发明授权
- 专利标题： 具有减少的外部杂散磁场影响的磁场传感器
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申请号： CN202080049664.0申请日： 2020-06-17
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公开(公告)号： CN114096807B公开(公告)日： 2024-02-13
- 发明人: R·拉萨尔-贝利耶 , M·里乌 , J-M·达加
- 申请人： 阿莱戈微系统有限责任公司
- 申请人地址： 美国新罕布什尔州
- 专利权人： 阿莱戈微系统有限责任公司
- 当前专利权人： 阿莱戈微系统有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国新罕布什尔州
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 林金朝
- 优先权： 16/507,560 2019.07.10 US
- 国际申请： PCT/US2020/038026 2020.06.17
- 国际公布： WO2021/007001 EN 2021.01.14
- 进入国家日期： 2022-01-07
- 主分类号： G01D5/14
- IPC分类号： G01D5/14 ; G01R33/07 ; G01R33/09 ; G01R33/00
摘要：
一种对目标对象的移动作出响应的磁场传感器，可以包括多个磁阻元件，所述多个磁阻元件布置在一行中并且具有根据y(1‑1/x)的跨度，其中y等于目标对象的整个空间周期，并且其中x等于多个磁阻元件中的磁阻元件的总数量。多个磁场感测元件可操作以生成基本上不对目标对象的移动作出响应而对杂散外部磁场作出响应的信号。
公开/授权文献
- CN114096807A 具有减少的外部杂散磁场影响的磁场传感器 公开/授权日：2022-02-25
