公开(公告)号：CN105236951A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510380277.6

申请日：2015-07-02

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 赤岭宗子 ,  藤田光广

IPC: C04B35/443 ,  C04B35/80 ,  C04B38/06

Abstract: 提供轻量而热导率增加得以抑制的包括多孔烧结体的绝热材料，即，维持在高温下的绝热特性，同时轻量、可提高施工时的操作性的绝热材料。本发明的绝热材料的一个方案中，包括气孔率70vol%以上且低于91vol%的多孔烧结体，孔径0.8μm以上且低于10μm的气孔在总气孔容积中占10vol%以上且70vol%以下，且孔径0.01μm以上且低于0.8μm的气孔在总气孔容积中占5vol%以上且30vol%以下，所述多孔烧结体为由MgAl2O4（尖晶石）原料和由无机材料形成的纤维所形成的烧结体，在1000℃以上且1500℃以下的热导率为0.40W/(m？K)以下，所述多孔烧结体中Si相对于Mg的重量比为0.15以下。

公开(公告)号：CN104844249A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510198912.9

申请日：2013-08-26

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 赤岭宗子 ,  藤田光广

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/44

CPC classification number: C01F7/02 ,  C01F7/162 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B38/0074 ,  C04B2111/28 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明提供即使在1000℃以上的高温区域中，导热系数的增加也受到抑制且保持优异的绝热性的绝热材料。其构成为：气孔率为65~90vol%，由化学式XAl2O4（X＝Zn，Fe，Mg，Ni或Mn）表示的尖晶石质的多孔质烧结体形成，孔径超过1000μm的粗大气孔占总气孔容积的25vol%以下、孔径为0.45μm以下的微小气孔占孔径为1000μm以下的气孔的容积中的5~40vol%、孔径为0.14~10μm的范围内具有至少1个气孔径分布峰，烧结体颗粒的算术平均粒径为0.04~1μm。

公开(公告)号：CN102473614A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033825.3

申请日：2010-05-17

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 仙田刚士 ,  矶贝宏道 ,  丰田英二 ,  村山久美子 ,  荒木浩司 ,  青木龙彦 ,  须藤治生 ,  泉妻宏治 ,  前田进 ,  鹿岛一日儿

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3225

Abstract: 本发明提供硅晶片的热处理方法，该方法能够在抑制RTP时的滑移发生的同时，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，在RTP之后，能够改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。对硅晶片，在惰性气体气氛中，以第1升温速度急速升温至1300℃以上硅的融点以下的第1温度T1为止，在保持第1温度T1之后，以第1降温速度急速降温至400℃以上800℃以下的第2温度T2为止，接着，从惰性气体气氛转换为含有20vol.％以上100vol.％以下的氧气的含氧气氛之后，以第2升温速度从第2温度T2急速升温至1250℃以上硅的融点以下的第3温度T3为止，于第3温度T3保持之后，以第2降温速度从第3温度T3急速降温。

公开(公告)号：CN1958512B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610142797.4

申请日：2006-10-31

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 藤田光广 ,  入江正树

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/505 ,  C04B35/50 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/9653

Abstract: 本发明涉及透光性稀土氧化物烧结体及其制造方法，其目的在于得到透光性氧化钇烧结体，该烧结体在厚度为1mm时在400nm～800nm的可见光波长区域内的直线透过率为60％以上，其不使用容易在氧化钇的晶界上析出的铝，不使用其中将硅含量特别降低的特殊原料并且不需要将原料微粉碎。本发明提供一种透光性氧化钇烧结体，该烧结体包含氧化钇作为主要成分以及钽或铌中的至少一种或者同时包含钽和铌，并且具有在厚度为1mm时、在400nm～800nm的可见光波长区域内为60％以上的直线透过率。

公开(公告)号：CN101069088B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580041177.5

申请日：2005-11-30

Applicant: 芝浦机械电子株式会社 ,  科发伦材料株式会社

Inventor： 林义典 ,  西风馆广幸 ,  京屋诚 ,  泉妻宏治 ,  长滨弘美 ,  M·清水 ,  浜谷和彦

IPC: G01N21/956 ,  G01B11/30 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9506 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G01N2021/8841

Abstract: 本发明的表面检查装置，用于检查板状物体(100)的外周边部所形成的多个面(101a、101b、101c)，包括：对板状物体形成有多个面的外周边部进行摄影的摄影装置(30)；及对通过摄影装置得到的图像进行处理的图像处理装置；摄影装置包括：光学系统(11、12、13)，将板状物体的多个面的像引导到同一方向；及单一的摄像机单元(20)，具有摄像面(20d)并配置成使由光学系统引导到同一方向的多个面的像在摄像面上成像。

