公开(公告)号：CN101740694B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN200910225274.X

申请日：2009-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆国 ,  蔡秀熙 ,  朴永洙 ,  金泽 ,  梁炆承 ,  丁亨洙 ,  朴宰彻 ,  金峻渊

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。

公开(公告)号：CN101714403A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910204907.9

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  权奇元 ,  朴宰彻 ,  朴永洙 ,  李明宰

IPC: G11C11/00 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C8/06 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/7201 ,  G11C13/0069

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器的操作方法，在所述方法中，在编程操作的过程中，可仅将非易失性存储器从第一状态改变为第二状态，而可不从第二状态改变为第一状态。

公开(公告)号：CN101681933A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020930.6

申请日：2008-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  李银河 ,  朴永洙 ,  朴宰彻

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。

公开(公告)号：CN101630692A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910140008.7

申请日：2009-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  朴宰彻 ,  金尚昱

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明公开了一种沟道层和一种包括该沟道层的晶体管。所述沟道层可以包括多层结构。形成所述沟道层的层可以具有不同的迁移率和/或载流子密度。所述沟道层可以具有包括可以由不同的氧化物形成的上层和下层的双层结构。所述晶体管的特性可以根据用于形成下层和上层的材料及其厚度而变化。

公开(公告)号：CN101060138A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200610143366.X

申请日：2006-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  朴永洙 ,  车映官

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种非晶硅薄膜晶体管和具有该非晶硅薄膜晶体管的有机发光显示器件。该晶体管包括非晶硅薄膜晶体管部分，其包括栅电极、栅绝缘层、非晶硅层和源/漏电极，这些全部形成在衬底上；以及热生成部分，用于产生热并将所述热施加到该非晶硅层以恢复阈值电压。