

公开(公告)号：CN111951872A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010268069.8

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳睿信 ,  金泰元 ,  吴伦娜

IPC: G11C29/00 ,  G11C29/12 ,  G11C29/44

Abstract: 一种半导体存储设备包括存储单元阵列、位线开关、块开关和列译码器。该存储单元阵列包括耦合到至少一个字线的存储块，并且存储块中的每个包括存储单元。位线开关连接在第一存储块的第一半局部输入/输出(I/O)线与第一存储块的第二半局部I/O线之间。块开关连接在第一存储块的第二半局部I/O线和与第一存储块相邻的第二存储块的第一半局部I/O线之间。列译码器包括修复电路，该修复电路通过向位线开关施加第一开关控制信号和向块开关施加第二开关控制信号来控制连接。

公开(公告)号：CN108122587A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711083163.0

申请日：2017-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车相彦 ,  柳睿信

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/34 ,  G11C29/42

CPC classification number: G06F11/106 ,  G06F11/1016 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3445 ,  G11C29/42

Abstract: 提供一种半导体存储器装置的擦除控制器和半导体存储器装置。一种半导体存储器装置的擦除控制器包括擦除地址产生器和弱码字地址产生器。擦除地址产生器在第一擦除模式下产生针对多个存储体阵列中的第一存储体阵列中的所有码字的擦除地址。擦除地址与正常擦除操作相关联，并响应于内部擦除信号和擦除命令而改变。弱码字地址产生器在第二擦除模式下产生针对第一存储体阵列中的弱码字的弱码字地址。弱码字地址与弱擦除操作相关联，并响应于内部擦除信号而产生。

公开(公告)号：CN107393596A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710281643.1

申请日：2017-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车相彦 ,  郑会柱 ,  柳睿信 ,  赵诚珍

IPC: G11C29/42

CPC classification number: G11C29/52 ,  G06F11/1048 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C29/70 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/13 ,  G11C29/42

Abstract: 一种半导体存储设备包括存储单元阵列、控制逻辑电路以及纠错电路。控制逻辑电路通过对命令进行解码来生成控制信号。在半导体存储设备的写模式中，控制逻辑电路控制纠错电路从所选择的子页读取第一单元数据，并且在通过对第一单元数据执行纠错码解码来生成校验子数据时基于第一子单元数据和第二子单元数据之一以及将被写入到子页中的主数据来生成第一奇偶校验数据。当第一子单元数据包括至少一个错误位时，纠错电路基于与主数据相关联的数据掩码信号来有选择地修改第一奇偶校验数据。