公开(公告)号：CN1100382C

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN98108431.1

申请日：1998-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 市川洋平

IPC: H03F3/20 ,  H03F3/30

CPC classification number: H03F3/1935 ,  H03F1/30 ,  H03F1/306 ,  H03F2200/411

Abstract: 本发明提供了一种功率放大器，它包括：输入装置、放大接收信号的场效应晶体管、与场效应晶体管耦合的源、漏极电路、从场效应晶体管输出放大信号的输出装置，以及向场效应晶体管提供偏压的偏置电路。本发明还提供了一种微调包括场效应晶体管和偏压源的功率放大器的方法，它包含：提供一可变电阻，用来从偏压源向场效应晶体管的栅极提供偏压；微调该可变电阻，使得将偏压微调成场效应晶体管的夹断电压；测量从偏压源得到的第一电流；调节可变电阻；测量从偏压源得到的第二电流；计算第一和第二电流之间的差值；以及确定可变电阻的阻值，使得差值处于预定值范围内，以放大输入信号并输出经放大的信号。

公开(公告)号：CN1315074A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN99810123.0

申请日：1999-06-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中原和彦 ,  伊藤康之

IPC: H03F3/60

CPC classification number: H03F3/601 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/372

Abstract: 本发明的微波放大器(10)的结构为,将电感器(12)和电阻(13)并联接入场效应晶体管(11)的源极和地之间。由于电感器(12)具有寄生成分(B),电感器(12)以共振频率fo共振。但是,由于场效应晶体管(11)的源极通过与电感器(12)并联连接的电阻(13)接地,所以即使在电感器(12)通过共振而开路时,场效应晶体管(11)也正常工作。使微波放大器(10)的工作稳定。

公开(公告)号：CN1201294A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN98108431.1

申请日：1998-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 市川洋平

IPC: H03F3/60

CPC classification number: H03F3/1935 ,  H03F1/30 ,  H03F1/306 ,  H03F2200/411

Abstract: 本发明提供了一种性能优越的包括FET和具有可变电阻的栅极偏置电路的功率放大器和微调功率放大器中可变电阻的方法。功率放大器包括输入装置、偏压发生电路、场效应晶体管、源极和漏极电路、输出装置。方法包括提供可变电阻、微调可变电阻、测量第一电流、测量第二电流、计算第一和第二电流的差值以及确定可变电阻的阻值。

公开(公告)号：CN1170988A

公开(公告)日：1998-01-21

申请号：CN97103122.3

申请日：1997-03-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 川合贵久 ,  冈本逸雄

IPC: H03F3/04

CPC classification number: H03F3/1935 ,  H03F1/306 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/211 ,  H03F2200/405 ,  H03F2200/54 ,  H03F2200/75 ,  H03G1/0017 ,  H03G1/0029 ,  H03G1/007

Abstract: 放大器电路包括:一个第一增强型FET,有一个栅极,加有输入信号及一个栅偏置电压,和一个漏极,通过它输出放大的输出信号,以及一个第二增强型FET,有一个漏极同漏极电压源相连,一个源极同第一FET的漏极相连,和一个栅极,加有提供给第一FET控制漏极电压的控制信号。

公开(公告)号：CN1130822A

公开(公告)日：1996-09-11

申请号：CN95116116.4

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中岛秋重 ,  藤冈彻 ,  长谷英一

IPC: H03F3/19

CPC classification number: H03F3/601 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/372 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种微波多级功率放大器具有输入和输出级匹配电路以及一个或更多的级间匹配电路。放大器和信号输出焊盘以及第一和第二电压源焊盘都制作在同一个半绝缘衬底上。输出级中的第一FET的漏极通过第一配电线连接于第一电压源焊盘并通过第二配电线连接于信号输出焊盘，其中的第一和第二配电线参与形成输出级的匹配电路。输出级前级中的第二FET的漏极通过用作连接导体的第三配电线连接到第二电压源焊盘。

公开(公告)号：CN108282152A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810175891.2

