公开(公告)号：CN1716549A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510073873.6

申请日：2005-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩成镐 ,  崔吉铉 ,  李相遇 ,  金洛焕 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 通过在凹槽中形成金属－氮化物层可以在集成电路中形成金属层，包括在凹槽底部的金属－氮化物层中的第一氮浓度，第一氮浓度小于紧邻凹槽开口的金属－氮化物层中的第二氮浓度。在凹槽中包括的金属－氮化物层上可以形成金属层。