一种高温炉用炭/炭进气喷嘴的制备方法

    公开(公告)号:CN101311143A

    公开(公告)日:2008-11-26

    申请号:CN200810018028.2

    申请日:2008-04-23

    摘要: 本发明涉及一种高温炉用炭/炭进气喷嘴的制备方法,采用针刺平纹炭布准三向结构预制体;通过化学气相渗透、树脂浸渍-炭化致密预制体,反复致密处理数次;在一定的温度下对致密的毛坯进行高温处理,以增大其表面的开孔率,然后进一步进行致密化处理;采用树脂-炭化致密工艺,到密度≥1.75g/cm3时致密工艺结束,最终高温纯化处理后进行机械加工,对表面进行CVD涂层即可制得炭/炭进气喷嘴。本发明采用化学气相渗透、树脂浸渍-炭化相结合的工艺方法致密制成炭/炭喷嘴材料,在用于多晶硅氢化炉用进气喷嘴方面,可有效的提高进气喷嘴的强度,提高喷嘴的抗冲刷能力、耐腐蚀能力,延长喷嘴的使用寿命和降低喷嘴的更换率。

    单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法

    公开(公告)号:CN100432023C

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200610043186.4

    申请日:2006-07-20

    IPC分类号: C04B35/83 C30B15/10

    摘要: 本发明涉及一种单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法,该方法采用针刺炭布准三向结构预制体;通过化学气相沉积和糠酮树脂浸渍炭化以及热等静压沥青浸渍炭化相结合的致密工艺,反复致密处理数次,制品密度≥1.83g/cm3时致密工艺结束,在通入氯气和氟利昂的条件下对制品进行高温纯化处理,机械加工后即可制得单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚。本发明在用于单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚方面,可有效提高单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的强度,工艺一致性好,可实施性强,成本低,可延长单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的使用寿命和降低单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的更换率。

    高温炉用炭/炭板材的制备方法

    公开(公告)号:CN101279855A

    公开(公告)日:2008-10-08

    申请号:CN200810018307.9

    申请日:2008-05-28

    IPC分类号: C04B35/66 C04B35/83

    摘要: 本发明涉及一种高温炉用炭/炭板材的制备方法,采用3~24K炭布,经过经浸胶机浸渍树脂后或手工刷胶后、压制固化、炭化和热处理等工艺,得到尺寸为长≤1.7m×宽≤1.7m×厚1~10mm,最终密度≥1.25g/cm3的炭/炭板材。本发明采用浸胶或手工刷胶、压制固化工艺得到力学性能较好的炭/炭板材,可显著降低炭/炭板材成本,工艺一致性好,实施性强,可解决高温炉对大尺寸炭/炭板材的急切需求。

    单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法

    公开(公告)号:CN100366581C

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN200610043185.X

    申请日:2006-07-20

    IPC分类号: C04B35/66 C04B35/83

    摘要: 本发明涉及一种单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法,该方法采用针刺炭布和无纬布相结合制成全炭纤维三向结构加热器预制体;经沥青浸渍炭化和糠酮树脂浸渍炭化相结合致密加热器预制体,其间在一定的温度下对致密的加热器预制体进行高温处理,以增大其表面的开孔率,再进一步进行致密处理数次,到加热器制品密度≥1.60g/cm3时致密结束,在通入氯气和氟利昂的条件下对加热器制品进行高温纯化处理,机械加工后即可制得单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器。本发明可有效降低单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的电阻率,成本低,可延长热场炭/炭加热器的使用寿命,降低热场炭/炭加热器的更换率。

    双元炭基体优化组合的飞机炭刹车盘制造方法

    公开(公告)号:CN1291173C

    公开(公告)日:2006-12-20

    申请号:CN200310115116.1

    申请日:2003-11-24

    IPC分类号: F16D69/00

    摘要: 双元炭基体优化组合的飞机炭刹车盘制造方法,其特征在于:将用作炭刹车盘动盘的无纬炭布针刺整体预制体置于负压定向流内热梯度气相沉积炉中,用作炭刹车盘静盘及尾盘的预制体置于负压定向流外热梯度气相沉积炉中,控制上述炭盘预制体低温面的温度为800℃~1000℃,温度梯度为30℃~380℃范围内,且经300~600小时气相沉积炭,可获得重量百分比为55%~65%粗糙层结构的热解炭基体,并经树脂浸渍-炭化致密,获得含树脂炭重量百分比为5%~15%的双元炭基体优化组合,最终高温石墨化处理,即可获得开孔率小于10%的炭刹车盘材料。采用本发明制造的炭刹车盘在飞机中止起飞(RTO)刹车时具有摩擦系数大、制动性能好,且成本低的优点。

    一种含有α-Al2O3涂层的中密度C/C-SiC复合材料坩埚

    公开(公告)号:CN114455981B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202111658870.4

    申请日:2021-12-30

    摘要: 本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的中密度C/C‑SiC复合材料坩埚,属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层,坩埚本体是通过化学气相渗透工艺和反应熔渗工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭以及碳化硅增密处理获得的C/C‑SiC复合材料,炭纤维预制体的体积密度为0.5g/cm3~0.7g/cm3,热解炭增密至1.2g/cm3~1.4g/cm3,碳化硅增密至1.6g/cm3~1.8g/cm3。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度,避免使用石英坩埚,而且复合材料坩埚使用寿命显著提高,有效降低单晶硅拉制成本,解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。