申请日：2013-03-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹中功

IPC: H03F1/22 ,  H03F1/32 ,  H03F1/34 ,  H03F3/193 ,  H03F3/26

CPC classification number: H03F1/0205 ,  H03F1/22 ,  H03F1/223 ,  H03F1/226 ,  H03F1/32 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/342 ,  H03F3/193 ,  H03F3/1935 ,  H03F3/265 ,  H03F2200/144 ,  H03F2200/147 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明提供一种高频放大器，其在宽频带范围内在确保工作稳定性的同时得到低失真特性。该高频放大器包括：第1晶体管(Tr1)，其源极接地；第2晶体管(Tr2)，其与第1晶体管构成栅地-阴地放大器电路；串联电路，其连接于第2晶体管栅极和接地之间，且第1电阻元件(R1)及串联共振电路(相当于L1、C1)串联连接；以及第2电阻元件(R2)，其与串联电路并联连接。

公开(公告)号：CN103312277B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201310084706.6

申请日：2013-03-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹中功

IPC: H03F3/189

CPC classification number: H03F1/0205 ,  H03F1/22 ,  H03F1/223 ,  H03F1/226 ,  H03F1/32 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/342 ,  H03F3/193 ,  H03F3/1935 ,  H03F3/265 ,  H03F2200/144 ,  H03F2200/147 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明提供一种高频放大器，其在宽频带范围内在确保工作稳定性的同时得到低失真特性。该高频放大器包括：第1晶体管(Tr1)，其源极接地；第2晶体管(Tr2)，其与第1晶体管构成栅地‑阴地放大器电路；串联电路，其连接于第2晶体管栅极和接地之间，且第1电阻元件(R1)及串联共振电路(相当于L1、C1)串联连接；以及第2电阻元件(R2)，其与串联电路并联连接。

公开(公告)号：CN104426494A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410431476.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： A·M·A·阿里

IPC: H03F3/45

CPC classification number: H03F3/193 ,  H03F1/0266 ,  H03F3/1935 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/18 ,  H03K2217/0018

Abstract: 本发明涉及高速放大器。一种电路可以包括与输出直接连接的一个以上的晶体管，以及与至少一个晶体管的衬底、势阱和反向栅极中的至少一个连接的偏置网络。所述偏置网络可以将衬底、势阱和反向栅极中的至少一个偏置到虚拟浮动偏压，使得所述虚拟浮动偏压基于电路的AC输入信号而进行电压电平移位，从而减小电路的输出节点的寄生电容。

公开(公告)号：CN101674053A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910147026.8

申请日：2009-06-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金谷康 ,  后藤清毅 ,  渡边伸介

IPC: H03F1/22 ,  H03F3/60

CPC classification number: H03F1/226 ,  H03F1/0261 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/534 ,  H03F2200/541

Abstract: 本发明提供栅地-阴地放大器电路，其能够实现在毫米波段能够稳定地工作且高增益或高输出的毫米波器件。该栅地-阴地放大器电路栅地阴地连接有两个晶体管，并且具备：源极被接地的HEMT(1)；源极与HEMT(1)的漏极连接的HEMT(2)；与HEMT(2)的栅极连接，并抑制反射增益的反射增益抑制电阻(3)；和连接于反射增益抑制电阻(3)的与HEMT(2)相反的一侧，并将规定频率附近的高频信号短路的开路短截线(4)。

公开(公告)号：CN100546177C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200510125769.7

申请日：2005-12-01

Applicant: 阿尔卡特公司

Inventor： 迪尔克·维格纳 ,  托马斯·默克

IPC: H03G3/20 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F3/193 ,  H03F1/301 ,  H03F1/306 ,  H03F1/34 ,  H03F1/48 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/117 ,  H03F2200/141 ,  H03F2200/36 ,  H03G1/007

Abstract: 本发明涉及一种用于放大电输入信号(51)的功率放大器以及一种具有这种功率放大器的支持多频带的前端。该功率放大器包括具有一个输入(52)和一个输出(53)的放大器晶体管级(1)以及位于该放大器晶体管级(1)的输出(53)和输入(52)之间的反馈环路(4)。该反馈环路(4)在RF(射频)路径中包括电容器(41)和反馈晶体管并在DC(直流)馈送路径中包括电感元件(42)，其中所述反馈晶体管的源极与所述放大器晶体管级的输入连接，并且所述反馈晶体管的栅极与偏压控制电路(46)连接。