公开(公告)号：CN1893104A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610007121.4

申请日：2006-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜闰浩

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/822 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明公开了一种相变存储器件及其制造方法。所述相变存储器件包括：下电极，电连接到形成于半导体衬底上的晶体管；第一绝缘层，覆盖所述下电极和所述衬底且具有暴露所述下电极的第一孔；导电接触，形成于所述第一孔中；第二绝缘层，形成于所述第一绝缘层上，具有对应于所述导电接触的第二孔；相变材料层，填充所述第二孔；和上电极，覆盖形成的所述相变材料层的上表面，其中，所述相变材料层和上电极基本对准，且所述上电极的宽度大于所述相变材料层的宽度。

公开(公告)号：CN1825613A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005737.8

申请日：2006-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东硕 ,  姜闰浩 ,  李相睦 ,  卢振瑞

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供一种操作包括开关器件和存储节点的相变随机存取存储器的方法，所述存储节点包括相变层。该方法包括对所述存储节点施加重置电流，所述重置电流从所述相变层的下部分朝向所述相变层的上部分流经所述相变层且小于1.6mA，从而将所述相变层的一部分变为非晶态。

公开(公告)号：CN1812118A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510126630.4

申请日：2005-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜闰浩 ,  赵郁廉 ,  徐东硕

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 提供一种包括具有相变纳米颗粒的相变材料层的相变存储器及其制造方法。相变存储器可包括：相互面对的第一电极和第二电极；插入在第一电极和第二电极之间的含有相变纳米颗粒的相变材料层；以及电连接到第一电极的开关器件。

公开(公告)号：CN1465755A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN02150373.7

申请日：2002-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜闰浩

IPC: C30B28/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/2026

Abstract: 本发明提供了一种结晶无定形硅的方法。该方法包括，将纳米颗粒供给在无定形硅层的表面上；在供给纳米颗粒的同时间断地熔化到达无定形硅层表面的纳米颗粒；并冷却该无定形硅层以使用未熔的纳米颗粒作为晶种来生长晶体，这样形成多晶硅层。由于外部提供的纳米颗粒用作晶种以结晶无定形硅层，这样可形成大的颗粒。由于可控制纳米颗粒的数目和尺寸，还可控制颗粒的尺寸和排列。