公开(公告)号：CN114730590A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202180006579.0

申请日：2021-06-07

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： A·卡利佐夫 ,  B·普拉萨德 ,  D·斯图尔特

IPC分类号： G11C11/16

摘要： 本发明公开了一种磁阻存储器设备，该磁阻存储器设备包括磁性隧道结，该磁性隧道结包括自由层、至少两个隧穿电介质势垒层和至少一个金属量子阱层。量子阱层引起以一定方式经过磁性隧道结的共振电子隧穿，使得其强烈增强自由层的磁化状态之一的隧穿概率，而隧穿概率在自由层的相反磁化状态下保持低得多。该设备可按自旋转移矩设备构型、压控磁各向异性、压控交换耦合设备构型或自旋轨道矩设备构型来配置。

公开(公告)号：CN113167842B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201980079224.7

申请日：2019-11-21

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： A·卡利佐夫 ,  D·斯图尔特 ,  G·贝尔泰罗

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11C11/16 ,  B82Y25/00

摘要： 本发明公开了一种磁阻存储器设备，该磁阻存储器设备包括磁交换耦合的层叠堆和绝缘间隔层，该磁交换耦合的层叠堆包含自由层、参考层和导电非磁性层间交换耦合层，该导电非磁性层间交换耦合层位于该自由层与该参考层之间，该绝缘间隔层在第一电极与第二电极之间与该磁交换耦合的层叠堆串联连接。该第一电极和该第二电极被配置为跨该磁交换耦合的层叠堆和该绝缘间隔层提供编程电压。

公开(公告)号：CN113167842A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980079224.7

申请日：2019-11-21

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： A·卡利佐夫 ,  D·斯图尔特 ,  G·贝尔泰罗

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11C11/16 ,  B82Y25/00

摘要： 本发明公开了一种磁阻存储器设备，该磁阻存储器设备包括磁交换耦合的层叠堆和绝缘间隔层，该磁交换耦合的层叠堆包含自由层、参考层和导电非磁性层间交换耦合层，该导电非磁性层间交换耦合层位于该自由层与该参考层之间，该绝缘间隔层在第一电极与第二电极之间与该磁交换耦合的层叠堆串联连接。该第一电极和该第二电极被配置为跨该磁交换耦合的层叠堆和该绝缘间隔层提供编程电压。