公开(公告)号：CN113594040B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202110817741.9

申请日：2021-07-20

申请人： 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 ,  晋芯电子制造(山西)有限公司 ,  晋芯先进技术研究院(山西)有限公司

发明人： 林和 ,  黄宏嘉 ,  牛崇实 ,  洪学天

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括：步骤S1：在P型衬底上形成N+型掩埋层；步骤S2：在N+型掩埋层上生长N型外延层；步骤S3：在N型外延层上形成P+深埋层和场氧化物；步骤S4：在场氧化物旁形成栅极氧化层；步骤S5：在栅极氧化层上沉积多晶硅栅极并用磷掺杂；步骤S6：在N型外延层上采用粒子掺杂形成P型基极；步骤S7：在N外延层上方以光刻形成漏极和源极；步骤S8：在漏极上形成漏区金属接触区，在源极上形成源区金属接触区。本发明消除基极的穿孔效应，改善晶体管的电参数：减少漏‑源之间的漏电流，增加击穿电压，并最大程度地减少制造集成电路(I C)中的晶体管的光刻次数，从而降低成本。

公开(公告)号：CN115498027A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211162079.9

申请日：2022-09-23

申请人： 晋芯电子制造(山西)有限公司 ,  晋芯先进技术研究院(山西)有限公司

发明人： 王尧林 ,  洪学天 ,  林和 ,  牛崇实 ,  陈宏

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/28

摘要： 本发明公开了一种集成电路欧姆接触区的生产系统及生产方法，其中生产系统包括：包括：依次设置的半导体薄膜、钝化层、半导体掺杂层、欧姆接触区和金属电极；所述欧姆接触区为重掺杂区，降低欧姆接触区的势垒高度，增大电子隧穿的几率；所述金属电极采用多层金属堆叠结构，包括接触层、扩散层、阻挡层和盖帽层；接触层金属与势垒层反应生成合金，在合金界面上形成高浓度空位，形成重掺杂的欧姆接触区。

公开(公告)号：CN115261795A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210897961.1

申请日：2022-07-28

申请人： 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 ,  晋芯电子制造(山西)有限公司 ,  晋芯先进技术研究院(山西)有限公司

发明人： 林和 ,  王尧林 ,  洪学天 ,  赵大国 ,  陈宏 ,  牛崇实

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

摘要： 本发明公开了一种用于光学信息处理系统中的磁光结构及其制备方法、制备设备。该磁光结构包括具有石榴石结构的介电材料制成的衬底；所述衬底上形成的磁光薄膜，所述磁光薄膜的磁化矢量位于所述磁光薄膜的平面中。本发明磁光结构的分辨率和灵敏度可以通过改变铁氧体‑石榴石衬底的晶轴取向进行调节，也可以通过含铋的镓铁氧体石榴石薄膜中的铋离子和镓离子的浓度来改变，本发明显著提高磁光结构的分辨率和灵敏度，灵敏度可提高2倍以上。