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公开(公告)号：CN117848195A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311271070.6
申请日：2023-09-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及包括集成的反向偏置磁体的线性隧道磁阻传感器。一种传感器模块可以包括在第一方向上具有磁化的反向偏置磁体。传感器模块可以包括传感器芯片，该传感器芯片包括第一组隧道磁阻(TMR)感测元件。传感器芯片可以被配置为使用第一组TMR感测元件来确定第一磁场分量的特性，并且至少部分基于第一磁场分量的特性来生成传感器信号。传感器信号的值可以对应于铁磁性物体的线性位置。
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公开(公告)号：CN111490150B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010076590.1
申请日：2020-01-23
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H10N52/00 , H10N50/10 , H01L23/473 , H01L25/16 , H01L21/50 , G01R19/00 , G01R21/00 , G01R33/07 , G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种半导体模块，其包括：半导体管芯；包围所述半导体管芯的模制化合物；多个端子，其电连接到所述半导体管芯并从所述模制化合物突出出来，其中，所述端子中的第一端子具有被所述模制化合物覆盖的收缩区域，其中，所述模制化合物在所述第一端子的所述收缩区域附近具有凹陷或开口；以及无芯磁场传感器，其设置在所述模制化合物的所述凹陷或所述开口中并通过所述模制化合物与所述第一端子隔离。所述无芯磁场传感器被配置为响应于由在所述第一端子的所述收缩区域中流动的电流产生的磁场而产生信号，所述信号的大小与在所述第一端子的所述收缩区域中流动的电流的量成比例。还描述了一种制造模块的方法。
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公开(公告)号：CN117783967A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311202524.4
申请日：2023-09-18
申请人： 株式会社力森诺科
摘要： 本发明涉及磁传感器。本发明的课题是提高利用了磁阻抗效应的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段如下，即，磁传感器具备：感应元件，所述感应元件包含软磁体，并且，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；突出部，所述突出部包含软磁体，并且从感应元件中的长边方向的端部沿着长边方向突出；和诱导构件，所述诱导构件与突出部相对地设置，并且，所述诱导构件由软磁体形成，并向突出部诱导磁感线。
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公开(公告)号：CN117177654B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311088831.4
申请日：2023-08-28
申请人： 珠海多创科技有限公司
摘要： 本申请提供一种磁阻元件及其制备方法、电子设备，该磁阻元件包括第一磁阻元件、第二磁阻元件以及处理电路；第一磁阻元件具有第一电阻传递函数；第二磁阻元件具有相对于第一电阻传递函数反转的第二电阻传递函数；处理电路与第一磁阻元件和第二磁阻元件电耦接，其被配置成产生差分输出信号；第一磁阻元件包括相互电耦接的第一磁传感元件和第二磁传感元件，第一磁传感元件具有对应于第一磁场范围内的外加磁场的第一线性响应；第二磁传感元件具有对应于第二磁场范围内的外加磁场的第二线性响应；第一磁场范围与第二磁场范围至少部分不重合。本发明的磁阻元件用于磁场测量，对外部磁场实现了分段线性响应，在具有较宽的线性响应范围同时，还具有较好的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112904246B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202010972764.2
申请日：2020-09-16
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 一种磁传感器，其包括：包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及将磁传感器芯片一体地密封的密封部，磁阻效应元件包含磁化方向能够根据外部磁场改变的自由层、以及磁化方向固定的钉扎层。密封部具有第1面以及与该第1面相对的第2面，在从第1面侧的俯视图中的密封部的形状是大致四边形，该大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与第1边和第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，在从密封部的第1面侧的俯视图中，在未对磁阻效应元件施加外部磁场的状态下的钉扎层的磁化方向相对于通过使用在第1边上任意设置的多个点的最小二乘法获得的近似直线倾斜。
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公开(公告)号：CN117630767A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311093374.8
申请日：2023-08-29
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： E·M·莫特兹
摘要： 本公开的实施例涉及一种用于补偿磁场传感电路的灵敏度波动的装置和方法。提出了一种磁传感器装置(100；200)，包括：磁场生成电路(110)，被设计为生成磁场(112)；磁场传感器电路(120)，被设计为响应于磁场(112)输出传感器信号(122)，传感器信号具有与磁场传感器电路(120)的灵敏度相关的信号幅度；放大器电路(130)，被设计为放大传感器信号(122)并输出具有放大信号幅度的放大传感器信号(132)；以及调节电路(140)，被设计为利用调整信号(142)调整磁场传感器电路(120)的供电信号和/或放大器电路(130)的增益，使得放大信号幅度对应于目标幅度(144)。
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公开(公告)号：CN113167842B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201980079224.7
申请日：2019-11-21
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种磁阻存储器设备，该磁阻存储器设备包括磁交换耦合的层叠堆和绝缘间隔层，该磁交换耦合的层叠堆包含自由层、参考层和导电非磁性层间交换耦合层，该导电非磁性层间交换耦合层位于该自由层与该参考层之间，该绝缘间隔层在第一电极与第二电极之间与该磁交换耦合的层叠堆串联连接。该第一电极和该第二电极被配置为跨该磁交换耦合的层叠堆和该绝缘间隔层提供编程电压。
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公开(公告)号：CN114096807B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202080049664.0
申请日：2020-06-17
申请人： 阿莱戈微系统有限责任公司
摘要： 一种对目标对象的移动作出响应的磁场传感器，可以包括多个磁阻元件，所述多个磁阻元件布置在一行中并且具有根据y(1‑1/x)的跨度，其中y等于目标对象的整个空间周期，并且其中x等于多个磁阻元件中的磁阻元件的总数量。多个磁场感测元件可操作以生成基本上不对目标对象的移动作出响应而对杂散外部磁场作出响应的信号。
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公开(公告)号：CN117517852A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210910112.5
申请日：2022-07-29
申请人： 平高集团有限公司
摘要： 本发明属于输电线路监测技术领域，具体涉及一种分裂导线电流的计算方法、系统以及间隔棒，包括：获取分裂导线中各个分导线在间隔棒范围内测量点处的实测磁场强度；依据实测磁场强度以及设置的优化函数进行优化计算，计算得到使优化函数最优的每个分导线上的实际电流；优化函数为：其中，M为磁场测量点的个数，N为分裂导线的分裂数，Hj为第j个测量点处的实测磁场强度，Ii表示第i个分裂导线的实际电流，ri表示从原点到测量点的矢量，为测量点处的理论磁场强度计算公式；由此，本发明解决了现有技术中监测的分裂导线的电流精确度低的问题。
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公开(公告)号：CN117289186B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311576462.3
申请日：2023-11-24
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明提供一种磁栅传感器，所述磁栅传感器包括一个或多个、由4个磁阻串联或并联而成的磁感应元件，所述4个磁阻为TMR或AMR，在空间上分布形成 的方阵；配合4个磁阻之间特定偏置设置和灵敏度设置使磁栅传感器同时具有对灵敏方向的干扰磁场、垂直于灵敏度方向的干扰磁场的抗干扰能力，并且降低磁栅传感器的装配精度要求。本发明提供的磁栅传感器抗干扰能力强，测量精度高，装配简单，而且其在相对于磁栅尺的运动过程中，对自身的位置偏差具有较强的容错能力。
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