公开(公告)号：CN100594011C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200410057005.4

申请日：2004-08-20

Applicant: 赤川安正 ,  科发伦材料株式会社 ,  MMT股份有限公司

Inventor： 赤川安正 ,  久保隆靖 ,  土井一矢

IPC: A61C8/00 ,  C12M3/00 ,  C12N5/00

CPC classification number: A61C8/0012 ,  A61C8/0006

Abstract: 本发明公开了植入物固定组件，其包括由羟磷灰石陶瓷制成的管或柱，其至少一部分是主要由羟磷灰石组成、通过搅拌起泡形成的多孔陶瓷物，其中许多近球形孔互相接触，具有在接触区域开口的三维相通的孔结构，且平均孔隙率为65%至85%。固定植入物的方法，其包括将植入物插入牙槽骨或颌骨的植入物插入部位的步骤，所述植入物外周的至少一部分与羟磷灰石陶瓷融合。得到了用于固定植入物的方法、植入物固定组件和植入复合物，以便在牙科学或口腔外科的植入治疗中通过弥合或再生牙槽骨或颌骨而加固植入物的插入部位。

公开(公告)号：CN101638806A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910157496.2

申请日：2009-07-30

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 矶贝宏道 ,  仙田刚士 ,  丰田英二 ,  村山久美子 ,  泉妻宏治 ,  前田进 ,  鹿岛一日児

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225

Abstract: 在硅晶片的制造方法中，在硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有0.01vol.％或以上且1.00vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，以及执行第二热处理工序，同时停止引入第一气体，并且替换地引入具有20vol.％或以上且100vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第二气体。在第一热处理工序中，以第一加热速率，将该硅晶片迅速地加热到1300℃或以上且硅熔点或以下的第一温度，并保持在第一温度。在第二热处理工序中，该硅晶片保持第一温度，并以第一冷却速率，迅速地从第一温度冷却。

公开(公告)号：CN100472710C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200310116367.1

申请日：2003-11-18

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 荻野正信 ,  须藤义胜 ,  马场嘉朗

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2256 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了一种半导体基材，它包括杂质浓度低的低掺杂基材(5，11，16，30)、形成于该低掺杂基材(5，11，16，30)顶面上的高掺杂扩散层(9；141，142；191，192；331，332)，其杂质浓度高于低掺杂基材(5，11，16，30)，以及在高掺杂扩散层(9；141，142；191，192；331，332)顶面上形成的外延层(10，15，20，36)，其杂质浓度要低于高掺杂扩散层(9；141，142；191，192；331，332)。

公开(公告)号：CN101363132A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810145905.2

申请日：2008-08-07

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 南俊郎

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种单晶硅的提拉方法，该方法在使用切克劳斯基法的单晶硅的生长中，可以将颈径的变化率抑制在规定的范围内，且在早期排除颈中的位错。将晶种与原料硅熔液接触并提拉，生长成颈后，进行增径以生长成规定晶体径的单晶体，在这种单晶硅提拉中，使前述颈径增减来进行颈生长，这时，用增减的前述颈径邻接的变曲点P1、P2间的颈径差(A－B)除以前述变曲点间的颈长L，得到的值作为颈径变化率时，前述颈径变化率在0.05以上且不足0.5。

公开(公告)号：CN202830218U

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201220224890.0

申请日：2012-05-18

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 津岛荣树 ,  吉光大志 ,  森隆员

IPC: C30B15/10 ,  C04B35/83

Abstract: 提供一种能够抑制冷却时的石英玻璃坩埚的咬入、能够不将石英玻璃坩埚破坏而将石英玻璃坩埚容易地拆下、还能够抑制硅化的碳纤维强化碳复合圆筒部件及碳纤维强化碳复合材坩埚。一种为了将收容熔融材料的石英玻璃坩埚支承、保持而使用的、具有底部和设在上述底部的上方的直体部的碳纤维强化碳复合材坩埚，其特征在于，上述底部由石墨材形成，并且，上述直体部由包括使用拉伸弹性率400GPa以上900GPa以下的沥青类碳纤维的碳纤维纺织布的碳纤维强化碳复合材形成，并且从常温升温到800℃时的直体部的周向的平均线热膨胀系数是石英玻璃的平均线热膨胀系数以下。