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公开(公告)号：CN106395737A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610843146.1
申请日：2016-09-23
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: B81C1/00349 , B81C2201/0174 , B82B3/0009 , B82Y40/00
Abstract: 一种利用等离子刻蚀机的垂直电场分布制备材料表面形态呈梯度变化的微纳米级结构阵列功能材料的方法，属于材料科学技术领域。本发明结合倾斜放置的样品和等离子刻蚀机的垂直电场在多种材料中引入梯度结构阵列，整个过程操作简便，通过调控刻蚀条件和基底材料的种类可以在多种材料(聚合物、氧化物、金属等)中引入形态可控的梯度结构。本发明步骤简单，根据具体使用材料更换相应的刻蚀气体即可完成制备目的结构样品，实例中所制备的梯度微纳米级结构是二维尺度上的，其在微纳米级形态结构上是呈梯度变化的，通过在材料表面的后处理，可以更加灵活的应用。
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公开(公告)号：CN105633062A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510591151.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/562 , B81B2207/098 , B81C3/001 , B81C2201/0174 , B81C2203/0771 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/14 , H01L23/3114 , H01L23/315 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/564 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161
Abstract: 本公开的实施方式涉及一种用于制造电子器件的方法以及电子器件，其中第一和第二集成电路芯片(2，5)被面对地并且彼此相距一定距离堆叠，多个电连接柱(11)和至少一个保护性阻挡件(7，28，29，35)介于所述芯片之间，从而在所述芯片的相互相对的局部区域(9，10)之间界定自由空间(8)，并且包封块(12)在具有较小的安装面的芯片(2)周围以及在另一芯片(5)的安装面的外围之上延伸；并且其中所述电连接柱以及所述保护性阻挡件出于同步制造的目的而由至少一种相同的金属材料制成。
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公开(公告)号：CN205069632U
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201520718902.9
申请日：2015-09-16
Applicant: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/562 , B81B2207/098 , B81C3/001 , B81C2201/0174 , B81C2203/0771 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/14 , H01L23/3114 , H01L23/315 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/564 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161
Abstract: 本公开的实施方式涉及一种包括堆叠的芯片的电子器件，其中第一和第二集成电路芯片(2，5)被面对地并且彼此相距一定距离堆叠，多个电连接柱(11)和至少一个保护性阻挡件(7，28，29，35)介于所述芯片之间，从而在所述芯片的相互相对的局部区域(9，10)之间界定自由空间(8)，并且包封块(12)在具有较小的安装面的芯片(2)周围以及在另一芯片(5)的安装面的外围之上延伸；并且其中所述电连接柱以及所述保护性阻挡件出于同步制造的目的而由至少一种相同的金属材料制成。
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